|
|||||
|
|
| C(3Pg)+SiO(X1∑+)体系的反应碰撞轨迹 | |
| 引用本文： | 陈泽琴.C(3Pg)+SiO(X1∑+)体系的反应碰撞轨迹[J].西华师范大学学报(自然科学版),2009,30(3). |
| 作者姓名： | 陈泽琴 |
| 作者单位： | 西华师范大学化学化工学院,四川,南充,637009 |
| 基金项目： | 重庆市科学技术基金资助课题 |
| 摘 要： | 使用经典轨迹法研究了反应C(3Pg)+sio(X1∑+,V=0,J=0)碰撞轨迹.碳化硅合成反应C(3Pg)+SiO(X1∑+,V=0,1;J=0)→SiC(X1∑+)+O(3Pg)存在阈能,反应截面存在一个极大值和最佳反应能量.在SiC最佳产率区,通过反应物的振动激发并不能使SiC产率明显提高,基态下SiC合成反应的最佳能区为该反应的最佳产率区. |
| 关 键 词： | 分子反应动力学 平行络合反应. |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |