AM混合相Si:P:H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n~ 材料。     

InP－MIS界面特性的研究

通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ＿４所造成陷阶，而是低温淀积ＳｉＯ＿２中的ＳｉＯＨ、ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象，从而可望制作出性能较为稳定的ＩｎＰ－ＭＩＳ器件     

ZnO薄膜乙醇气体传感器

ZnO 薄膜乙醇气体传感器由 ZnO 气敏薄膜元件和加热器组合而成。其 ZnO 薄膜采用直流磁控反应溅射在高铝瓷基片上淀积而成。膜内掺人定量的稀土元素催化剂做成层状结构以改善器件的灵敏度和选择性。该气敏元件封装于由Φ8mm 的四引出脚管座内,使用方便可靠,     

减压CVD技术

本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶硅薄膜等工艺技术问题。提供了各类薄膜制作时采用的典型工艺数据(仅供参考)。对薄膜厚度的均匀性,掺杂层浓度控制与均匀性及薄膜表面状况等进行了分析讨论。由理论分析和实验结果看出,减压CVD技术制作的半导体器件中应用的各类薄膜最突出的优点是:薄膜厚度的均匀性高(可达1～3％),实现了高密度装片(生产量可达10厘米温区内可装40片)。因而,减压CVD技术在目前大规模集成电路、微波半导体器件中是一种十分值得重视的工艺技术。     

Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

复合膜光学常数的研究

在1.33×10~(-3)Pa真空度下,用电子束蒸发法在K_?玻璃上成功地淀积了厚度为1200～1500A的复合光学膜,测量了不同参数下制备的膜折射率的平均值,并从色散方程推导出了折射率随波长变化的理论公式,发现复合膜成份决定其折射率的大小值。真空度和衬底温度对折射率值也有明显的影响。文中也给出部分膜色散系数值。     

镍膜热敏电阻的研究

介绍一种新型的温度传感器——镍膜热敏电阻。该传感器的优良特性已为人们所关注。本文着重探讨镍膜热敏电阻的制作工艺条件对其性能的影响。同时介绍了作者研制的镍膜热电阻的特性和主要技术指标。镍膜热敏电阻是一种很有开发前景的感温元件。     

光学薄膜镀制技术的对比研究

本文介绍了两种光学镀膜真空淀积技术——离子辅助淀积和反应离子镀,并详述了近年来的应用及进一步的发展。     

分配格上秩—1阵的特征及Schein秩的一个不变性

讨论了分配格Ｌ上的秩－１矩阵分解为向量叉积的特点，然后得到对Ｌ上的任一矩阵Ａ，只要λ≤∧ｉ，ｊａｉｊ，则在Ａ中插入去掉元素都是λ的行所得矩阵与Ａ有相同的Ｓｃｈｅｉｎ秩。     

4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备(英文)

用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kW/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻rc为7.1×10-4 Wcm2。     

类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备

本文介绍了类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备原理和4种方法,同时指出了它们的应用前景。     

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析

用等离子（增强）化学气相淀积（PECVD）法在Si基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构．     

品牌接触点战略管理研究

本文以品牌接触点管理的含义为切入点,从战略层面对品牌接触点管理的层次和路径进行分析,提炼出品牌接触点战略管理的六大要素,构建了基于品牌价值视角的六大战略要素协同的品牌接触点战略管理钻石模型,进而提出品牌接触点战略管理对策。     

一个瞬态特性的自动测量系统

在电冰箱的电气系统中常用正温度系数热敏电阻(PTC)元件作为无触点启动开关,以取代传统的单臂式或重力式电磁启动开关,为了鉴定此种热敏电阻的性能,通常要测量它的启动时间t_s及残余电I_(60(p—p)),本文阐述了为此目的而设计的由TP801A单板计算机构成的自动测量系统的硬件组成及软件。     

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响。采用XRD对薄膜结构进行分析。XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变。     

Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000℃,碳化时间为5 min,生长温度为1 200℃,生长速度为4μm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好。     

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N~-/N~+/P~+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。     

有机复合PTC热敏电阻的研制

复合材料和复合技术是当今材料科学发展的热点，文中介绍了有机复合ＰＴＣ热敏材料的设计基础及工艺，详细讨论了工艺因素对ＰＴＣ热敏教材料性能的影响，给出了获得良好有机复合ＰＴＣ热敏材料的工艺条件。     

巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究

根据自平均极限模型推导了在巨磁电阻薄膜中折射系数与自旋非对称因子的关系。用傅立叶变换红外光谱仪组建了磁折射效应测试装置,并测试了自旋阀多层薄膜(Si/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/Co/NiFe)的磁折射效应。结果表明:在红外波段,可以用磁折射效应表征巨磁电阻效应。     

红外探测器的发展状况

本文系统地介绍了红外探测器的发展状况。其中包括了热探测器、非本征探测器、铅盐探测器、锑化铟探测器、碲镉汞探测器材料及其单元器件的发展,当前达到的水平和今后发展的趋势。最后,对我国红久探测器的发展提出了几点粗浅的看法。