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| In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 秦国强,李静雅,赵茜,史凯鹏,张海军,王君.In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究[J].石家庄铁道学院学报(社会科学版),2017(4):88-91,108. |
| 作者姓名： | 秦国强 李静雅 赵茜 史凯鹏 张海军 王君 |
| 摘 要： | 利用第一性原理计算In和Ta掺杂SnO2的晶体结构、电子能带和态密度。结果表明In、Ta的加入,令费米能级上移进入导带,带隙值减小,红外吸收能力增强;当In和Ta掺入量相同(12.5%或25%时),表现为绝缘体性质;当In的含量一定,Ta含量的增加会提高结构热稳定性,且表现为金属性质。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 SnO2 掺杂 |
| 收稿时间： | 2016/8/29 0:00:00 |
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