TiNi和TiNiCu记忆合金薄膜的温度记忆效应研究

在形状记忆合金的相变过程中,如果温度升至TS后停止升温,并降温至马氏体相变结束温度Mf以下,则在下一次完全相变循环中出现动力学停顿,而这一动力学停止温度点与上次的停止温度密切相关,这一现象被称为温度记忆效应。该文通过示差扫描量热法对TiNi和TiNiCu合金薄膜进行一次或连续几次不完全相变,系统地研究了温度记忆效应。结果表明,不仅温度记忆效应是形状记忆合金固有现象,而且温度记忆效应与马氏体变体间的弹性能及母相和马氏体相之间的共格应变密切相关。     

稀土对材料强韧性的影响及细观机理探讨

通过对钝切口小试样在扫描电镜下的加载观察与分析，认为稀土Ce能较大幅度地提高Al－Mg－Si变形铝合金的起裂COD值。细观分析表明，与平面应变断裂情况不同，稀土不是通过影响粒子形态进而对裂纹产生屏蔽效应来提高材料的宏观断裂性能，而主要是强化了晶界，迫使裂纹转向晶内并在裂尖产生较大的塑性变形，消耗更多的能量。     

硅酸盐体系电解液组成对铝合金微弧氧化的影响

利用正交试验试验研究了硅酸盐体系的组成和组分浓度对6063铝合金微弧氧化陶瓷膜层的生长速度的影响.结果表明,既能够使陶瓷膜层快速生长,又能够保证膜层质量的电解液适宜配方为硅酸钠8 g/L、氢氧化钠2 g/L、钨酸钠1 g/L、EDTA二钠2 g/L;氢氧化钠浓度超过2.5 g/L时会产生局部烧蚀现象.     

非晶合金及其制品在国内外专利现状分析

非晶合金及其制品以其独特的制备技术以及长程无序的原子结构,使其具有优于硅钢的特殊性能而应用于各个领域.但是该领域的专利申请量与其他合金相比数量甚少,在国内外申请情况也存在差异.本文对该领域的专利申请情况进行了分析,最后指出了该领域在知识产权保护意识方面所需重视的几个问题.     

铸件壁厚对ZL101铝合金组织和力学性能的影响

本文针对壁厚不同的ZL101铝合金铸件,研究了合金组织中α(Al)和共晶Si的形貌、尺寸及分布状况,并对其力学性能进行了测试.试验结果表明,随着壁厚的减小,α(Al)晶粒不断细化,二次枝晶臂间距逐渐减小;共晶硅等效直径减小,且由长针片状变为细小颗粒状,分布更均匀;力学性能随壁厚的减小而提高.     

真空蒸发碲化物薄膜光电性能的研究

采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，说明了在基片温度为１３０℃左右下制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，并得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右时制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。     

化学镀Ni－Cu－P合金的研究

研究了化学镀Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金的工艺，对镀液的稳定性和镀层的性能进行分析研究．获得含Ｎｉ８３．３１％、Ｃｕ４．０８％、Ｐ８．５９％均匀无针孔的镀层；镀层的结合力、耐蚀性良好；经热处理后镀层的硬镇达到９９３．４ＨＶ．     

Ml1一xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)充放电性能的研究

通过对已活化的Ml1-xMmx(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)合金进行30次大电流充放电循环并测试循环后的放电容量来研究Ml Mm比例及粘接剂对其充放电性能的影响.结果表明MlMm比例和及粘接剂对合金充放电性能有显著影响.按充放电制度300 mAh/g×1.2 h,放电截止电位为-0.60 V(vs.Hg/HgO)进行30个循环后,Ml0.7Mm0.3(Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.)对应的合金容量衰减最少,放电容量平台的平均值最高,其C1/Cmax值为72.98%(Cmax最大放电容量C1 30次循环后的放电容量),放电容量平台的平均值为80.55 mAh/g.使用PVA做粘接剂相比CMC做粘接剂,合金的高倍率充放电性能循环稳定性要好.     

钛合金电子束焊接接头疲劳试验数据统计分析

本文利用国际焊接学会推荐的统计方法，对BT20钛合金电子束焊接接头焊态和焊后电子束局部热处理两种试样的疲劳试验结果进行了统计处理与分析．结果表明：对于BT20钛合金母材和电子束对接接头可以按铝合金参考FAT80级S—N曲线进行疲劳设计．建议在对BT20薄板进行电子束焊接和电子束局部热处理时应采取必要措施，以保证将焊接变形控制到最小程度，从而提高其疲劳强度．     

二价锡离子稳定剂的研究

详述了二价锡离子稳定剂的筛选方法和过程，将筛选出的最佳抗氧剂Ｑ组成配方用于铝及其合金的氧化着色过程。