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基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
引用本文:马建国,韩磊,谢李萍,汪金铭.基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计[J].电子科技大学学报(社会科学版),2006(Z1).
作者姓名:马建国  韩磊  谢李萍  汪金铭
作者单位:电子科技大学电子工程学院 成都610054(马建国,谢李萍,汪金铭),电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054(韩磊)
摘    要:提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。

关 键 词:射频前端系统    低噪声放大器  混频器  第二级低噪声放大器  本振

A Design of 12 GHz Silicon Monolithic RF Front-End Receiver
MA Jian-guo HAN Lei XIE Li-ping WANG Jin-ming.A Design of 12 GHz Silicon Monolithic RF Front-End Receiver[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2006(Z1).
Authors:MA Jian-guo HAN Lei XIE Li-ping WANG Jin-ming
Institution:MA Jian-guo~1 HAN Lei~2 XIE Li-ping~1 WANG Jin-ming~1
Abstract:A 12 GHz monolithic silicon bipolar receiver for digital video broadcasting via satellite(DVB-S) is presented.The receiver is based on a superheterodyne architecture.Which include Low Noise Amplifier(LNA), Mixer and second LNA(LNA2).All circuits are fabricated in Si process.This work reports the 12-GHz DVB-S monolithic receiver integrated in a low-cost silicon bipolar technology.
Keywords:RF front-end  Si  LNA  mixer  LNA2  local oscillator
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