微波对半导体器件破坏机理──一维器件模型及稳态处理

本文在半导体器件理论的基础上，建立了微波对半导体器件破坏机理研究的一维器件模型，讨论有关计算机数值模拟时的处理技巧，并给出了差分方程组。     

高压半导体器件电場的二維数值分析

本文介绍了作者们为高压半导体器件的电场分布所编制的模拟程序,此程序是从泊松方程的积分形式出发的.对高压器件模拟程序中的溢出问题提出了一个解决办法.利用此程序对横向功率MOS结构的电场分布进行了模拟分析,得到了有益的结果.显然这一研究对高压器件和高压集成电路极为有益.     

微电子CAD系统PC—SUPREM和PC—SEDAN及其应用研究

微电子集成电路工艺模拟系统SUPREM及半导体器件特性模拟系统SEDAN是微电子CAD系统中的核心内容,也是我国微电子工业技术环节中的一个薄弱环节.本文较全面地介绍了微电子工艺模拟及半导体器件模拟的PC实用系统和有关应用方面的研究.特别是SUPREM同SEDAN的接口联机模拟,极大地增强了模拟信息量.最大限度地实施了以上两系统的模拟功能.     

高压功率器件特性的数值分析

在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解法和归一化的模拟方法。利用此程序对HV/P器件具有场限环和场板结构的特性进行了模拟。     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型

基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。     

硫化锌n型和p型掺杂研究进展

硫化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,实现高效稳定的n型和p型掺杂是ZnS在光电器件领域获得应用的关键之一.文章综述了近几年国内外在ZnS的n、p型掺杂等方面的研究进展,详细介绍了各种掺杂方法的最新研究成果和存在的问题,并对ZnS的n、p型掺杂的发展趋势作了展望.     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

J波段硅DDR IMPATT器件

本文根据雪崩渡越时间器件理论和p-n结理论,论述了J波段Si p~+pnn~+型DDR IMPATT器体结构、工作参数的定量设计过程,其中特别给出了雪崩击穿方程的二级近似解析解。导出了器件26％的理论效率。概述了该器件采用常规工艺的制造流程。已经取得了2.7W输出功率、10.5％频率、成品率高、重复性好的结果,并就有关的理论和实验问题进行了分析讨论。     

半导体物理的发展及其启示

半导体物理学作为凝聚态物理学一个重要分支，是现代微电子器件工艺学的理论核心。探讨半导体物理学发展规律，对于更好地掌握半导体科学技术的发展趋势有重要意义。     

功率器件数值分析中的模型及算法

针对功率器件二维数值分析的复杂性,引入修正因子 η_1、η_2和 η_3对常规器件物理参数模型进行简化和修正,使之能正确描述功率器件的有关物理机制.将所得模型以及针对功率器件高偏压工作特点而引入的一组新的归一化参数嵌入通用器件模拟器 GEDS 中,对高压平面结二极管的反向特性和 LIGT 的正向特性进行模拟,得到完全正确的结果.本文还深入研究了功率器件数值分析中的算法设计,发现 DN 法适宜求算器件的反向特性,NR 法适宜求算器件的正向特性.     

由半导体微电子技术引起的两次电子革命

本文简述了引起第一次电子革命的半导体集成电路的发展及将要引起第二次电子革命的半导体功率器件及功率集成电路的发展。在后一部分中介绍了作者对该领域的一些贡献     

水中有毒有机污染物的光催化降解反应

本文综述了国内外关于水中有毒有机污染物的光催化降解反应研究的进展概况。侧重介绍了反应机理的探讨和反映速率及其影响因素的研究。对影响半导体催化剂活性的因素和方法工业化应用方面的某些问题也作了简要叙述。     

知识和知识管理：一个文献综述

本文通过对国外知识和知识管理相关文献的整理,利用AlaviandLeidner(2001)的文献作为框架和主线,整合了当前国际上较前沿的有关知识管理的相关文献,比较系统地对知识和知识管理的定义以及知识管理的过程进行了综述。     

量子阱光电子开关器件(二)

量子阱半导体器件是一种基于量子电子学原理的新型光电子器件。它具有体积小、速度快、功耗低等优点,并且由于它能够与逻辑电路元件混合集成,在解决高复杂度集成电路的高速互连方面具有巨大的实际应用价值。基于这一原理实现的光调制器和开关等光电子器件,可以制成波导,也可制成二堆并行阵列器件。目前,光逻辑和存贮器件阵列的集成规模已达2048个单元,其中所有的单元都可利用自由空间光(free-space optics)进行外部访问。本文概述了量子阱半导体器件的运行机理及其发展前景。     

微空心阴极放电的计算机模拟

给出了圆筒形微空心阴极氦气放电的三维、时域、自恰流体方程组(粒子连续性方程、电子能量平衡方程和泊松方程)及其稳态的差分方程组和合理的边界条件,并利用计算机模拟计算,得出了放电稳态时形成的粒子密度、电子平均能量、电位等值线和电场分布图。结果表明在放电过程中存在明显的阴极位降区和负辉区,空心阴极效应明显,存在高能电子以及放电空间中以径向电场为主。并对计算结果进行讨论,为微空心阴极放电器件提供了理论依据。     

半导体激光器的衍射准直透镜的优化设计

针对国内外现有半导体激光器准直器件的缺点,提出了一种用于半导体激光器准直的相位型二元菲涅耳衍射透镜的优化方法。该方法在现有衍射透镜加工设备分辨率条件下,可提高衍射透镜的衍射效率,增大衍射透镜的数值孔径。     

相变传热相关问题的分子动力学模拟及研究

对相变传热过程中有关问题的分子动力学模拟进行了综述．通过对平衡分子动力学(EMD)、非平衡分子动力学(NEMD)模拟相变传热中各种问题的综合分析，讨论了目前在相变传热中有关分子动力学模拟的几个重要问题．     

WTO《TRIPS协议》下中国知识产权法制完善问题研究

中国入世 ,国内法律必须与 WTO规则一致 ,有关知识产权方面的法律也不例外。为此 ,在阐述我国现行有关知识产权立法与实践及其与 TRIPS协议的差距的基础上 ,全面系统地论述了我国完善知识产权法制的对策。