大功率IGBT参数建模与仿真分析

介绍了绝缘栅双极性晶体管的模型分类及常见的电力电子仿真软件,并分析了各自的特点.针对2 kV/2 kA全固态调制器组件设计中使用的大功率绝缘栅双极性晶体管(3.3 kV/1.2 kA),根据具体参数,建立了基于Saber的行为模型.重点分析了该模型的静态和动态特性仿真表现.通过对比手册参数曲线和实际测量结果,验证了该大功率绝缘栅双极性晶体管模型的有效性,为大功率脉冲电路的进一步分析和优化设计提供了参考.     

大功率微波发射机控制与保护系统的研究

介绍了高可靠性和复杂的大功率微波发射机控制与保护系统工作原理、结构、控制与保护逻辑设计和基于状态表设计法的可编程序控制器（PLC）软件设计方法与技术等内容;提出了在大功率微波发射机控制与保护系统中,使用可编程序控制器PLC来改善控制保护系统的性能;给出相应的系统结构。     

PWM变频调速的逆变器研究

本文首先介绍了由单片机 Intel 8031控制模块 HEF 4752 V组成的 PWM 触发电路。重点研究了由大功率场效应晶体管 VMOS 构成的逆变器开通,关断工作过程中的特点,并且给出了在 AO2—7112型异步电动机上的实验结果。     

新型功率MOS器件

新型功率ＭＯＳ器件主研人员：陈显据李鳖击偷永康张波李平赵建明等研制出的四种晶体管是：１）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ），并已设计定型，其技术指标：１０～２０Ａ／１０００～１２５０ｙ，ＴＯｆｆ＜０．１８ｏｎ；２）横向绝缘晶体管（ＬＤＯｇｒ）技术指标为Ｔｏ...     

晶体管稳压电源的过流保护

本文介绍串联型晶体管稳压电源的过流保护原理及限型、截止型的各类典型电路及主要件参数的调整规律。     

国电南自：实施全过程质量管理

国电南京自动化股份有限公司是电力系统现代继电保护专业领域的先驱者,曾经创造出中国第一套晶体管保护、第一套集成电路保护、第一套微机保护、第一套750kV继电保护、第一套实用的电力数字式光电互感器、第一套基于IEC61850标准的数字化变电站自动化系统。     

晶体管的小型化与科技进步

当代信息技术的迅猛发展得力于晶体管的小型化,而晶体管的小型化又依赖于科技进步。从分立晶体管的三个发展阶段———点接触晶体管,扩散平面型晶体管和金属—氧化物—硅晶体管,到集成电路再到今天全新结构的万亿赫兹纳米晶体管,小型化这条红线贯穿始终,它的每一步都离不开科技发展的事实,晶体管小型化与科技进步紧密相连。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

微波毫米波辐照对生物体血液系统的影响

介绍了微波毫米波的生物医学效应，观察了大功率微波对生物体外用血像的损伤作用和低功率毫米波的治疗作用，发现大功率微波照射对血液粘度、红细胞聚集性和变形性、血小板聚集性有严重的杀伤作用，而低功率毫米波对特定部位的有效照射能够对白细胞和骨髓细胞产生保护作用，能减轻化疗和放疗期白细胞的下降，提高机体对化学药物治疗和放射剂量的承受力。     

微波振荡器相位噪声的非线性电流源分析法

提出了一种微波场效应晶体管振荡器相位噪声新的分析方法,该方法利用非线性电流源法分析振荡器基波和各次谐波的稳态响应和相位噪声特性,把稳态响应分析与相位噪声分析有机统一起来,便于微波振荡器综合性能的ＣＡＤ 优化设计。经验证,计算机辅助分析结果与传统分析方法的结果相一致,证明了该方法的正确性     

晶体管小信号模型

本文讨论了晶体管的小信号模型，阐述了晶体管模型选取和建立过程中应注意的问题。     

开关线性复合机理的柔性波形功率放大技术研究

研究了一种基于开关线性复合机理的柔性波形功率放大技术。该技术将开关功率放大技术与传统线性功率放大技术有机结合,开关级功率输出包络只作为末级线性功率单元的供电电源以确保系统效率,同时借助于线性功率单元的高阻抗输入、低阻抗输出特性以保证系统输出品质。与传统线性功率放大技术相比,开关线性复合功率放大技术系统输出可兼顾高效率与优波输出的综合静动态特性,对电路的建模分析、参数设计和系统性能评估提供了理论依据,理论分析与仿真结果为实验研究奠定了基础。     

按温度比例因子的低温双极晶体管优化设计

提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频率的优化结果,给出了这些参数在按温度比例因子规则设计时温度比例因子的变化参数。     

BUCK变换器中的电压尖峰问题

本文详细地分析了BUCK变换器中主功率管及续流二极管上电压尖峰的产生原因及过程,并在此基础上提出了独特的解决措施。     

基于多重网格方法的快速电源网格分析法

以电源网络节点之间的电气距离为基础,应用多重网格方法,提出了一种快速的电源网格分析器;设计了一个简单的限制和插值方案,速度收敛可以通过电气距离阀值和前/后段滤波迭代次数来控制。基于电源网格节点间电气距离方案的特点在于直观、简单、易于实现,实验结果较好地证明了该方法的可行性。     

几种全固态刚管调制器的对比

随着固态开关器件串并联技术的发展,采用多个全固态开关管串并联实现大功率全固态刚管调制器的技术越来越成熟.文中介绍了近年来大功率全固态刚管脉冲调制器的发展情况,分析了各种类型的刚管调制器特点和关键技术,给出了几种调制器的典型波形,分析了各自的应用场合,同时对各种调制器的优势进行了总结,对应用前景进行了展望.     

神经功能保护治疗仪的压控恒流源电路的研制

本文设计的单极性输入双极性输出压控恒流源电路是神经保护治疗仪的重要组成部分,它由CPLD电路产生极性相反的脉冲控制三极管组成的电流换向开关来选择输出极性。其V/I转换系数、带负载能力(包括输出电流的大小及负载电阻的大小范围)可以通过合理设计电路参数来实现,实验证明,该恒流源电路具有良好的线性和电气安全性,能很好的满足神经功能保护治疗仪的要求。     

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。     

一种优化电路设计的新算法

提出了一种不仅能优化电路元件参数,还能优化电路结构的优化电路设计的新算法。在被优化的电路元件参数发散时,本算法能自动地修改电路结构,使优化过程能继续进行;当参数优化收敛,但目标函数仍不满足预定要求时,可以自动地增加一些元件,从而改进目标函数值。根据这一算法用FORTRAN语言编制的优化程序,在Dual-68000微机上对晶体管的等效电路进行了优化处理,得到了更为接近实测特性的等效电路,从而证明了本算法的有效性。     

空间碎片损害法律责任的类型划分

当空间碎片造成损害,需要处理相应的责任问题时,应当根据具体的损害情形和适用法律的不同,将损害责任划分为不同的类型。其中包括纯粹国际法上的损害责任、纯粹国内法上的损害责任,以及国际法和国内法竞合型的损害责任。正确划分空间碎片损害责任的类型,对于最终确定法律责任具有重要影响。