一类p.n.p.矩阵的谱性质

本文在[1]的基础上讨论了幂p.n.p.矩阵的谱性质。     

循环p.n.p矩阵与循环Fineny矩阵的表征

本文得到了一类判定循环p．n．p矩阵和循环Fineny矩阵的充要条件．     

Ag、N掺杂ZnS结构及光学性质的理论研究

本文基于密度泛函理论,采用第一性原理方法研究了Ag、N单掺杂/共掺杂的ZnS结构、能带及光学性质等,结果表明,Ag单掺杂后晶格体积增大,N单掺杂后的晶格体积减小,但二者均可使禁带宽度变窄。在Ag、N共掺杂体系中,Ag、N相邻时,晶格参数的变化较大,而非邻位掺杂时,带隙宽度更小,同时,N的2p态与Zn的3d态在价带深能级的局域化作用减弱,有助于光生电子的跃迁。光学性质计算表明,Ag、N非邻位共掺杂时,体系在低能区的介电常数虚部峰值较大,对可见光的吸收增强,预示掺杂后的ZnS有更好的光催化性能。     

硫酸钡、硫化锌和立德粉有机化改性的表面性质

利用不同浓度的油酸钠对硫化锌、硫酸钡和立德粉进行有机化改性,测定了改性样品的比表面、比孔容、平均孔半径的变化。研究了它们的吸附性质和润湿性质,结果表明:比表面和比孔容随浓度的增加而减少,孔分布有所变化。对水和环己烷的润湿热呈递减趋势,改性样呈疏水性。     

具有变系数的2n阶中立型微分方程正解的存在性

本文给出具有变系数Ｐ（ｔ）的２ｎ阶中立型微分方程 （ｘ（ｔ）－Ｐ（ｔ）_ｘ（ｔ－τ））~（２ｎ）+ｆ（ｔ,ｘ（ｔ－τ_1（ｔ））,...,ｘ（ｔ－τ_ｍ（ｔ）））＝０正解存在的若干个充分条件．本文结果部分地回答了文［１］提出的问题．     

群的n—伪正规子群

“本文引入了群的民;—伪正规子群的概念,并结合文[1]中n次方群及n次方闭群的概念和结果得到若干有益的绪论。     

钙钛矿锰氧化物A位掺杂研究进展

通过自发现巨磁电阻效应以来相关论文分析,总结了钙钛矿锰氧化物A位掺杂研究进展。主要包括这类物质的晶格结构、磁结构、双交换作用、公差因子效应及展现出的磁电性质等的研究进展。     

具有变系数的2n+1阶中立型微分方程正解的存在性

本文利用 Ｋｎａｓｔｅｒ不动点定理，Ｌｅｖｉ引理，给出具有变系数 Ｐ（ｔ）的 ２ｎ＋ １阶中立型微分 方程［ｘ（ｔ）－ｐ（ｔ）_ｘ（ｔ－２）］~（２ｎ＋１）＋ｆ（ｔ，ｘ（ｔ－τ_１（ｔ）），…，ｘ（ｔ－τ_ｍ（ｔ））＝０正解存在的几个充分 条件．本文结果部分地回答了文２１提出的问题．     

n—可解群的Hall定理

本文证明了如下结果: 设G是有限n—可解群,Π是一些素数的集合,若对任意p∈Π∩Π(G)都有(p,n(1—n))=1,则G是Π—可解群。由此可把可解群的Hall定理完整地推广到n—可解群。     

S掺杂锐钛矿TiO2电子结构的第一性原理研究

对完整锐钛矿TiO2晶体及S掺杂锐钛矿TiO2晶体电子结构进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过对能带、态密度的分析,发现在S掺杂后,O原子,S原子与Ti原子在导带区发生了强烈的相互关联作用,致使Ti原子3d轨道上的电子向S原子的3p轨道,O原子的2p轨道移动,使得导带向低能区移动,从而使TiO2的禁带宽度变小,吸收边红移.从而揭示了S掺杂导致锐钛矿TiO2晶体禁带宽度变小的机理.理论计算与实验结果基本相符.     

兴奋剂与反兴奋剂发展及道德启示

使用兴奋剂提高成绩,违背了奥林匹克精神,是严重违反体育道德的行为。在查阅相关文献的基础上,阐述了兴奋剂从最初的原始形式,到后来由于科学技术的发展,出现了众多化学合成制剂;从最初的默认使用兴奋剂,到如今人们所认清了兴奋剂带来的危害,WADA、各国家地区、各国际单项体育组织团结起来共同反对使用兴奋剂历史过程,以及在反对兴奋剂过程中道德约束所起到的独特作用。     

正当程序视野下国际体育兴奋剂处罚体系的发展

伴随着国际体育运动商业化的进程,兴奋剂成为困扰国际体育领域的重大问题。为减轻兴奋剂处罚体系多重性给运动员造成的负担,在国际奥委会的推动下,国际社会正进行着兴奋剂处罚体系统一化的努力。在这一进程中,应关注对运动员正当程序利益的保护,发挥国际仲裁院对个案的裁决及评价作用,推动各体育组织间的配合,使兴奋剂处罚体系更趋合理及法律化。     

含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.     

掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ·cm和270 ppm/℃。     

不同掺Al~(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3 浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3 掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。     

Gd掺杂对La0.67Sr0.33CoO3/La0.7Sr0.3MnO3微观磁结构的影响

采用固相反应法制备了系列样品La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0. 67)和La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)。通过磁化强度-温度(M-T)曲线,磁化强度随磁场变化(M-H)曲线,研究了Gd掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)CoO_3和La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3宏观磁性质和微观磁结构影响。结果发现它们的磁性质完全不同：La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3体系的磁化曲线随掺杂量增加,在低温下表现为铁磁到团簇再到反铁磁；La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3体系的磁化曲线在60K以下随温度进一步降低表现出快速上升的行为。这是由于Mn离子和Co离子具有不同的电子结构和自旋态。在La_(0.67-x)Gd_xSr_(0.33)CoO_3中是由于Gd次格子的顺磁性贡献引起的,并且Gd格子和Co格子之间的耦合很弱,甚至可以忽略；而在La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3中是由于Gd次格子的铁磁性贡献引起的,Gd~(3 )格子与Mn~(3 )/Mn~(4 )格子形成反铁磁排列,并且Gd格子与Mn格子之间的耦合很强。     

基于知识转移的合作创新风险传导研究

知识转移,是合作创新的必要过程,是决定合作创新成败的关键,但知识转移也为风险的传播与扩散提供了可能。为规避风险构建了基于知识转移的合作创新中的风险传导概念模型和数理分析模型,分析了风险传导的静态和动态要素,归纳了风险传导的客观性规律、依附性规律、方向性规律、叠加性规律和复杂性规律,并针对合作创新中的知识传导现象,提出要通过预防控制和过程控制两方面加强对风险传导的管理,降低风险传导发生的可能性,提高合作创新的效果。     

通电导线中的温度场分布

以现实生活中通有交流电为I=Iosinwt的导线和保险丝为模型，用数学物理方法来探讨导线和保险丝上温度场的分布。     

FAAS法测定硫酸中的铁和锌

本文建立了火焰原子吸收光谱法测定硫酸中铁和锌的方法。确定了最佳仪器工作条件和样品处理方法。在选择好的实验条件下,测定铁的特征浓度为0.014μg/mL/1％吸收;测定锌的特征浓度为0.002μg/mL/1％吸收。回收率分别为铁98.8％—103.4％,锌92.5％—98.6％。     

导电加热切削刀-工接触区的电传导模型及状态的研究

导电加热切削时,刀-工导电回路的状态与常规的电流回路有所不同。本文研究了导电加热切削刀-工接触区的电传导机理及特性,提出了刀-工接触区的一个电传导物理模型,分析了加热电流回路的动态特性,讨论了导电加热切削过程中的电物理现象。这对于研究导电加热切削的切削加工机理、刀具磨损机理和电热特性以及对导电加热切削实行状态控制将具有一定的指导意义。