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81.
随着中美战略竞争加剧,美国意图重组全球半导体产业链,以减少产业对华依赖,并限制中国科技的发展。由于韩国是美国同盟中电子信息科技发展水平最高的国家,韩国的政策选择将影响美国全球半导体战略。本文借用“非对称依赖”的概念,提出分析三边关系下国家间非对称依赖程度的框架。在两个大国竞争的背景下,中等国家对某一大国的非对称依赖程度,取决于另一大国能否提供替代方案。韩国半导体产业在芯片设计软件、知识产权核、制造设备等领域高度依赖于美国,而中国难以在高端设备和技术方面提供替代方案,因此,韩国对美国的非对称依赖程度高。另一方面,韩国半导体产业虽依赖中国市场和原材料,但美国及其盟友一定程度上具备提供替代方案的潜力,韩国对中国的非对称依赖程度有限。在中美科技竞争的背景下,韩国对大国的非对称依赖导致其短期内陷入两难;为了避免长期的战略脆弱性,韩国已有意推动产业渐进式对华脱钩。同时,韩国也期望通过深化与美国的产业合作,加强与美国的战略关系,扩大自身在全球产业链中的作用。 相似文献
82.
罗红宇 《吉林工程技术师范学院学报》2004,(12)
研制一个可同时对 200只器件进行老化的实验台,老化电流由程序控制,在 0~2A内可调,电流稳定度优于 0 1%。采用PID控制器对器件进行温度控制,温度波动范围在 1摄氏度内。 相似文献
83.
李慎 《电子科技大学学报(社会科学版)》1997,(5)
从UIbrbach关于半导体吸收频谱曲线在光热作用下要发生“红移”的理论和Eiry关于平行吸收介质对光能的吸收理论出发,用计算机模拟了在CdS热光光学双稳态中的横向空间效应,理论计算与实验结果相吻合。通过计算确定了室温下微米量级CdS晶片-热光OB阵列的点阵密度可以达到104/cm3。 相似文献
84.
本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中,晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位离子半径大、B位离子变价还能能力强的材料,如BaTiO3、BaSnO3通过施主掺杂或还原气氛凝结,易得到n型半导体。相反,如SrTiO3、CaTiO3、BaZrO3实现n型产导化较为困难,对SrTiO3,若在施主掺杂同时辅以还原气氛烧结,可造成氧缺位实现n型半导化。PbTiO3的晶格结构因素本有利于n型半导化,但由于Pb易辉发而具P型导电性,故通常要采取抑制Pb挥发的措施。 相似文献
85.
本文测量了GaAs薄膜的瞬态反射谱和透射谱,计算了其复介电常数、复折射率的瞬态变化,发现瞬态透射谱主要反映了样品吸收的变化,而瞬态反射谱则同时受折射率和吸收变化的影响。 相似文献
86.
2011年,以芯片为核心的整个日本半导体产业呈现出继续下滑趋势,其全球产值占比已经跌破20%大关,降至18.9%的历史最低点(HIS iSuppli)。回首上世纪八十年代,日本半导体产值曾占据全球市场的半壁江山,峰值为1988年的51%。那么,什么原因致使雄居世界的日本半导体产业陷入了持续衰退?日本半导体产业是否还具有竞争力?本文将结合日本半导体产业的最新发展动态及其战略动向研究这些问题。 相似文献
87.
林兰英院士(1918—2003)1948年8月赴美留学,1957年1月回国半导体材料科学家、物理学家。牵挂亲人 在美国八九年的生活,林兰英称得上是一帆风顺。所遇到的怪事、难事,在她的运筹和努力下,都一一地烟消云散了。但有一事令她牵肠挂肚,那就是远在太平洋彼岸的家人。 相似文献
88.
89.
一、发光二极管发展现状及特点 发光二极管通常也叫光发射二极管(LightEmitting Diode,简写为LED)是一种可将电能转变为光能的半导体发光器件,属于固态光源.是继白灯、荧光灯和高压放电灯之后的第四代光源.LED在20世纪60年代初期问世,当时的LED以红色为主,发光效率很低,光通量很小,只能作指示灯和仪表显示器使用. 相似文献
90.
<正>纸质文件通过扫描仪扫描,转换成数字图像,用于存储与交换,首先遇到的问题就是扫描分辨率的设置。对于大多数办公室人员来说,分辨率属于新概念,与半导体光电转换、信息处理等现代科技相关联,比较难于理解和运用。因此,多数办公室人员虽然会操作扫描仪,能够完成扫描过程,但是他们的扫描对象往往限于形态划一的现行文件。 相似文献