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| 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响 | |
| 引用本文： | 孙家讹,陈军宁,柯导明,代月花,徐超.多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响[J].电子科技大学学报(社会科学版),2006(6). |
| 作者姓名： | 孙家讹 陈军宁 柯导明 代月花 徐超 |
| 作者单位： | 安徽大学电子科学与技术学院 合肥230039 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60276042)，安徽省自然科学基金资助项目(01044104) |
| 摘 要： | 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。 |
| 关 键 词： | 多晶硅 量子效应 MOSFET 阈值电压 |
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