| InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作 |
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| 引用本文： | 胡明,刘志刚,张之圣,王文生.InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J].电子科技大学学报(社会科学版),1999(5). |
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| 作者姓名： | 胡明 刘志刚 张之圣 王文生 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院!天津，300072 |
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| 摘 要： | 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω，乘积灵敏度达90～150V／A·T。
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| 关 键 词： | InSb薄膜 真空蒸发 霍尔元件 电子迁移率 灵敏度 |
Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element |
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| Hu Ming ,Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng.Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1999(5). |
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| Authors: | Hu Ming Liu Zhigang Zhang Zhisheng Wang Wensheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb thin films vacuum evaporation Hall element electron mobility sensitivity |
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