| 4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备(英文) |
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| 引用本文： | 王守国,张义门,张玉明.4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备(英文)[J].电子科技大学学报(社会科学版),2003(2). |
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| 作者姓名： | 王守国 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所，西安电子科技大学微电子所，西安电子科技大学微电子所 西安 710071，西北大学电子系 西安 710069，西安 710071，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国防预研基金资助项目，编号:8.1.7.3 ~~ |
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| 摘 要： | 用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kW/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻rc为7.1×10-4 Wcm2。
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| 关 键 词： | SiC 离子注入 欧姆接触 方块电阻 |
Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation |
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| Wang Shouguo, Zhang Yimen Zhang Yuming.Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2003(2). |
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| Authors: | Wang Shouguo Zhang Yimen Zhang Yuming |
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| Institution: | Wang Shouguo1,2 Zhang Yimen1 Zhang Yuming1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide ion implantation Ohmic contact sheet resis tance |
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