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研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 .实验表明 ,稳定发射的形成过程基本具有规律性的击穿、激活和稳定发射三阶段特征 ,并提出了一种修正的激活模型 ,解释了实验结果 ,讨论了发射机理 . 相似文献
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文章从气相沉积法的分类入手,对各种方法发展中的优缺点进行比较,指出了当前金刚石薄膜研究中存在的问题和未来发展方向。 相似文献
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二氧化钒作为一种极具应用潜力的功能材料,在智能窗、抗激光辐射以及温控开关等许多领域发挥着非常重要的作用.本文阐述了二氧化钒的结构和相变特性,综述了二氧化钒薄膜制备工艺和热致相变性质的研究进展,最后对其应用前景进行展望. 相似文献
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高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。 相似文献
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ZnO薄膜的发光特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了ZnO薄膜的发光特性。结果表明,ZnO薄膜的红光发射与氧空位和间隙位锌有关,绿光和蓝光的发射不但与氧空位和间隙位锌有关,还和锌空位有关。 相似文献
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何冶 《吉林工程技术师范学院学报》2004,(3)
利用高真空中磁场控制的热电子弧光放电离化N2,获得高离化镀等离子体与电子枪蒸发硼配合建立磁控弧光放电增强等离子体--活化反应离子镀方法。并用此方法制备了氮化硼薄膜,红外光谱和X光衍射测量表明,薄膜是纯立方相氮化硼薄膜。 相似文献
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周鹏飞 《上海理工大学学报(社会科学版)》1986,(3)
立方晶系的氮化硼(C-BN)具有极好的硬度、绝缘性,近年来受到国内外的注目。本文介绍在10~(-1)Pa的氮气氛中,用电子束蒸发硼,再进行离子化,制得氮化硼薄膜。经电子显微镜衍射图分析及与块状材料相比,其晶格距离极为一致,本文还分析了薄膜形成过程中基板温度、真空度等的影响。 相似文献
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为制备金刚石/SiC复合材料,采用熔渗反应法,在真空环境和烧结温度为1500 -1 600℃的条件下进行制备。
分析了复合材料的致密度、硬度和在不同温度下的干摩擦磨损性能。结果表明,熔渗反应工艺制备的复合材料致密度
高,烧结温度为l 550℃时得到的复合材料的硬度最高。反应烧结金刚石/SiC复合材料常温下的耐磨损性较好,但600
℃下的磨损性能显著恶化 相似文献
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本文比较了利用CVD技术生长的a—Fe_2O_3和α—Fe_2O_3薄膜电极的电化学和光电化学特性.实验表明:在1MKOH电解液中,α—Fe_2O_3薄膜电极具有较大的阳极电流,较稳定的光电位和较大的光电流.二者都显示出n型半导体特性.a—Fe_2O_3的导带边缘能级较高.光照时,光生载流子的效率更高,但却易于复合. 相似文献
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各种超高频电子整机需要高性能的表声波压电器件。介绍了新的压电薄膜——ZnO/AIN复合压电薄膜的制速、结构和性能,并给出主要研制结果。 相似文献
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用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。 相似文献
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本文介绍了两种光学镀膜真空淀积技术——离子辅助淀积和反应离子镀,并详述了近年来的应用及进一步的发展。 相似文献
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在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。 相似文献
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唐瑜敏 《西华师范大学学报(自然科学版)》2004,(4):72-74
根据电影叙事是否依据一个形式惯例传统,电影理论把电影分为类型电影和非类型电影。事实上,来自于既有惯例的类型经验影响着我们从日常生活到艺术欣赏很多行为中所具有的心理模式,我们的相关态度在很大程度上也以此建立。本文讨论的是在观看类型电影的时候观众的欣赏态度,并将这个态度分为"作为基础的惯例经验"、"欣赏时建构的心理时空"和"态度的娱乐指向"三个部分,从中可以看到三个部分的相互关系和观众欣赏类型电影的心理特征。 相似文献
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介绍了一种用于微波电路的中功率薄膜衰减器。该衰减器是由铝原子含量为50%的Ta/Al合金薄膜制成。其性能优良。 相似文献
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本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对材料的吸收系数有提高的影响,在4000—10000A范围内,各种薄膜的光学吸收系数都比C-Si高,进一步的推导得到各种样品的光学禁带宽度在1.45eV-1.75eV之间。文章还分析说明了影响光吸收特性的因素。 相似文献
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介绍一种以手为模型来判断手性碳原子构型的方法和表示,从而简化了使用原子次序规则来对光活性物质的命名。方法简单、实用、便于掌握。效果很好。 相似文献