VHF高压双栅功率MOS及CAD程序

主研人员:唐茂成 曾军 李肇基 根据自行设计的特殊的叉指式结构,采用离子注入硅栅自对准工艺,研制出了耐压120V、工作频率100MHz、最大输出功率5W、功率增益为8.45dB的VHF双栅功率MOSFET.研制中借助于自行开发的二     

新型功率MOS器件

新型功率ＭＯＳ器件主研人员：陈显据李鳖击偷永康张波李平赵建明等研制出的四种晶体管是：１）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ），并已设计定型，其技术指标：１０～２０Ａ／１０００～１２５０ｙ，ＴＯｆｆ＜０．１８ｏｎ；２）横向绝缘晶体管（ＬＤＯｇｒ）技术指标为Ｔｏ...     

矩形槽微带线的特性

本文运用格林函数法及变分法分析了矩形槽微带线。首先由格林函数法建立变分表达式,然后由变分法求出矩形槽微带线的特性阻抗并给出了设计曲线。把空气微带线作为矩形槽微带线的一种特殊情况进行分析,证明了理论的正确性,计算了空气微带线的特性阻抗。计算结果与用其它方法得的结果相符并且计算速度快。     

800V、8A绝缘栅双极晶体管

主研人员:陈星弼 冯洁明 杨谟华 景惠琼 阎斌 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是本世纪80年代中期国际上出现的一种新型电力电子器件,具有易驱动和高速度等优点,是发展新型电力电子技术的基石。研制成功的IGRT的正向阻断电压优于800V(800～1200V)、     

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性

本文主要分析了砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的直流特性。分析表明,在低电压区基本符合肖克莱缓变沟道理论,但当电压增加到沟道内的载流子达到饱和漂移速度时,源-漏间的直流特性不能再用肖克莱的缓变沟道理论,必须进行二维分析。由于砷化镓的速度-电场特性具有(刀贝)的斜率,其源-漏间的直流特性要出现微分(刀贝)阻,通过对实际砷化镓肖特基势垒栅微波场效应晶体管的测量,观察了这一微分(刀贝)阻,并为测量 S_(22)大于1所证实。当漏电压进一步提高时,会出现栅流随漏电压的增加而增加,这一现象可用来研究碰撞电离,且具有较高的灵敏度。     

1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT

基于理论概括与实验研究,已经在N~-/N~+/P~+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。     

矩形栅慢波系统的理论与实验研究

为了克服单模近似法在分析矩形栅慢波系统高频特性时的局限性,采用了一种新的方法,即在表示槽区内的场时,保留其高次项,表为一无限本征驻波之和的形式,利用场匹配法得到其色散特性,进而求得耦合阻抗。然后针对矩形栅慢波系统进行了数值计算,并分析了金属栅的几何尺寸对系统高频特性的影响,以作为器件设计的参考。设计出3cm、8mm波段的矩形栅高频结构模型,进行实验测量,得到的实验值与理论值符合良好。     

RF功率晶体管结温电测误差的处理办法

一、前言 由于晶体管的一些参数是温度的强函数[1]、[2],因此它的结温Ti在RF功率放大器的分析和设计时是一个很重要的参数。对其结温进行检测的精度,直接影响到放大器分析和设计的准确性。 在各种功率晶体管结温(平均值)的测量技术中,电测法是最常用的,也是较为精确     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

超导晶体管

本文阐述了超导晶体管的工作原理,并以平面型超导晶体管为例介绍了几种器件的结构、制作和性能。     

低电平晶体管开关

本文对国产6晶体管作成的正常连接的共射开关、反向连接的“共射开关”以及反向共射连接的晶体管对开关,在低电平运用下开关的静态性能进行了分析和实验研究。     

单片化MOS模拟电路

本文讨论了全单片NMOS运放的集成和主要由它组构的单片化新型MOS模拟电路,并得到了相应的计算机模拟和集成结果。     

晶体管小信号模型

本文讨论了晶体管的小信号模型，阐述了晶体管模型选取和建立过程中应注意的问题。     

晶体管部分特性分析

本文运用半导体物理学有关知识,结合晶体管结构,对三极管的输入、输出特性曲线在原点附近做详细研究,并给出准确的曲线图．     

晶体管稳压电源的过流保护

本文介绍串联型晶体管稳压电源的过流保护原理及限型、截止型的各类典型电路及主要件参数的调整规律。     

晶体管的小型化与科技进步

当代信息技术的迅猛发展得力于晶体管的小型化,而晶体管的小型化又依赖于科技进步。从分立晶体管的三个发展阶段———点接触晶体管,扩散平面型晶体管和金属—氧化物—硅晶体管,到集成电路再到今天全新结构的万亿赫兹纳米晶体管,小型化这条红线贯穿始终,它的每一步都离不开科技发展的事实,晶体管小型化与科技进步紧密相连。     

晶体管多级放大器教学思考

晶体管多级放大器,是应用晶体管三种基本放大电路各自的特点,再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数,又要有合适的输入、输出电阻,并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强,学生感到难学,可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。     

晶体管温度传感器的特性研究

本文分析了晶体管温度传感器的非线性大小,它不但与工作点的选择有关,还与晶体管的工艺参数和结构有关。本文提出了提高互换性的途径。测试结果表明:在0～100℃温区内,最小非线性误差为0.2℃,互换性误差最大为5℃。