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101.
目前.越来越多的留学归国人才和国内高层次人才来南京创业发展.得益于我市在人才创新创业方面的不断“利好”举措.他们也赢得了事业上的一个个成功。在加拿大麦克马斯特大学担任终身正教授的徐长青博士.一直从事非线性光学材料及器件.半导体激光器及光放大器.光纤激光器及传感器等研究,在非线性光学材料、光学芯片和应用领域具有极高的国际知名度.2010年5月徐长青博士携专利技术回国创立南京长青激光科技有限责任公司,研发、生产PPLN绿光激光芯片等产品.该芯片产品有望带动中国的下一代战略性新兴显示产业——激光显示产业快速发展。 相似文献
102.
103.
不断增加其处理器运行速度的英特尔正在成为“报酬递减定律的牺牲者”在未来5年内,某品牌将取代现在的芯片业霸主英特尔,成为新的王者?现在,似乎没有几个人对这种有点虚构的问题产生兴趣。但就在2004年岁末,美国半导体新闻和分析媒体《Silicon Strategies》表达了与众不同的意见,他们强烈认为,2010三星将成为全球第一大半导体厂商,而英特尔将不像现在这样重要。 相似文献
105.
106.
由于通常采用圆形孔径加工光学系统,故可将单横模输出的半导体激光器发出的椭圆高斯光束近似为圆高斯光束,提出了对半导体激光器出射光束用轴对称光学系统进行处理的方法。并通过计算有限孔径的高斯光束有效菲涅尔数,确定了只要选择合适的孔径和距离,可以将几何光学的一些方法引入到高斯光束的处理问题中。实验中用视频激光光束检测仪对准直后的光束进行了测试,通过计算得出准直后的发散角被很好地控制在1mrad以内,从而验证了理论的可行性及准直系统的实用价值。 相似文献
107.
介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。 相似文献
108.
喷涂热分解法制备掺锑SnO2电热膜的工艺及电学性能的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了热喷涂分解法制备Sb:SnO2电热膜的工艺及基体对电热膜电学性能的影响,并讨论了该膜的电阻温度系数的变化.实验表明:喷涂工艺对掺Sb的SnO2电热膜的电学性能有很大影响. 相似文献
109.
戴英杰 《吉林工程技术师范学院学报》2007,23(9):63-64
Sio2薄膜是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文主要介绍Sio2薄膜在各种传感器中的应用,并对该材料的发展趋势进行展望。 相似文献