| ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 黎威志,季兴桥,阳秀,钟志有,蒋亚东.ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响[J].电子科技大学学报(社会科学版),2007(5). |
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| 作者姓名： | 黎威志 季兴桥 阳秀 钟志有 蒋亚东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院 成都610054 |
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| 基金项目： | 国防预研基金资助项目(51402040205) |
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| 摘 要： | 采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。
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| 关 键 词： | 氧化铟锡 有机发光二极管 表面能 表面改性 |
Influence of Surface Modification of IndiumTin Oxide on Performance of Organic Light Emitting Diodes |
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| LI Wei-zhi,JI Xing-qiao,YANG Xiu,ZHONG Zhi-you,JIANG Ya-dong.Influence of Surface Modification of IndiumTin Oxide on Performance of Organic Light Emitting Diodes[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2007(5). |
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| Authors: | LI Wei-zhi JI Xing-qiao YANG Xiu ZHONG Zhi-you JIANG Ya-dong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium tin oxide organic light-emitting diodes surface energy surface modification |
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