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41.
曲喜新 《电子科技大学学报(社会科学版)》1996,(Z2)
高Tc超导薄膜研究的新进展曲喜新(电子科技大学信息材料工程学院成都610054)【摘要】对近几年来在高Tc超导薄膜及其应用方面的进展情况给以扼要论述,同时指出在实用化方面尚存在的问题。在其进展中,着重讨论了薄膜的制造技术、超导特性及其表面电导。目前高... 相似文献
42.
郑乔 《石家庄铁道学院学报(社会科学版)》1994,(4):107-111
求解薄膜介质的反射率和透射率,许多教材采用的是菲涅耳干涉理论本文介绍另一种方法-特征矩阵法。此方法在求解薄膜介质的光学特性,尤其是多层膜的光学特性,在计算上比前者方便,而且,光在介质中传播时,能量守恒的思想就孕在其中,物理图象也很清楚。 相似文献
43.
在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。 相似文献
44.
为了制造一种新型气敏传感器,研制了二氧化锡超微粒薄膜,并对其结构作了研究。此外,还估算了它的内表面积。 相似文献
45.
46.
通过多次纺丝与退火工艺在普通玻璃载玻片上制备ITO透明导电薄膜,研究了退火工艺对薄膜表面形貌的影响。结果表明:退火不仅提高了ITO颗粒的洁净程度,同时减小了其在薄膜表面的粒径分布。多次纺丝与退火可以提高ITO颗粒的覆盖密度,得到致密性比较好、表面缺陷比较少、表面粗糙度比较小、均匀平整的透明导电薄膜。 相似文献
47.
采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜,然后在不同温度下对其进行退火处理.利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征技术,研究了制备备件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响.研究结果显示.当氧气分压为50%时,可以制备出质量较高的SnO2-x纳米薄膜.当退火温度从450℃升高到550℃.样品的电阻率降低.退火温度500℃的样品在工作温度225℃时,对乙醇有较高的灵敏度.灵敏度达67%,对丁烷的灵敏度不高. 相似文献
48.
用磁控溅射技术在室温下制备了纳米Cu夹层ZnO薄膜,经X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜的结构、光学性质和电学性质进行了测试.发现该薄膜随着Cu层厚度增加,ZnO层结晶性变差,可见光区域光学透光率减小,透射曲线蓝移,面电阻先迅速下降后缓慢下降.随着ZnO层厚度增加,薄膜c轴择优取向明显,压应力逐渐减小,光学透光率先增大后减小,面电阻随ZnO层厚度增加略有变化. 相似文献
49.
50.
采用准分子激光淀积外延YBCO超导薄膜,成功地研制出高T_c超导薄膜带状线谐振器,在77K时测试,谐振频率为8.56 GHz,无载品质因数为8400,超导薄膜微波表面电阻为600μΩ。 相似文献