| 扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压 |
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| 引用本文： | 陈星弼,曾军.扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压[J].电子科技大学学报(社会科学版),1992(5). |
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| 作者姓名： | 陈星弼 曾军 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子所
成都610054(陈星弼)，电子科技大学微电子所 成都610054(曾军) |
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| 摘 要： | 采用以结深r_j及qN_Br_j~2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。
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| 关 键 词： | 扩散平面结 电场 结电压 耗尽层 击穿电压 |
FIELD PROFILE AND BREAKDOWN VOLTAGE OF THE DIFFUSED PLANAR JUNCTIONS UNDER REVERSE BIASING |
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| Cheng Xingbi Zeng Jun.FIELD PROFILE AND BREAKDOWN VOLTAGE OF THE DIFFUSED PLANAR JUNCTIONS UNDER REVERSE BIASING[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1992(5). |
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| Authors: | Cheng Xingbi Zeng Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diffused planar junctions electrical field junction voltage depletion layer breakdown voltage |
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