横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

英汉人体词“hand”和“手”一词多义认知对比研究

光催化剂利用太阳能可以充分降解生活及工业废水中的有机污染物。与其他传统方法相比，在催化效率、低毒、可回收性等性能上，有着无可比拟的优越性。半导体材料在吸收能量大于或等于其禁带宽度的光子后产生电子及空穴，经过一系列的反应，转化为具有强氧化能力的羟基自由基，来降解染料等工业废品。由于晶体结构缺陷及自身结构等特征，光生电子与空穴极易发生复合，使得产生的活性羟基自由基数量变少，减弱光催化能力。异质结构的存在，加速了电子与空穴的分离，延长电子空穴的存活寿命，对提高光催化活性有着重要的影响。     

利用模匹配技术对突变开放腔的分析

在模匹配理论的基础上,推导并建立了单级突变的矩阵方程,分析得出了多级突变级联及渐变情况下的处理方法。通过编制的计算程序,计算出多模情况下多级突变结构模匹配系数级联矩阵,并由矩阵参数得到所需的腔体谐振频率等物理特性参量。     

电子温度计的设计及其测量误差分析

分析ＰＮ结的温度特性，设计制作了指针式电子温度计和数字式电子温度计．根据实测数据对温度测量误差作了定量分析。     

p-n结的电容特性

本文对目前应用得最广的三种 p-n 结——合金结、扩散结、合金扩散结的势垒电容进行了探讨。结果表明:合金结(突变结)的势垒电容与反向偏压之间符合 C∝(1/U~(1/2))的关系;恒定杂质源形成的扩散结只在低电压段才可取缓变结(线性梯度结)近似,即C∝(1/U~(1/2)),而在高电压区间必须取突变结近似,中间的过渡区与这两种分布都不符,不可用简单的近似关系表示;合金扩散结在低电压和高电压时均具有突变结性能,中间段的变化比突变结更为剧烈。文中得出了上述三种 p-n 结的势垒电容与电压关系的表示式,并对6和401型晶体管的相应 p-n 结作了测量,证实了理论分析的正确性。     

等离子体对电子注的聚束特性的研究

导出了充等离子体微波管漂移空间电子运动轨迹方程，根据方程性质将空间划分为α区和β区并在两区求解该方程，研究了电子注在该区的运动及其聚束特性，并对某些参数对聚焦性能的影响进行了较深入的讨论。研究表明，填充等离子体后，电子注被明显聚焦，漂移管的设计及电子注运动形态的调节更为方便。     

电子回旋脈塞不稳定性的自洽非綫性理論

本文对电子回旋脉塞不稳定性的自洽非线性理论进行了研究。所用模型是在圆柱波导内沿轴向均匀磁場旋转并漂移的相对论电子注。由于相对论效应在波导中激起横电模式,我们在轴向波数和轴向电子速度为零的坐标系中导出了非线性耦合方程。从理论上描述了单一受激波的場幅值和频率偏移的非线性变化。联立求解考虑相对论效应的运动方程和非齐次波动方程,从而描述了电子与波的自洽特性。波的饱和有两种饱和机理,即自由能耗尽和相位捕获。两种饱和机理的逐漸过渡导致能量转換效率与电子注能量的关系曲线有一个峰值。数值计算结果表明,电子到波的能量转换效率在电子注坐标系中可以超过60%。     

应力偶流体润滑轴承性能计算方法的比较

研究了负压力充零算法和质量守恒空穴算法对应力偶流体润滑轴承油膜压力分布及轴承特性参数的影响.数值分析表明,在油膜完整区,两种算法所得油膜压力几乎相同,只是在接近油膜破裂处有小的偏差;在空穴区,两者不同.两种算法所得轴承特性参数相差较大,随应力偶参数增大差别减小.充零算法与实际情况不符,空穴算法更符合实际.     

染料敏化太阳能电池工作机理研究

在讨论了染料敏化太阳能电池的基本结构的基础上,重点围绕电池吸收太阳光、电子空穴对的产生以及传输这三个核心问题,阐述了染料敏化太阳能电池的特点以及工作机理.     

电子政府的特性与效率分析

电子政府是 2 1世纪先进生产力和管理科学的杰出成就。本文对电子政府的建构思想、技术特性、功能与效率要素进行了综合分析 ,对电子政府的虚拟特性与效率、任务与功能、宏观调控和网络经济的特性与效率等问题进行了剖析 ,归纳了建构中存在的关键性和复杂性问题 ,并提出了研究的思路和系统建构的思想     

考虑热載流子效应的MOS管模拟特性

本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其击穿公式。讨论了纵向电场对热电子的作用所导致载流子迁移率下降的现象。最后给出了考虑这两种热戴流子作用的几种N-MOS管模型的模拟比较。     

格列吡嗪与羟丙基-β-环糊精在溶液中包结作用研究

本文采用相溶解度法测定了不同温度下羟丙基-β-环糊精与格列吡嗪在7.4的磷酸缓冲溶液中形成包结物的稳定常数,进而测定了包结过程的热力学参数。根据测得的热力学参数,讨论了羟丙基-β-环糊精与格列吡嗪包结时范德华力、疏水作用、氢键以及从羟丙基-β-环糊精空穴释放高能水几种弱相互作用力对包结过程的影响。研究结果表明,羟丙基-β-环糊精与格列吡嗪可形成1∶1的可溶性包结物,相溶解度呈AL型;羟丙基-β-环糊精与格列吡嗪在溶液中的包结过程,可以自发的进行(ΔG<0),且为放热反应(ΔH<0),同时也是熵减的过程(ΔS<0)。在羟丙基-β-环糊精与格列吡嗪包结过程中从HP-β-CD空穴释放的高能水、氢键和范德华力起了重要作用。     

稳定剂和防灰雾剂对溴碘化银T-颗粒乳剂微晶体电性能的影响

利用Wagner极化法研究稳定剂和防灰雾剂对溴碘化银T-颗粒乳剂微晶体的电子电导率和空穴电导率的影响。实验结果表明:将乙基巯基四氮唑、吗啡啉-4-甲酸硫代-(1-苯基四氮唑-5)酯、苯并三氮唑甲酸苯酯、2-甲基巯基-4-羟基-6-甲基-1,3,3a,7-四氮茚等4种稳定剂和防灰雾剂用在溴碘化银T-颗粒乳剂中,对乳剂电性能都有一定的影响。其中,乙基巯基四氮唑防灰雾剂的影响最为显著。研究表明:添加了稳定剂和防灰雾剂的溴碘化银T-颗粒乳剂微晶体的电性能与其防灰雾性能具有较好的相关性。当稳定剂和防灰雾剂使溴碘化银T-颗粒乳剂微晶体的电子电导率和空穴电导率增大时,乳剂的稳定性和防灰雾性能就增强。     

周期激励下的Josephson结方程的动力学特性

本文用Melnikev方法研究超导中弱性Josephson结方程的动力学特性,指出了紊动产生的条件.方程为:d~2x/dt~2+a(dx/dt)+sinx=b+εlsinwtd~2x/dt~2+a(dx/dt)+sinx=b+ε[l_1sinw_1t+l_2sinw_2t]     

静电电子回旋脉塞的单粒子理论

本文用单粒子理论研究了静电电子回旋脉塞。通过对静电电子回旋脉塞中的电子运动的分析,导出了电子与波互作用的非线性摆方程。文中用二阶扰动方法求解非线性摆方程,得到了TE_(mn)和TM_(mn)两种工作模式的静电电子回旋脉塞不稳定性线性增益公式,进一步证实了静电电子回旋脉塞不稳定性是存在的。     

微空心阴极放电的计算机模拟

给出了圆筒形微空心阴极氦气放电的三维、时域、自恰流体方程组(粒子连续性方程、电子能量平衡方程和泊松方程)及其稳态的差分方程组和合理的边界条件,并利用计算机模拟计算,得出了放电稳态时形成的粒子密度、电子平均能量、电位等值线和电场分布图。结果表明在放电过程中存在明显的阴极位降区和负辉区,空心阴极效应明显,存在高能电子以及放电空间中以径向电场为主。并对计算结果进行讨论,为微空心阴极放电器件提供了理论依据。     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

基于ADAMS的安全阀自动上料机械手运动学研究

针对目前安全阀离线校验阀体上料时，存在的效率低、空间要求高等问题，课题组提出了一种安全阀自动上料机械手，并根据安全阀离线校验的工况需求，在SolidWorks软件中建立了该机械手的三维模型。为了更好地制定运动控制方案及制造物理样机，课题组对该机械手进行运动学研究：采用D H法建立了机械手的运动学方程，并基于ADAMS软件对机械手整体上料过程进行了运动学仿真分析，得到了机械手在上料过程中的位移、速度和加速度等运动特性曲线。研究结果表明：所有运动特性曲线变化平稳，无突变现象，验证了该自动上料机械手物理样机制造的可行性，提高了安全阀离线校验效率。     

多电子原子构造的简单定性分析

含单个电子的氢原子的结构,可以用量子力学精确处理,得到确切明白的解。实际上,除了氢以外,所有其它元素的原子,其电子数目都不止一个,统称为多电子原子。多电子原子的薛定谔方程是复杂的。因为能量表达式中包含不同电子间的互相排斥作用项,不可能将方程分离成简单的形式求解。就算含两个电子的氦原子,其薛定谔方程也够复杂。虽然数学上容易得到合理的解,但写成简单的形式也不容易。对更大的原子,需应用近似的处理法。常用的近似方法都是建立在中心场近似的基础上,如自洽场理论、变分法等。当然,这些十分庞大的计算只有     

电磁波在等离子体层中衰减的数值分析

采用分层介质方法处理非均匀等离子体层,研究了电磁波射向覆盖磁化等离子体层的金属平板时电磁波的衰减特性。着重讨论Epstein密度分布的等离子体层,分析了等离子体电子密度、电子碰撞频率、外加磁场和入射角度等因素对电磁波衰减的影响,得出在一定等离子体密度和电子碰撞频率下,等离子体对电磁波的吸收特性。