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相似文献
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1.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了IMeVSi ̄+衬底加温注入Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和作为比较的GaAs晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明,在注入剂量比较小的情况下,两种晶体都只有很轻微的损伤;动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下,在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层,且GaAs中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格中的情形,根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程,并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了GaAs和Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格实验结果的不同。  相似文献   

2.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在350℃高温和室温下以不同剂量注入GaAs后的晶格损伤。在衬底加温注入下,观察到CaAs中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。  相似文献   

3.
本文在研究氢化物分子中A—H键键能变化规律的基础上,运用分子原子结构参数提出了一个新的A—H键键能计算公式:D0A-H=38.87Φ1+52.05Φ2+Φ3+32.5(Kcal/mol)[R=0.9993].用该式计算了34个氢化物A—H键的键能,其计算值与实际值较吻合.新公式物理意义明确,计算方便,可靠性强.  相似文献   

4.
本文的主要结果是:设G是D-圈圈,若存在某个t≤δ,使得任何t+1为的独立集X=(x0,x1,…),有∑d(xi)〉1/2(t+1)(n-1)则G是Hamilton图。  相似文献   

5.
基于快速循环退火的技术及经验,给出纳米晶化和增大有效法拉第角的理论公式,通过与实验结果比较能够很好地解释Al/Bi,Ga∶DyIG双层膜的磁光增强及温度变化特性等原因,同时发现在石榴石膜厚0.1~1.3μm范围内,双层膜法拉第角比单层膜增大了0.20度,居里温度降低到140~161℃范围,这一结果来源于多层膜界面效应及Al3+离子在四面体和八面体位对Fe3+离子的取代。有效法拉第角增大的原因是由于细的晶料和双层膜介面光干涉作用  相似文献   

6.
Bi代DyGaIG材料是新一代磁光存贮介质。文中用导纳矩阵法计算了多层结构磁光记录薄膜的光学特性,分析了记录层厚度和反射层厚度对记录性能的影响。从磁光记录过程的光和热效应相结合的角度提出了一个新的优化目标函数,并以此完成了Bi代DyGaIG/Al(Cr)/Glass多层结构磁光盘的优化设计。  相似文献   

7.
设a是大于1的正整数,p是奇素数.文中证明了:当a=2或者2|a时,广义Mersenne数ap-1的最大无平方因数Q(ap-1)满足Q(ap-1)>C(p/logp)2,其中C是可有效计算的绝对正常数.  相似文献   

8.
给出具有非线性时滞的双曲型微分方程定解问题2ut2=a(t)Δu+si=1ai(t)Δu(x,t-ρi(t))-f(x,t,u)-kj=1gj(x,t,u(x,t-σj)),u=0,(x,t)∈Ω×〔0,∞),其中(x,t)∈Ω×(0,∞)的解振动的几个充分条件.  相似文献   

9.
我们在讨论完全t部图的色等价问题时,需要确定变量αt=l^TQB在约束(β+b)^TB(β+b)〈a^2t下的变化范围,其中αt∈R,l,b,β∈Rl-1,Q,B∈R^(l-1)*(t-1)(αt,l,b,Q,B)的定义见正文中的定理)。我们利用非线性规划的方法,证明了如下不等式:ct-dt-1at〈at〈ct+dt-1at,其中dt-1=√2(t-1)/t,ct=t-1/∑/i=1(ni-nt)  相似文献   

10.
改变Al-Mg-si合金中稀土Ce的含量,采用金相显微观察,电镜分析等方法,研究稀土元素Ce对A1-Mg-Si合金铸态组织的影响。结果表明:稀土元素Ce使晶粒细化,并有效地减小铸态组织的二次枝晶间距。其作用机理是凝固时Ce与某些元素反应产物可以作为a相结晶的晶核,使晶粒细化,并且Ce与Fe、Si等元素富集在结晶前沿的液相中,造成成份过冷,促进分枝。  相似文献   

11.
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。  相似文献   

12.
测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层多量子阱在不同温度下(18~300K)的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱的光伏效应和带间激子跃迁,实验结果表明,Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱具有显著的量子限制效应,从18K直至室温,都能观测到清晰的激子跃迁峰,说明Zn1-xCdxSe/ZnSe是制作室温下工作的蓝绿激光器等发光器件的合适材料。  相似文献   

13.
针对粉煤灰低密度混合材水泥的早强问题展开研究,用实验方法分析探讨了粉煤灰低密度混合材水泥在水化反应过程中的作用机理,开发出了一种高效的能够适用于低温低密度体系的早强剂DY,使得粉煤灰低密度水泥早期强度得到显著的提高。粉煤灰混合材低密度水泥在低温下早期强度的提高,主要通过水泥与粉煤灰之间的相互作用来实现。正反两方面的实验结果表明,水化反应使早期释放更多的Ca2+和OH-,引发了粉煤灰的火山灰反应,从而促进了粉煤灰混合材水泥早期强度的发展。该产品有望在低压井、易漏井、长封固段井等复杂条件下使用。粉煤灰混合材水泥能够满足复杂井固井作业的要求,并且具有可观的经济、环保效益。  相似文献   

14.
对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。  相似文献   

15.
介绍了以光导开关为核心的高压纳秒电脉冲系统组成。半绝缘GaAs光导开关在初始偏置电场26.7 kV/cm条件下受到1 ns、光能20μJ、波长1 064 nm激光照射。根据SRH模型和有限元法计算载流子浓度和光导开关时域电阻,考虑Blumlein传输线等效电容电压的时域变化,进行了输出脉冲的模拟计算。模拟和实验表明,在Blumlein传输线放电电容很小(27.2 pF)的情况下,电容放电的充分性导致光导开关的线性工作范围的上限至少可达到26.7 kV/cm。  相似文献   

16.
隐性经济作为工业环境污染的一个重要来源,会对环境规制产生重要影响,但其作为制度弱化的指标并未引起重视。鉴于此,以“两型社会”国家级示范区湖南省为例,从理论和实证研究隐性经济视角下环境规制对工业环境污染的影响。理论表明,隐性经济部门的产出和利润均为环境规制强度的减函数,工业环境污染为环境规制强度的减函数和隐性经济的增函数。实证显示环境规制强度对于工业环境污染的直接效应及间接效应均显著为负,除人均工业二氧化硫排放量外,隐性经济对于工业环境污染具有显著正向影响。据此,从环境规制和隐性经济方面提出政策建议。  相似文献   

17.
考虑压力及屏蔽效应,利用变分法讨论外电场下有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AL0.3Ga0.7As量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随阱宽和电场强度的变化关系,并讨论了有无压力和屏蔽时的区别.结果显示,施主结合能随电场强度增加或减少既依赖于杂质位置的不同又依赖于阱宽的不同,电场强度对杂质态的结合能影响也与压力及屏蔽有关.  相似文献   

18.
基于支持主体视角,从政府支持环境、企业支持环境、行业组织支持环境、高校与科研院所支持环境4个维度,构建包装产业创新人才成长环境评价指标体系;并借助主成分分析法,以长株潭国家自主创新示范区为评价对象,收集其2009—2018年的相关数据开展实证研究。研究结果表明,该地区创新人才成长环境在研究期内经历了缓慢改善、快速改善与深入改善三个阶段,研究结果基本反映了该地区人才成长环境的现实情况。据此,建议建立多元投资环境、健全多渠道培养机制、完善多方保障机制,以不断优化包装产业创新人才成长环境。  相似文献   

19.
区域文化对区域经济社会的协调发展起着重要的作用。随着国内外交通的迅猛发展,经济全球化的趋势越来越强。交通环境的日益改善,将在很大程度上促进区域文化之间的交融。通过对区域文化概念的介绍,以宜昌市为例,分析区域文化对经济社会的作用,交通环境的改善对区域文化的影响机理、机遇和挑战,提出了对策。  相似文献   

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