1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

新型CMOS全兼容高压二级管

该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管,由于采用了新型表面耐压层结构,故能在最短表面距离内实现最高的击穿电压,从而性能大幅度提高,其主要电性能参数为：击穿电压为５５０Ｖ;达到同衬底下单边平行平面突变击穿电压的９０％以上：正向压降为１．２Ｖ（I=1A时）;最大电流为５Ａ,其主要性能参数达到国际领先水平。新型CMOS全兼容高压二级管@陈星弼@叶星宁@唐茂成@王新@苏秀娣@单成国     

高压开关电源的拓扑研究

提出了高压Buck型全桥变换器存在的高压滤波电感的安全性和变压器副边分布电容的问题,并介绍了一种适用于高压开关电源的移相全桥Boost型软开关电路。通过对Boost型电路的软开关过程进行时间分段分析,再利用Pspice仿真对理论分析结果进行了验证,最后将Boost型与Buck型全桥高压变换器的输出滤波电感耐压特性、多路输出的交错调节能力和变压器的磁不平衡问题等方面进行了比较,结果表明Boost型移相全桥变换器具有更好的交错调节能力和自动抑制变压器的磁不平衡的能力,是一种适用于高压电源的拓扑。     

储能电容与光导开关的工作模式

介绍了以光导开关为核心的高压纳秒电脉冲系统组成。半绝缘GaAs光导开关在初始偏置电场26.7 kV/cm条件下受到1 ns、光能20μJ、波长1 064 nm激光照射。根据SRH模型和有限元法计算载流子浓度和光导开关时域电阻,考虑Blumlein传输线等效电容电压的时域变化,进行了输出脉冲的模拟计算。模拟和实验表明,在Blumlein传输线放电电容很小(27.2 pF)的情况下,电容放电的充分性导致光导开关的线性工作范围的上限至少可达到26.7 kV/cm。     

一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件

具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件是一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件,其特征是,耐压层结构含有两层介质层,     

确定阻容耦合放大器幅频特性上限频率的讨论

阻容耦合晶体管放大器(如图一所示,以下简称“放大器”)处于高频放大状态时,耦合电容C_1,C_2及射极旁路电容C_0的电容量大,容抗小,可视为短路,而输入电容C_1和输出电容C_0(由晶体管极间电容,导线线间电容及下级负载电容组成,又称为隐形电容)却不再象中低频段时那样可视为开路,由于它们的电容量小(一般     

PIN管结电容的代换测量与回归分析

通过一组标准电容的代换测量 ,建立了测量电压与电容量的函数关系 ,并采用插值算法和回归分析得到结电容与偏压的特性曲线 ,该方法有效地克服了杂散电容及电路噪声对测量精度的影响 ,测试误差主要取决于标准电容的精度     

无限长偏心金属圆柱壳间电容和电场分布的研究

论述了利用保角变换法求解两无限长偏心金属圆柱壳的电容及金属圆柱壳间的电场分布的解析方法，并给出了相应的电场分布的解析函数表达式和电容计算式。     

数字万用表电容档测量电感的实验研究

根据数字万用电表电容档运用电容—电压 (C -U )转换器测量电容的原理 ,利用在交流信号测量电路中电感电抗与电容电抗可等量代换的特点 ,提出了用普通数字万用表电容档快速测量电感的方法 .     

复杂电容电路的等效电容

一般电磁学教材只讨论串联、并联和混联电容电路的等效电容,没有讨论复杂电容电路的等效电容。本文将给出三个常规方程和两个方程组,由此可求出包括最简单的串、并联电容电路和复杂电容电路在内的任意电容电路两点间的等效电容。     

整流滤波电压算法探讨

在一些文献中，采用以锯齿波代替电容滤波整流电路输出电压波形，近似计算输出电压的平均值，这种近似计算方法是错误的．因为采用锯齿波电压违背基本定律，且推导出的电压近似平均值和RLC关系表达式与部分实际关系截然相反．给出了另一种既遵守基本定律又符合实际输出电压平均值的近似分析方法，井以实际计算结果证明了该方法的正确性．     

对蔡氏电路中浑沌现象的研究

本文对蔡氏电路中的浑沌现象作了进一步的研究。结果表明不仅改变电阻、电容或电感能得到双涡卷,而且改变运放电源电压也能得到双涡卷。此外,通过单调调节运放电源电压、电阻、电容或电感可以确证,在蔡氏电路中还存在一条周期——浑沌——周期加(减)1规律。     

热涨落对Josephson效应的影响

采用模拟粒子在势场中的布朗运动去讨论热涨落对小电容时Josephson效应的影响 ,得到热涨落存在时Joseph son结的电流—电压特性 ,计算结果与实验相符合     

载频解调式脉冲调制器的研制

介绍了一种新型载频解调式栅极脉冲调制器.调制器由2只脉冲变压器、载频调制控制电路、解调与脉冲输出电路组成.调制器采用了内载频脉冲驱动模式,利用了MOSFET的极分布电容对信号的延时作用,通过二极管解调还原调制管触发脉冲,最终输出正负电压的调制脉冲.载频信号频率大于200 kHz,隔离变压器具有尺寸小,绕组匝数少的特点.采用这种模式的调制器,输出脉冲宽度宽、前后沿小、工作比高.详细介绍了基于载频解调式脉冲调制器的应用实例,并对其性能参数进行了测试.     

煤基活性炭的制备及其作为超级电容器电极材料的研究

本文选用NaOH与KOH为活化剂,通过化学活化法制备煤基活性炭,分析了活化剂对活性炭电化学性能的影响。通过XRD分析可知,自制活性炭属于无定型炭。从电化学性能图分析,部分活性炭具有明显的氧化还原峰,能够提供较高的赝电容,电化学性能较好。NaOH:KOH:煤=2∶2∶1样品随着电流密度的增大,比电容衰减较小,电容保持率高,电化学性能优异。     

电容近炸引信的综合参数测试系统

测试电容近炸引信的信号处理电路的动态性能参数,是产品研制、调试、生产的重要环节.利用计算机、信号调理板、数据采集板和在LabView平台上开发的软件,构成一套完整的电容近炸引信综合参数测试系统.该系统针对电容近炸引信的检波放大信号、积分信号、微分信号和启动信号等技术指标进行测试和分析,判断电路工作情况,分析有故障电路的故障原因.该系统具有测试精度高、开发成本低、检测效率高、操作简单等优点.     

互连电缆的电磁兼容性分析

忽视互连电缆内导线之间的电磁耦合（串扰），被认为是降低电子系统的电磁兼容性的重要原因。在足够低的频率下，这种电磁耦合可视为导线间的互电感和互电容产生的耦合的迭加。但在高频下，这种方法是不正确的。文中根据多导体传输线模型，应用键参数矩阵法，对典型的三导体系统中的串扰进行分析，得出同一种介质中，线间串扰电压的解；引入广义电容矩阵，导出考虑绝缘介质影响时，线间串扰电压的计算公式。实例计算结果与文献报道的实测数据基本一致。     

一种高效率低电压3倍负压电荷泵的设计

根据正压电荷泵的理论推导出负压电荷泵的基本单元,得出了低电压供电的2倍负压泵和为提高其效率而采取的一些优化方法。最后在2倍负压泵的基础上给出一个1.5V工作电压高性能3倍负压泵的设计实例。该3倍负压泵的设计经流片证明是成功的,并且已经应用于量产产品中。