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本文对YW1硬质合金的热电性能进行了全面的实验研究,对影响YW1硬质合金的热电性能微观组织进行了细致的实验测试,从而找出了影响YW1硬质合金热电性能的关键因素。 相似文献
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考察了多孔碳化硅陶瓷的抗氧化性及抗热震性,探讨了不同制造工艺对多孔碳化硅陶瓷抗氧化性及抗热震性的影响。研究了SiC陶瓷在热处理过程中SiC颗粒表面氧化形成的SiO_2在不同热处理温度的状态变化及其对试样抗热震性的影响。 相似文献
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宽禁带功率半导体器件技术 总被引:4,自引:0,他引:4
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
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针对硬质合金刀具开发过程中的切削性能评价,通过理论与实验分析,以硬质合金刀具对铸铁车削加工为例,进行切削性能分析和工艺试验,采用均匀试验设计方法、多元回归法建立数学模型,通过对切削力、振动、表面质量的分析,优化刀具的切削参数,并对回归方程进行显著性检验.研究结果可以为刀片切削参数选择提供依据,为合理评价刀具使用性能提供有效方法. 相似文献
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用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kW/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻rc为7.1×10-4 Wcm2。 相似文献
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选用WC、(W,Ti)C、TaC和Co粉配制WC-16TiC-4TaC-9Co合金混合料,经球磨后压制压坯,在1 410℃、1 430℃和1 450℃温度下真空烧结.测试烧结试样的性能,采用扫描电子显微镜(SEM)观察其微观形貌.结果表明:随着烧结温度升高,合金晶粒尺寸明显长大.1 450 ℃真空烧结的试样综合性能较好,WC平均尺寸为0.7μm,(W,Ti,Ta)C平均尺寸为3 μm. 相似文献
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碳化钨对自熔合金Ni60B喷熔层耐磨性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在自熔合金粉末Ni60B中分别加入不同含最的碳化钨(WC),采用氧-乙炔火焰为热源.喷涂并重熔.形成喷熔层.对喷熔层进行了宏观硬度试验、磨粒磨损试验以及显微组织分析.试验结果表明;Ni60B喷熔层随WC加入量的不同.宏观硬度有比较明显的提高.喷熔层的耐磨性最初随WC加入量的增加而提高,达到35%时.喷熔层耐磨性最佳.超过这一含量.喷熔层耐磨性又明显下降.随WC加入量的增加.喷熔层中单位体积内由WC与W2C形成的块状混合物数量增加,块状物的数量会影响喷熔层的耐磨性. 相似文献
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分析了碳化物对CrWMn钢旋压轮使用寿命的影响,提出采用碳化物超细化处理的预处理工艺取代传统的球化处理工艺,使旋压轮的使用寿命大幅提高。 相似文献
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采用炭化方法制成规整炭化物载体,在其上负载TiO2经烧结成为规整型光催化剂.利用XRD和BET技术对载体和催化剂样品进行了表征.考察了样品的光催化活性.结果表明,规整炭化物载体为多孔物质,以中孔和微孔为主,平均孔径2.1 nm.负载型的规整光催化剂有明显的光催化效果.实验中还探讨了气相光催化反应的动力学过程. 相似文献
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研究轻稀土氧化物(CeO2、La2O3、Nd2O3)及重稀土氧化物(Y2O3)对YGIO硬质合金组织和机械性能的影响,并对稀土在硬质合金中的分布状态及作用机理进行探讨.结果表明,轻稀土氧化物的加入可提高合金的密度,重稀土氧化物的加入对提高合金抗弯强度有利,随稀土含量的增加,合金硬度下降. 相似文献