Ta／Al复合薄膜性能及应用

铝含量为５０％的Ｔａ／Ａｌ复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜，但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该复合薄膜制出了功率负荷性能优良的中功率薄膜衰减器。最后，用ＸＰＳ分析了薄膜表面的化学组成。     

电视机自动增益控制电路动态特性测量

本文提出一种电视机自动增益控制电路动态特性简易测量方法.按照此法,只需在待测电视机前加一级可调衰减器,就能用常用电子仪器测出自动增益控制电路的动态特性,并以此为依据改善电视机相关电路的性能.     

PIN二极管在毫米波平面电路的应用—鳍线波导PIN二极管衰减器

本文叙述了适合毫米波段应用的一种衰减器,它是在波导中的鳍形线上加接PIN二极管构成的鳍线波导PIN二极管衰减器。文中介绍了鳍线波导的特性及设计方法,还阐述了PIN二极管的电调特性。最后,举例说明该种衰减器的结构及特性。     

行波管“冷参数”测试技术的研究

针对因螺旋线行波管慢波线的结构特殊,导致其管内输能机构和切断衰减器的反射系数不易测量的问题,提出了利用多点法对输能机构和切断衰减器的反射系数进行测量的方法,并讨论了测试中所用探针反射系数的测试技术。该方法具有无损伤、测试方便等优点,也可用于其他类似特殊结构反射系数的测量。     

用串联比较微波代替法校准微波衰减器时失配误差的计算方法

串联比较微波代替法在微波衰减测量中是一种熟知的方法;由于回转式衰减器的出现和迅速发展,这种方法有很好的前途。为计算校准精度,必需建立起完整的误差分析理论。国外文献中关于失配误差的分析,可作依据的只有 Beatty(1954)和 Schafer(1959)的两篇,但都不符合测量中的实际情况。本文处理了一种常见的测量系统:标准衰减器和侍测衰减器之间有中介网络的情形。给出了失配误差公式和计算例,指出:如果中间网络的电压驻波比甚大,即使它有颇大的衰减量,也不能减小失配误差;为减小失配影响,必须用低反射去耦设备。     

一种程控标准信号源的设计

介绍了用间接频率合成器（IS）、数字波形发生器以及程控衰减器等构成的标准信号源，该信号源只要加上功率放大器，即可实现电力检测仪表最先进的校验技术中的程控标准功率源。整个系统以单片机为控制核心，实现了频率、相位、幅值的数显及步进调整。     

多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究

多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团．在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象．最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。     

非晶CoZrNb磁性薄膜的研究

研究溅射条件和旋转磁场热处理对CoZrNb薄膜结构和性能的影响。结果表明 ,高的溅射功率和合适的氩气压强对非晶CoZrNb薄膜的形成有用 ,并且这些薄膜的矫顽力较小。旋转磁场热处理将改善薄膜的软磁性能 ,使得矫顽力进一步减小。对溅射条件对薄膜性能的影响机制和旋转磁场热处理改善薄膜性能的机制作了简要的讨论     

脉冲激光沉积法制备Zn0薄膜中衬底温度对Zn0薄膜结构的影响

采用溶胶——凝胶法制备高纯的靶材,利用PLD法生长薄膜,成功地在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,系统的研究了衬底温度对薄膜生长的影响。采用XRD对薄膜结构进行分析。XRD测试表明,大部分薄膜都具有高度的C轴择优生长取向性,只有衬底温度过高薄膜结构才发生改变。     

钕掺杂氧化锌薄膜的形貌表征与折射率测试

通过XRD和AFM分析了Nd掺杂ZnO薄膜的表面形貌,随着Nd掺杂量的增加,ZnO薄膜的结晶度变差,薄膜表面变得粗糙,晶格畸变增大。应用椭圆偏振仪测定了Nd掺杂ZnO薄膜的厚度及折射率,Nd掺杂量对ZnO薄膜的折射率有一定影响。     

双环模拟预失真功率放大器研究

研究了应用于WCDMA直放站中的基于模拟预失真技术的功率放大器。该预失真电路采用双环结构,通过二极管产生预失真信号,并利用两个可调衰减器和可调移向器来调节其幅度和相位,以此抵消功率放大器的三阶分量,改善输出信号的线性度。基于该预失真方法设计了10W功率放大器,其三阶失真分量改善了15dB,相邻信道功率比为-51dBc@40dBm。     

梦窗词“瘦”意象的美学意蕴

梦窗词的瘦意象丰富多彩。有人和动植物的瘦,也有无生命物体的瘦。梦窗还常把两个瘦意象组合起来,构成双瘦图。他的瘦意象组合,不仅有静态的,还有动态的,有的甚至还做反向运动,形成极大的反差。梦窗词瘦意象的广泛使用是时代审美风尚的表现。唐朝以前,瘦多被认为是消极的、病态的,诗文中极少使用。从中唐开始,人们已渐渐习惯于瘦,并在自然审美方面以瘦为美。宋人继承了唐人的这种审美意识并有所发展。梦窗词的瘦意象又是个人凄苦情怀的表现。他晚年贫病交加,身体消瘦。失去爱妾又让他痛苦不堪。物质与精神的双重压抑让他身心俱疲,形销骨立。因为自己瘦才对周围瘦弱的事物同病相怜。     

库仑磁作用定律的证明和局限性分析

根据安培分子电流学说,用密绕通电的细螺线管建立了理想点磁极的物理模型,获得了点磁极磁荷量与螺线管单位长磁矩的关系。通过对点磁极间相互作用的分析,证明了在理想条件下库仑磁作用定律只对直线型通电细螺线管才成立。效仿理想点磁极的物理模型,对实际磁针建立了分子电流细螺管的物理模型,并分析了库仑磁作用定律成立的条件。     

氮化铝(AIN)薄膜的光学特性研究

研究了宽禁带Ⅲ－Ｖ族化合物半导体氮化铝（ＡＩＮ）薄膜的折射率及其热光特性,采用棱镜──薄膜耦合装置和自动温控光波导测试仪,测出不同温度下氮化铝薄膜的波导特性,利用迭代法可得到ＡＩＮ的折射率与温度变化的关系,并首次测得了ＡＩＮ薄膜的热光特性。     

长周期光纤光栅薄膜传感器研究

采用耦合模理论建立了长周期光纤光栅薄膜传感器的理论模型，分析了其传感机理，并进行了实验研究，给出了初步的气敏实验结果．研究结果表明，光纤光栅包层外所镀敏感薄膜的光学参数(厚度和折射率)与传感器的灵敏度高低有直接关系，传感器的结构优化非常必要．长周期光纤光栅薄膜传感器具有薄膜传感器和光纤传感器的优点，具有广阔的应用前景．     

氮化硅薄膜热性能测试研究

提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。在Pt薄膜中通入直流电流后,桥面温度逐渐升高,最终达到稳定,在相同的电流输入下,微桥的热容、热导越大,桥面的温升越小。讨论了无效加热电阻和微结构加工工艺对测试精度的影响,并给出了提高测试精确度的方法。     

矩形薄板热屈曲时的平面温度应力问题

利用差分法,对处于温度场中的矩形薄板进行应力分析和热屈曲分析,从而得出矩形薄板受温度场作用时的应力分布.     

不同掺Al~(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3 浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3 掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。