宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

我国高校图书馆馆藏数字化法律问题研究

网络技术的迅猛发展以及电子化图书的便捷,使得高校图书馆馆藏数字化必将是高校图书馆未来发展的方向。目前我国高校普遍存在外购的电子图书产品多、特色馆藏资源少、馆际合作少且资源重复投资等问题。由于我国著作权相关的法律对合理使用权的范围、地域、方式都进行了较为严格的规定,不能满足高校图书馆馆藏数字化发展的需求。我国版权法应借鉴美国《数字千年版权法》的做法,对＂合理使用＂的目的、地域范围、使用方式进行扩展规定,解除对图书馆数字化发展过严的限制,实现真正的资源共享。