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| 减少EUV光刻装置光学表面污染物的专利技术 | |
| 引用本文： | 孙宏.减少EUV光刻装置光学表面污染物的专利技术[J].决策探索,2018(4). |
| 作者姓名： | 孙宏 |
| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心 |
| 摘 要： | EUV光刻技术是光刻领域中非常重要的分支,在EUV光子以及工作环境中污染物的作用下,EUV光学表面极易被污染,会降低光学表面的反射率,并影响光学系统的寿命和曝光性能,由此减少光学表面污染尤为重要。文章将对污染预防技术和污染清除技术的专利技术进行梳理。 |
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