溅射功率和氧氩比对TiO2薄膜亲水性的影响

摘要：用直流磁控溅射制备TiO2薄膜,分析了氧氩比和溅射功率两项制备参数对退火后形成的锐钛矿二氧化钛薄膜亲水性的影响。实验结果表明,适中的氧氩比2：3和功率126W下制备的薄膜具有很好的亲水性。     

催化剂对TiO2薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜。分析了催化剂在溶胶制备过程中的作用,以及其对制成的TiO2薄膜的性能的影响。主要分析了盐酸、乙酸、硝酸、硫酸等几种催化剂对TiO2薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、光学性能的影响。实验结果表明,选择盐酸为催化剂,薄膜生长取向较好,晶粒尺寸较大,光透过率最好。     

固载纳米TiO2薄膜的制备及光催化降解甲基紫的研究

利用超声波辅助溶胶-凝胶法制备了玻璃板固载TiO2薄膜,并用其对甲基紫溶液进行降解处理,研究了其光催化活性和稳定性.结果表明,涂覆2层且在450℃下焙烧可以得到最佳催化活性的TiO2薄膜.考察了甲基紫溶液初始浓度、pH值以及外加H2O2对降解率的影响,显示初始浓度越低、pH值和降解率越高,添加H2O2能有效提高降解率.     

固载纳米TiO2薄膜的制备及光催化降解甲基紫的研究

利用超声波辅助溶胶-凝胶法制备了玻璃板固载TiO2薄膜,并用其对甲基紫溶液进行降解处理,研究了其光催化活性和稳定性.结果表明,涂覆2层且在450℃下焙烧可以得到最佳催化活性的TiO2薄膜.考察了甲基紫溶液初始浓度、pH值以及外加H2O2对降解率的影响,显示初始浓度越低、pH值和降解率越高,添加H2O2能有效提高降解率.     

高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。     

溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛及电催化性能测试——应用性综合化学实验设计

以高校应用型人才培养为目标,设计了一个应用化学综合实验.采用溶胶-凝胶法在Ti金属表面修饰一层纳米TiO2薄膜,制备Ti基纳米TiO2 （Ti/nanoTiO2）修饰电极,用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）及电化学方法对所得电极的结构和性能进行表征.     

掺Ni、Co、Cr、V的TiO2纳米粒子制备与表征

采用两种不同方法制备TiO2纳米粒子,即以钛酸四正丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备掺Ni的TiO2纳米粒子.以硫酸钛和碳酸铵为原料,用沉淀法制备掺Ni、Co、Cr、V的TiO2纳米粒子,并且对两种制备方法进行了对比.利用TG-DTA,FTIP,SEM和PL光谱测试技术对样品进行了表征.结果表明制备条件的不同对样品性能有很大影响.     

掺杂剂对聚苯胺/二氧化钛复合薄膜氨敏特性的影响

室温条件下,采用平面叉指电极式器件,运用原位化学氧化聚合和静电力自组装相结合的方法分别制备了盐酸掺杂和对甲苯磺酸掺杂聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜气体传感器,并通过电子扫描显微镜(SEM)对薄膜进行了分析表征,研究了其在常温下对NH3气的敏感特性。实验结果表明,盐酸掺杂PANI/TiO2复合薄膜较对甲苯磺酸掺杂PANI/TiO2薄膜具有更好的灵敏度和响应恢复特性以及更好的稳定性。该研究有助于开发低功耗、高灵敏度的NH3气体传感器。     

纳米多孔SiO2-TiO2复合薄膜的制备及研究

采用溶胶凝胶技术,以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB为模板剂,乙酰丙酮作为钛的水解控制剂,通过钛和硅醇盐的分步水解得到均匀的SiO2TiO2复合溶胶,通过提拉制备出具有纳米多孔结构的复合薄膜.实验结果表明,多孔薄膜中的钛离子形成了Si—O—Ti键的孤立四配位形态,使薄膜具有复合型钛离子的催化效果,并且有介孔结构.随TiO2含量的增加,薄膜仍具有较好的透光性(可达到85%以上).通过对实验条件的调节,可实现对薄膜纳米结构的人工控制,形成的多孔薄膜折射率在1.2~1.4之间连续可调.     

退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5 V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.