| 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取 |
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| 引用本文： | 陈勇,钟玲. 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 1997, 0(5) |
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| 作者姓名： | 陈勇 钟玲 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系(陈勇)，北京信息工程学院(钟玲) |
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| 摘 要： | 详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果进行了分析和讨论。结果表明，ＢＳＩＭ２具有精确、参数易提取、计算速度快的特点，是ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ模拟设计的重要工具之一。
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| 关 键 词： | 深亚微米；器件模型；参数提取；集成电路计算机辅助设计 |
Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2 |
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| Chen Yong. Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 1997, 0(5) |
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| Authors: | Chen Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | deep submicrometre device model parameter extraction integrated circuits computeraid design |
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