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在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。 相似文献
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我们用高温熔融和空气中碎火的方法制取了非晶 Ge-S 块状材料,又以该材料为蒸发源材料,用热蒸发方法制备非晶 Ge-S 薄膜。对不同配方比的薄膜进行了光、电性能测试并分析和讨论了测试结果,得出了光学禁带宽度与硫含量的关系。 相似文献
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本文介绍利用自己改制的直流磁控溅射设备淀积非晶硅薄膜的一些结果。与普通溅射方法相比,本设备的优点是:溅射电压大大降低,而淀积速率提高很多。初步研究了所得薄膜的光学和电学性能。用透射法测量了吸收系数光谱曲线,并从(ahv)~(1/2)与hv关系图求得光学禁带宽度为1.45eV。另一方面,测量了直流电导率与温度的关系以及交流电导率与频率的关系。结果指出,在室温下该薄膜的电导主要由带尾局域态决定。 相似文献
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