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| AlN/Al2O3（0001）薄膜生长与吸附的表面界面结构研究 | |
| 引用本文： | 余毅,梁晓琴,黄平,冯玉芳,杨春.AlN/Al2O3（0001）薄膜生长与吸附的表面界面结构研究[J].电子科技大学学报(社会科学版),2013(5):784-786. |
| 作者姓名： | 余毅 梁晓琴 黄平 冯玉芳 杨春 |
| 作者单位： | 四川师范大学化学与材料科学学院;四川师范大学物理电子工程学院;四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50942025,51172150) |
| 摘 要： | 针对氮化铝异质薄膜的制备,构建了两种AlN/Al2O3(0001)材料生长模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了模拟计算。分析了AlN在表面的吸附位置及其表面界面结构,发现AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al—O键发生了30°的偏转,稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al—O层的驰豫,从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。 |
| 关 键 词： | AlN/Al2O3薄膜 计算机模拟 吸附生长 表面界面 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |