运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究 |
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引用本文: | 刘向阳,张振龙. 运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究[J]. 鲁东大学学报, 2003, 19(1): 64-67 |
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作者姓名: | 刘向阳 张振龙 |
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作者单位: | 河南大学特种功能材料重点实验室,河南大学物理与信息光电子学院 河南开封 475001,河南开封 475001 |
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摘 要: | 对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.
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关 键 词: | 半导体 表面 界面 性质 表面光电压谱 场诱导表面光电压谱 |
文章编号: | 1004-4930(2003)01-0064-04 |
修稿时间: | 2002-07-25 |
Study on surface photovoltaic properties of semiconductor by surface photovoltage spectroscopy |
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Abstract: | |
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Keywords: | semiconductor surface interface properties surface photovoltage spectroscopy field-induced surface photovoltage spectroscopy |
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