空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

半导体固体光源诱导荧光检测系统的研制

采用共聚焦光学结构、半导体激光和发光二极管固体光源为激发光源,研制了一种便携式荧光检测系统。整机采用模块化结构 利用分立的检测池模块 可满足微流量分析及常规分析的需要。采用毛细管电泳技术评价了该检测体系,浓度检测限为0~7～10~9M 线性范围为10~2～10~3。     

汉字条屏显示器的制作

介绍单片机控制的LED发光二极管条屏显示器，给出了基本原理和应用程序框图     

MOF与MAP bBr3复合材料的制备与发光性能研究

近年来,铅卤盐有机钙钛矿材料MAPbX3(MA=CH3 NH3,X=Cl,Br,I)因其优良的光学性能而备受关注.但MAPbX3材料大多以量子点为主,需要在液体环境中进行制备以及分散在溶剂中进行保存,从而在一定程度上限制了其在太阳能电池、发光二极管等领域的发展.本文制备了MOF材料与MAPbBr3钙钛矿量子点的复合材料...     

中国共产党科技法制建设的基本经验

铋系半导体材料电子结构独特,在可见光范围内具有较好的催化活性。利用铋系半导体的这一特性,通过其他元素的掺杂、复合可制备出有效分解有机、无机污染物的光催化剂。近年来,国内外对铋系材料的研究也越来越多,在介绍铋系半导体电子结构的基础上,综述了近几年国内外对此类催化剂的研究,并对铋系光催化剂的发展趋势进行展望。     

新阶段全球半导体供应链重构及其思考

半导体攸关国家安危，百年未有之大变局中的诸多因素诱发第四次全球半导体供应链重构。梳理了前三次全球半导体供应链重构的过程，并基于系统动力学、演化经济学等理论构建了产品—企业—区域—全球(PERG)分析框架，探讨了第四次全球半导体供应链重构的原因及趋势。虽然中国大陆半导体产品和企业实力与美欧日韩及中国台湾地区具有很大差距，但全球影响力已上升为全球第二梯队。第四次全球半导体供应链重构由美国主导，但中国大陆将成为第四次全球半导体供应链重构的核心力量。中国大陆应做好半导体产业发展的长期规划，发挥新型举国体制和现代市场机制的作用，从PERG四个方面全面发力提升自身实力，稳定半导体领域外资和台资，持续推动本土替代，深度嵌入美欧日韩及中国台湾地区的全球半导体供应链。     

半导体激光器新型宽带匹配电路设计

一种新型三维宽带传输线阻抗匹配电路比较好地解决了阻抗为５０Ω的信号源与半导体激光器之间的阻抗匹配问题，它能有效地改善半导体激光器的高频响应和调制带宽。该匹配电路具有结构紧凑、体积小、带宽很宽的优点。利用该宽带匹配电路和国产半导体激光器设计的半导体激光器高速调制组件，调制带宽达到７．１０ＧＨｚ。     

基于模糊理论的温差半导体的选择

温差半导体散热方法的选择，应同时考虑到温差半导体的制冷效率、机械性能、安装性能和经济效益；文章建立了温差半导体散热方法选择评价体系；采用二级模糊综合评价对温差半导体散热方法进行了选择；并用实例说明验证方法的可行性．     

高纯硅的提炼方法

一,绪言自1827年Berzelius发现元素Si以来,在一百余年的期间,没有发现Si有重大价值的用途。约自1946年以来,硅化学进入了新的发展时期。尤其是在1948年以后发现半导体材料可以制做晶体管,因此引起了制备高纯度Ge和Si的研究。在许多半导体材料中,到目前为止,锗和硅被认为是最优越的。其中锗被研究的较早,     

冷藏柜用半导体制冷器的改型试验研究

在理论分析的基础上，就冷藏柜用半导体制冷器的热管散热器、吸热器的结构形式进行了改型设计，研制出了多片组合式半导体制冷器。通过对改型前后的测试发现：多片组合式制冷器的性能明显优于原制冷器，从而为半导体冷藏柜用制冷器的改进设计提供了有益的参考。     

半导体物理的发展及其启示

半导体物理学作为凝聚态物理学一个重要分支，是现代微电子器件工艺学的理论核心。探讨半导体物理学发展规律，对于更好地掌握半导体科学技术的发展趋势有重要意义。     

半导体冷藏柜的设计要点及组装工艺

在实验的基础上，就小型半导体冷藏柜的设计要点及组装工艺进行了分析，制冷负荷及运行工况的确定、半导体制冷器件及元件的选型、散热、吸热方式的选择、以及组装工艺等环节，是提高制冷系数的关键技术。还就热管用于半导体制冷器件热端散热的优势进行了分析，给出了提高制冷系数应采取的几项具体措施。     

家用半导体制冷采暖系统的研究

本文在半导体制冷技术的理论分析和实验研究基础上，对家用半导体制冷采暖系统中各分系统的优化以及它们之间的最佳匹配问题进行了讨论，提出了基本的设计原则，对半导体制冷技术在家用空调系统中的进一步发展和应用具有一定的指导意义．     

有机污染物的半导体光催化氧化研究进展综述

半导体光催化氢化氧化处理有机污染物是一项日益引起人们重视的新技术，它既可用于处理废水中的有机污染物，又可以处理气相中的有机污染物，本文对近年来有关水相和气相半导体光催化氧化的应用及反应机理，动力学的研究情况进行了总结。     

半导体激光器高速调制技术

半导体激光器高速调制技术主研人员：邱昆邱球梅克俊刘旭明该课题组从理论上运用速率方程和包括了内部与外部参量的微波等效电路模型，得到了高速半导体激光器的设计原则，并提出良好的宽带阻抗匹配是高速调制的必要条件。研究成功了宽带新型三维渐变传输线阻抗匹配电路，...     

敏化剂的特性及其在光电转换中的作用

把具有光电转换效能的有机染料或导电高聚物作为光敏剂修饰到半导体超微粒多孔膜上，使宽禁带宽度半导体吸收光波长扩展至可见和红外区，大大提高和改善了该复合电极的光电转换效率。本文对敏化剂的作用机理、修饰电极的光增感作用进行了研究与探讨。     

E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。     

半导体纳米材料的特性与光电化学

半导体纳米材料因受尺寸量子效应和介电限域效应等特性的影响，往往具有不同于块体材料和原子或分子的介观性质，在材料学，物理学．化学，催化和环保等方面具有广阔地用途。本文介绍了半导体超微粒的基本特性和光电化学性质以及在光能利用方面的应用前景。     

电沉积n—CdTe薄膜的研究

用电沉积法制备ｎ—ＣｄＴｅ薄膜，可降低半导体材料的消耗和生产费用，对降低太阳电池成本具有很大吸引力。本文通过不同衬底和不同阴极电位电沉积制备ＣｄＴｅ薄膜，进行不同温度下的热处理。对多晶ＣｄＴｅ薄膜做了ＸＲＤ分析，并在由ＣｄＴｅ薄膜作光电极，碳棒为对电极，多硫氧化还原体系Ｎａ２Ｓ＋ＮａＯＨ＋Ｓ溶液作为电解液的光电学电池中做光电Ｉ——Ｖ特性测量，发现以Ｎｉ作衬底及阴极沉积电位－０．６７—－０．７０Ｖ（对照ＳＣＥ）下沉积出的ＣｄＴｅ薄膜光电性能较好，如对薄膜进一步在马福炉中２５０°下供烤１５—４５分钟，其光电转换效率将得到进一步提高。     

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为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制，提高其光电特性，对湿法氧化工艺进行了实验研究。在不同的氧化温度下，对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化。采用X射线能谱分析仪，对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测，依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化，对氧化过程进行了分析与讨论，推导出在一定的温度下，氧化速率随时间变化的一般规律，提出了在垂直腔面发射半导体激光器的湿法氧化工艺过程中，适当降低氧化温度，延长氧化时间，可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性与稳定性。