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运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究
引用本文:
刘向阳,张振龙.运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究[J].鲁东大学学报,2003,19(1):64-67.
作者姓名:
刘向阳
张振龙
作者单位:
河南大学特种功能材料重点实验室,河南大学物理与信息光电子学院 河南开封 475001,河南开封 475001
摘 要:
对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.
关 键 词:
半导体
表面
界面
性质
表面光电压谱
场诱导表面光电压谱
文章编号:
1004-4930(2003)01-0064-04
修稿时间:
2002年7月25日
Study on surface photovoltaic properties of semiconductor by surface photovoltage spectroscopy
Abstract:
Keywords:
semiconductor
surface
interface
properties
surface photovoltage spectroscopy
field-induced surface photovoltage spectroscopy
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