温度对聚合物QCM传感器性能的影响研究

以聚偏氟乙烯(PVDF)为敏感材料,石英晶体微天平(QCM)为敏感元件构成聚合物QCM传感器。该文主要对神经毒剂模拟剂DMMP的气敏特性进行研究,并重点讨论了温度对PVDF聚合物膜层QCM传感器性能的影响。结果表明,当测试温度愈接近PVDF的玻璃化温度,传感器的响应幅值就愈高,且在各个DMMP测试气氛浓度时,传感器的响应幅值对温度的依赖性均符合Arrhenius关系;升高温度有利于提高传感器的响应速度,但同时其灵敏度却降低。     

制备温度对SnO_2/Au/SnO_2三层结构透明导电薄膜光学和电学特性的影响

采用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了SnO_2(40 nm)/Au(8 nm)/SnO_2(40 nm)三层薄膜结构.分别利用扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针电阻测试仪等研究了制备温度对多层薄膜的形貌、结构和光电性能的影响.结果表明,制备温度对SnO_2/Au/SnO_2透明导电薄膜的光电性能有较大影响,随着衬底温度的升高,三层膜的品质因数逐渐下降.当制备温度为20℃,SnO_2/Au/SnO_2在可见光区(400~800 nm)的平均透过率为69.7%,面电阻为6.8Ω/sq,薄膜具有最佳品质因数3.96×10~(-3)Ω~(-1).     

电子聚合物自组装超薄膜二氧化氮气体传感器

电子聚合物自组装超薄膜NO2气体传感器的研制从电子聚合物气敏材料的选择与设计入手，利用新创掺杂诱导沉积法自组装工艺技术，结合传感器功能结构设计，生产出了掺杂态聚苯胺基片式超薄复合膜电阻型NO2气体传感器，具有灵敏度高、响应快、选择性好及无需加热常温工作等显著特点。 电子聚合物自组装超薄膜二氧化氮气体传感器@科卞     

用自组装法制备聚合物纳米复合膜

建立在静电相互作用原理基础上的自组装法是一新型制备聚合物纳米复合超薄膜的方法。文章比较了自组装法（self—assembly,SA）与Langmuir—Blodgett技术（LB）及其它方法在制备有机复合膜时的优劣。SA法由于操作简单、适用范围广、膜的结构稳定性较高,因此较LB技术等具有更大的实用价值。利用SA法,可以制备各种有机聚电解质与其带相反电荷的有机聚电解质、粘土类片状化合物及无机纳米颗粒、生物大分子等组成的聚合物纳米复合膜,为实现复合膜的功能化创造了条件。     

聚吡咯薄膜的制备及其氨气敏感特性的研究

运用聚电解质自组装膜对基片表面进行化学改性,通过原位聚合法及自组装方法在基片表面沉积聚吡咯薄膜,利用紫外可见分光光度计(UV-Vis)和原子力显微镜(AFM)对聚吡咯薄膜进行了分析表征。采用平面叉指电极制备了PPy薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH3的敏感性及对?30℃～+60℃温度范围内、5.9%R.H～59.6%R.H范围内的湿度其敏感特性的变化,讨论了薄膜沉积时间对气敏特性的影响。结果表明,该传感器对浓度为0～141ppm的NH3具有较高的灵敏度,对氨气的响应及恢复特性也很好,当沉积时间为20min时,该传感器的NH3敏感特性最好。     

薄膜厚度对Cu膜光电性能的影响

在室温条件下,用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜,测量了Cu膜的光学透过率和面电阻,分析了光电性质薄膜厚度的变化情况.实验结果表明,随着Cu膜厚度的增加,其光学透过率逐渐减小,透过率在波长为580 nm处出现峰值.Cu膜的面电阻随薄膜厚度的增加先急剧减小,然后减小变得缓慢,最后趋于定值.理论模拟了Cu膜的光学透过率随薄膜厚度的变化和光学透过率随入射光波长的变化,理论模拟结果与实验结果吻合.     

聚吡咯/二氧化钛复合氨敏薄膜的制备及特性研究

采用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚吡咯/纳米二氧化钛(PPy/TiO_2)复合薄膜,并进行了表面电阻测试及紫外-可见光谱分析、原子力显微镜分析．利用平面叉指电极结构制备了PPy和PPy/TiO_2薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH_3的敏感性．结果表明,相同条件下PPy/TiO_2复合薄膜传感器的响应/恢复时间均优于PPy薄膜传感器．同时测试了PPy/TiO_2复合薄膜传感器的湿度特性和稳定性．     

n-SiO2/BGF和PEi-BGF/SiO2两类复合磨粒及抛光液对硅的抛光性能影响

以苯代三聚氰胺甲醛（BGF）微球为内核,用阳离子型聚电解质PDADMAC、阴离子型聚电解质PSS为表面改性剂,利用静电层层自组装技术,制备出不同包覆结构的n-SiO2/BGF和PEi-BGF/SiO2复合磨粒。利用TEM表征两类复合磨粒的吸附情况,并与传统单一SiO2磨粒抛光液、BGF+SiO2混合磨粒抛光液进行实验比较。通过聚合物表面的交替吸附层数、游离磨粒浓度对比两种复合磨粒抛光液对抛光的影响。抛光试验表明,复合磨粒抛光液的材料去除能力明显优于单一磨粒抛光液和混合磨粒抛光液;在两类复合磨粒抛光液对比中,当SiO2磨粒质量分数为5%时,3-SiO2/BGF和PE5-BGF/SiO2复合磨粒抛光液材料去除率达到最大值,分别为369 nm/min和361 nm/min。     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响

室温条件下,采用平面叉指电极式器件,运用原位化学氧化聚合和静电力自组装相结合的方法分别制备了盐酸掺杂和对甲苯磺酸掺杂聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜气体传感器,并通过电子扫描显微镜(SEM)对薄膜进行了分析表征,研究了其在常温下对NH3气的敏感特性。实验结果表明,盐酸掺杂PANI/TiO2复合薄膜较对甲苯磺酸掺杂PANI/TiO2薄膜具有更好的灵敏度和响应恢复特性以及更好的稳定性。该研究有助于开发低功耗、高灵敏度的NH3气体传感器。     

杂化膜驻极体PVDF／SiO_2表面改性的研究

较系统地研究了化学表面改性对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ＿２（ＰＶＤＦ－聚偏氟乙烯）电荷储存及稳定性的影响。实验结果在明：在面改性处理将在杂化膜驻极体表面形成一疏水的保护层，这对于改善杂化膜的电荷储存及稳定性起到显著的作用。另一方面当杂化膜内部存在过剩水分子时，此疏水层也会阻止水分子向外扩散，造成表面改性后驻极体内的电荷快速衰减这一反常现象．     

波长及金属膜厚度对表面等离子体共振的影响

表面等离子体共振（SPR）传感器的光源波长和金膜的厚度影响表面等离子体共振吸收,波长及金膜厚度不同,共振峰的半宽度及深度就会不同,即仪器的灵敏度和实验现象不同.该文利用MATLAB模拟仿真,计算得出表面等离子体共振传感器不同波段光源对应的最佳金属膜厚度,将中心波长为1 550nm、1 310nm、850nm、660nm 4种光源进行对比,得出光源波长为1 550nm、金膜厚度为40nm时,表面等离子体共振传感器的灵敏度最高,实验现象最明显.     

锌表面Mo(W)-S-Zn簇合物膜的XPS和AES研究

在锌表面获得了多种不同颜色且具有金属光泽的不溶性Mo(W)-S-Zn簇合物转化膜,所获膜层具有良好的耐蚀性能和装饰效果,加热处理后颜色将发生变化,加速腐蚀试验结果表明,金黄色膜耐蚀性最佳。FT-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明,该膜层厚度约为60nm。钼在膜表面的价态为+6价,而在膜内则以+6、+4价共存。从AES深度分布曲线可知,其组成为32.5％Zn,19.3％Mo,39.4％S,8.5％O。膜为多分子层组成的复杂体系,其颜色是各组分统计分布的结果。     

XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验，以及对组成元素的XPS光电子能谱分析，证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。     

宽带光学增透膜的正交设计

镀制多层宽带光学增透膜是改善镜头成象质量,提高光能透过率和协调彩色平衡的必要手段。本文采用二次设计原理,结合正交试验法编制膜系自动设计程序。设计结果表明不但光学性能优良,而且工艺稳定性好,从而可以利用误差来源多、控制精度低的设备镀制出高质量的膜系。文中详述了设计方法并给出程序框图和设计结果。     

基于Polyflow的聚合物流延过程仿真

运用Polyflow软件模拟聚丙烯的流延过程。通过在模拟过程中改变拉伸比、输入速度、和空气间隙,得出影响膜的厚度和缩幅的因素。通过模拟得出在上述变化参数里,厚度随着拉伸比和空气间隙的增大而减小,而缩幅随着拉伸比和空气间隙的增大而增大。所以生产过程中拉伸比和空气间隙要寻找一个合适的中间值。     

PVDF压电薄膜结构监测传感器应用研究

压电材料是目前在智能材料系统研究中应用最为广泛的传感材料之一。由于PVDF压电薄膜具有制作成本低、机械性能好、灵敏度高等优点而受到了广泛关注。以PVDF压电薄膜作为结构监测的传感元件，对PVDF的应变传感原理进行了研究，并建立了基于信号采集与处理的PVDF应变监测系统，最后对PVDF监测构件裂纹进行了实验。实现了压电薄膜的应变与裂纹监测，为实际工程应用奠定了基础。     

纳米分等级结构氧化铟材料的制备及其气敏特性的研究

利用十二烷基硫酸钠(SDS)和N,N二甲基甲酰胺(DMF),采取水热-退火方法合成具有纳米分等级结构的氧化铟。通过X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)表征所制备的样品。结果表明,合成产物为纳米片组成的分等级结构花装氧化铟,纳米片的厚度约为20 nm。气敏性测试结果表明,以该方法合成的氧化铟,对NO2气体有较高的灵敏度与较好选择性。     

杂化膜驻极体PVDF／SiO_2的电荷输运特性

通过常温和高温下对ＰＶＤＦ／ＳｉＯ＿２，（ＰＶＤＦ－聚偏氯乙烯）膜的恒压负电晕充电，系统地研究了充电注入的负表面电荷受激脱阱后在电荷层自身内场作用下的输运规律。确定了ＴＳＤ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＳｔｉｍｕｌａｒｅｄＤｉｓｃｈａｒｇｅ）的偶极峰和空间电荷峰对电荷稳定性的明显区另。实验结果表明，高温负电晕充电对该材料的驻极性能有明显的改善。     

电晕极化偶氮化合物薄膜倍频弛豫特性研究

把主体材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和客体偶氮化合物,用溶胶-凝胶法制成溶胶,旋涂成膜,测量了其紫外-可见吸收光谱和厚度。用电晕极化的方法对薄膜进行极化,然后实时监测了不同温度和不同厚度下薄膜的二次谐波产生(SHG)强度随时间退极化的特性。利用双指数函数拟合其驰豫曲线,结果表明,对于厚度相同的偶氮薄膜,随温度的升高其平均驰豫时间变短;而相同温度下不同厚度的薄膜,平均弛豫时间随厚度增加而增加。