SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。     

熔渗反应法制备金刚石/SiC复合材料

为制备金刚石/SiC复合材料,采用熔渗反应法,在真空环境和烧结温度为1500 -1 600℃的条件下进行制备。 分析了复合材料的致密度、硬度和在不同温度下的干摩擦磨损性能。结果表明,熔渗反应工艺制备的复合材料致密度 高,烧结温度为l 550℃时得到的复合材料的硬度最高。反应烧结金刚石/SiC复合材料常温下的耐磨损性较好,但600 ℃下的磨损性能显著恶化     

C(3Pg)+SiO(X1∑+)体系的反应碰撞轨迹

使用经典轨迹法研究了反应C(3Pg)+sio(X1∑+,V=0,J=0)碰撞轨迹.碳化硅合成反应C(3Pg)+SiO(X1∑+,V=0,1;J=0)→SiC(X1∑+)+O(3Pg)存在阈能,反应截面存在一个极大值和最佳反应能量.在SiC最佳产率区,通过反应物的振动激发并不能使SiC产率明显提高,基态下SiC合成反应的最佳能区为该反应的最佳产率区.