掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ·cm和270 ppm/℃。     

Al2O3-ZrO2复合粉末的制备及相变研究

采用共沉淀法制备了Al2O3-ZrO2复合粉末,通过TG/DTA、XRD等分析手段研究了粉末的特性,研究结果表明,ZrO2含量越高,ZrO2结晶越快,结晶的温度越低。Al2O3与ZrO2两相物质结晶生长,从而ZrO2抑制了相变。     

Al2O3-SiO2-ZrO2复合膜的热稳定性研究

主要探讨了引入SiO2和ZrO2对Al2O3薄膜热稳定性的影响，并采用DTA、XRD和SEM等分析方法对其进行了研究，结果表明，1000℃煅烧后的复合膜中，主晶相为γ-Al2O3和t—ZrO2，SiO2以无定形态存在，1200℃热处理后的复合膜中仍然没有发生γ-Al2O3，向α—Al2O3的相变。     

SO42-/ZrO2-Nd2O3固体酸的制备及其催化活性

以皮胶原纤维为模板剂,硫酸锆为锆源,掺杂稀土Nd元素制备SO42-/Zr O2-Nd2O3固体酸。通过TG、XRD、FT-IR、SEM以及N2吸附脱附分析等表征了制备条件对SO42-/Zr O2-Nd2O3固体酸结构的影响。结果表明,SO42-/Zr O2-Nd2O3固体酸较好地保持了模板的纤维结构,添加稀土Nd元素能有效抑制晶粒增长,Zr O2-Nd2O3晶粒尺寸为5.1~11.6 nm,比表面积为63.96 m2/g;以乙酸和正丁醇的酯化反应为模型反应考察SO42-/Zr O2-Nd2O3固体酸的催化活性,催化剂活性较高,重复使用5次,乙酸的转化率仍可达到85%,表现出较好的重复使用性,具有一定的工业应用前景。     

ZnO:Al薄膜性质研究

采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3 浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3 浓度的增加逐渐减小,当掺Al3 浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光学带隙随掺Al3 浓度的增加而增大,掺Al3 20%的薄膜光学带隙达到3.99 eV.O1s结合能随掺Al3 浓度的增加而增大.     

Ti3+自掺杂纳米TiO2的制备、表征与可见光催化活性

以Ti H2和H2O2为原料,采用水热法制备了米粒状Ti3+自掺杂的TiO2纳米颗粒.采用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X-射线光电子能谱(XPS)对所制备样品的结构、结晶性、形貌和元素的存在状态进行了表征分析.电子顺磁共振谱(ESR)结果表明所制备的样品中含有晶格Ti3+和表面Ti3+.紫外—可见(UV-Vis)漫反射光谱表明这种Ti3+自掺杂的纳米TiO2在可见光区中有较强的吸收.在可见光辐射下,所制备的样品具有优于商业化P25 TiO2的光催化分解水和光催化降解次甲基蓝(MB)溶液的性能.其中160℃下水热处理27 h所得样品光催化降解MB的性能是P25 TiO2的9倍,而光催化分解水制氢的性能是P25 TiO2的12.5倍.     

不同掺Al~(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3 浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3 掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。     

Gd2O3:Yb3+,Tm3+@SiO2纳米晶的制备及上转换发光

本文采用微乳液法合成了SiO2包覆的Yb3+,Tm3+离子共掺杂的Gd2O3纳米晶上转换荧光粉体。SEM-ES和TEM测试结果均表明我们制备的SiO2包覆的Yb3+,Tm3+离子共掺杂的Gd2O3纳米晶是核-壳结构,且纳米颗粒的分散性好。在LD激光器(波长为976nm)激发下,观测到稀土离子的可见到近红外室温上转换发射。包覆使Gd2O3:Yb3+,Tm3+纳米晶粉体的近红外上转换发射强度得到明显提高。     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

H3(H10C4N2)3[PMo12～（VI）O40]的合成与晶体结构

用中温水热技术合成了一种Keggin型磷钼多金属氧酸盐H3(H10C4N2)3[PMoVI12O40],探讨了该化合物的合成,经元素分析、红外光谱、X-射线单晶衍射确定了其结构并进行了表征.该化合物属于六方晶系,R-3c空间群,化合物的晶胞参数:a=1.7878(3)nm,b=1.7878(3)nm,c=2.3498(5)nm,α=90°,β=90°,γ=120°,V=6.5046(18)nm3,Z=6,R1=0.0427,wR2=0.0434.     

退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5 V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.     

真空无压烧结Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的原位合成工艺、结构与性能

采用真空无压烧结方法原位合成制备了一种Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷。采用XRD、SEM分析复合陶瓷的物相和结构，测试复合陶瓷的硬度和强度。试验结果表明，1 350 ℃保温2 h，烧结的Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷，相对密度达到90%以上，生成Ti3SiC2物相的比例在80%以上。由于Al2O3均匀弥散分布，增强了Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的强度，其中Al2O3含量为10 wt%时，Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的显微硬度和抗弯强度分别为5.3 ±0.4 GPa和352±6 MPa     

Fe3O4负载纳米TiO2的微乳液法制备与表征

采用油酸/正丁醇/NaOH溶液制备了Fe3O4负载纳米TiO2.用微乳体系制备出纳米二氧化钛前驱体,然后由表面活性剂稳定和保护的纳米粒子在氢键吸附等作用力下包覆于Fe3O4载体的表面.用热重-差热分析、扫描电镜(SEM)、红外光谱法和X-射线衍射(XRD)对其结构进行分析.SEM和XRD的结果表明,所制得TiO2粒子为锐钛矿晶型,粒径为15 nm左右,呈球形分布于Fe3O4表面.用分光光度法测得TiO2的包覆率为34.2%.     

乙烯在Ru（10^—10）表面的吸附与分解的ARUPS研究

本文研究了在低温下(200K以下)乙烯(C2H4)在Ru(1010)表面的吸附,在衬底温度升高至200K以上后,分解形成乙炔(C2H2).价态σcc和σCH轨道能级向高结合能方向分别移动了0.5和1.1eV.在Ru(1010)表面,无论是低温时以分子吸附态存在的乙烯,还是温度升高后脱氢分解形成的乙炔,其C-C键轴都是沿衬底〈0001〉晶向倾斜于表面的.     

三维开放骨架结构Zn3（PO4）2（H2O）4的水热合成及晶体结构

利用中温水热方法合成了一种新颖的具有三维开放骨架结构的Zn3(PO4)2(H2O)4盐.并对其进行了红外光谱、元素分析、热重分析和单晶x射线衍射分析.结果表明,标题化合物晶体属于正交晶系;Pnma空间群,晶胞参数a=1.0602(2)nm,b=1.8218(4)nm,c=5.0434(10)nm,α=β=γ=90.00°,V=0.97410nm3,Z=4,R1=0.0278,wR2=0.0841,M=458.142.首先,四元环与八元环在平行于0,1,1方向形成二维层状结构,然后二维层沿1,0,0方向进一步形成三维开放骨架结构.     

纳米多孔SiO2-TiO2复合薄膜的制备及研究

采用溶胶凝胶技术,以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB为模板剂,乙酰丙酮作为钛的水解控制剂,通过钛和硅醇盐的分步水解得到均匀的SiO2TiO2复合溶胶,通过提拉制备出具有纳米多孔结构的复合薄膜.实验结果表明,多孔薄膜中的钛离子形成了Si—O—Ti键的孤立四配位形态,使薄膜具有复合型钛离子的催化效果,并且有介孔结构.随TiO2含量的增加,薄膜仍具有较好的透光性(可达到85%以上).通过对实验条件的调节,可实现对薄膜纳米结构的人工控制,形成的多孔薄膜折射率在1.2~1.4之间连续可调.     

铁系稀土CO中温变换催化剂的吸附性能及反应机理研究

本文采用原位红外技术,程序升温脱附技术及脉冲反应法,对比研究了铁系稀土 CO 中温变换催化剂(FeCrCeK)和主剂 Fe_2O_3的吸附性能和反应性能。从原位红外研究发现两种催化剂还原表面都能被 H_2O 和 CO_2氧化,从而导致表面结构的变化,在红外谱图中看到了结构变化峰。程序升温脱附结果证实了上述结论,并根据催化剂脉冲反应研究结果归纳出了催化剂的交换反应机理。     

“（V+O1）+O2”结构研究述评

"CV+O1)+O2"(动宾组合+宾语)结构是20世纪80年代以后使用日渐增多的一种语法现象,近些年来,研究者们对"(V+O1)+O2"结构展开了积极的探讨,得出了很多颇有价值的见解。本文试图对1999年以前及以后的对"(V+O1)+O2"结构的研究进行总结,以期对此结构进行多角度、多侧面的考察和分析。     

高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。     

氢氧焰燃烧合成纳米SnO_2/TiO_2复合颗粒的形貌与结构

利用预混合氢氧焰燃烧合成了形态和结构不同的SnO2/TiO2复合纳米颗粒,颗粒呈多面体结构,形貌介于球形和立方方形之间,复合颗粒由同为四方晶系的SnO2和TiO2组成。在SnO2/TiO2复合颗粒中存在Sn—O—Ti键,没有出现相分离现象。复合颗粒表面的Ti∶Sn(mol∶mol,下同)比大于复合颗粒内部的Ti∶Sn,而且复合颗粒内部Ti∶Sn接近理论值。