ZnO/AlN复合压电薄膜的研制

各种超高频电子整机需要高性能的表声波压电器件。介绍了新的压电薄膜——ZnO/AIN复合压电薄膜的制速、结构和性能,并给出主要研制结果。     

Ta-Ta_2O_5-半导体系統的失效机理Ⅰ.氧离子迁移引起的失效

本文从Ta_2O_5的微观分析出发,提出了系统的物理模型。根据这个模型,论述了系统的失效机理。联系实际系统中的常见缺陷,分析讨论了它的早期失效机理。     

高Tc超导薄膜研究的新进展

高Ｔｃ超导薄膜研究的新进展曲喜新（电子科技大学信息材料工程学院成都６１００５４）【摘要】对近几年来在高Ｔｃ超导薄膜及其应用方面的进展情况给以扼要论述，同时指出在实用化方面尚存在的问题。在其进展中，着重讨论了薄膜的制造技术、超导特性及其表面电导。目前高...     

二氧化锡超微粒薄膜的结构

为了制造一种新型气敏传感器,研制了二氧化锡超微粒薄膜,并对其结构作了研究。此外,还估算了它的内表面积。     

对提高纸介绝缘的工作电场强度的研究

1.前言在现代工程技术上的多数场合,应用某种电容器的可能性,不但决定于该种电容器的电气性能,而且决定于它的体积、重量和价格。所以应当尽可能地以最小的体积和重量,即是以最低的成本,求得电容器的必要的电气性能。这样,要确定某种电容器的经济特性是否优良,通常应用电容器的体积和它的某种电气性能的比率特性:即是电容器的单位电容量、能量或无动功率的体积(1)。     

对氧化膜电阻和电解电容器漏电流的计算

在设计电解电容器时,需要计算它的各种电性能;但是到目前为止,该种设计计算还远不能符合电解电容器的实有性能。因此,本文对漏电流的计算问题,进行了探讨。在电解电容器的有关文献和手册上,经常提到用公式 I=KCU+m 计算它的漏电流;并且在元件手册上,对各种电解电容器的 K 值,作出了规定。但是却未见到对该式来源及其规定 K 值的说明。因此,为了设计的需要,本文给出了说明。