磁参数对六角铁氧体RAM温度稳定性影响

从磁参数（饱和磁化强度,磁晶各向异性场）温度稳定性出发,对六角铁氧体ＲＡＭ的温度稳定性进行了讨论;通过对Ｍ、Ｗ型六角铁氧体在温度ｔ＝１８～１００℃,频率ｆ＝８～１２ＧＨｚ时吸收率Ｒ（Ｒ～ｆ）的温度稳定性和材料起始磁导率μ1随温度的变化曲线（μ1～ｔ）的测试,得到单轴六角铁氧体材料Ｒ～ｆ的温度稳定性优于平面六角铁氧体材料,并且和材料的μ1～ｔ变化规律吻合较好的结果。