含半无限界面裂纹压电材料反平面问题的基本解

研究了含半无限界面裂纹的两个横观各向同性压电材料组成的二维固体，将位移函数和电势函数分别用两个满足控制微分方程的级数表示，得到了在反平面状态下的变形和平面内电场作用下电弹场的基本解，为数值解法求应力强度因子提供了基础，并且得到了场强度因子，结果表明，在裂尖，电场强度、应变、应力、电位移均具有奇异性。     

里德堡氢原子在静电场和金属表面附近光电离显微的研究

运用半经典理论和静电成像的方法,首次对里德堡氢原子在静电场和金属表面附近的光电离显微进行了研究.首先根据静电成像的方法给出了体系的哈密度量,并且推导出了电子几率密度的计算公式.研究结果表明:由于金属面和静电场的共同作用,有多条从原子出发的电子轨迹会到达探测平面上一点处,由于电子波之间的干涉,放置在垂直于电场平面上的探测器将探测到一系列电子几率密度的振荡干涉图样.电子几率密度的振荡干涉图样敏感地依赖于标度电场和体系的标度能量变化.不同类型的电子运动轨迹对电子几率密度有不同程度的贡献.这些计算结果对未来实验上研究里德堡原子在外场和表面附近的光电离显微可以提供一定的参考价值.     

平面闭合线电荷的电场分布

根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论     

突变平面結表面电場的近似公式

迄今为止,对于单边突变的平面结边缘上的表面电场,在文献中均采用圆柱坐标的对称解。尽管如此,它其实并非严格的解。本文发表了以有限元方法解此电场的计算机数值解结果。结果均以归一化的形式表出。在这个归一化的表述中,解答只决定于一个参量—ξ_i。它代表冶金结深对理想平面结耗尽区宽度之比值。利用计算机计算的结果,我们给出了0.01≤ξ_i≤0.2这一常用情形的经验公式。此外,证明了簿氧化层在通常情形下对解答无严重影响。     

波导宽边辐射纵缝中的场分布

本文研究在平面缝阵中,馈电缝在波导中激励的高阶模场对相邻辐射纵缝中电场分布的影响,以便精确控制口径分布。用矩量法求解积分方程,导出了计算公式,并给出实例的计算结果和验证的方法。     

扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压

采用以结深r_j及qN_Br_j~2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。     

半平面压电复合介质中的螺位错

研究了半平面压电复合介质中螺位错的性能。使用复变函数理论和虚拟镜像原理，得到了螺位错产生的电弹场和作用在位错上像力的解析表达式。作为特例，计算了由横观各向同性压电材料和非压电材料组成的半平面复合介质中螺位错的像力，结果表明，位错总是被自由边界所吸引，而位错被界面吸引还是排斥依赖于非压电材料的弹性常数与压电变硬的材料常数的相对值。     

无限长偏心金属圆柱壳间电容和电场分布的研究

论述了利用保角变换法求解两无限长偏心金属圆柱壳的电容及金属圆柱壳间的电场分布的解析方法，并给出了相应的电场分布的解析函数表达式和电容计算式。     

碳纤维多向铺层板的雷达反射特性

提出一个计算雷达反射电场的传输矩阵方法。把碳纤维多向铺层板相邻层间的分界面两侧的电场用一个简洁的矩阵表示，并将相应的矩阵串接起来，可以方便地处理任意层数和任意纤维取向的反射问题。数值计算结果显示反射率随入射电场的极化变化很小，说明不同铺层互相补偿了各向异性，可使碳纤维部件的场计算问题得到简化。     

一类具有非线性源的半线性椭圆方程正解的对称性

利用一类函数在零点附近的凹性和可积性，用移动平面法给出了一类具有非线性源的半线性椭圆方程正解的对称性。