镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法，通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算，论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟

用缺陷化学方法讨论了Nd3 、Th4 、Sb5 掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3 和Th4 将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5 在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O 周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O 的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.     

钼酸钙晶体中本征点缺陷的研究

利用GULP软件计算了钼酸钙晶体中本征点缺陷的生成能和氧空位的迁移能,结果表明,钼酸钙晶体中主要存在的缺陷是氧空位和氧的夫伦克尔缺陷,氧空位的迁移能为0.4 eV,计算结果与实验结果相吻合.     

掺Nb5+钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5 的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5 可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5 在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5 ∶PWO中,Nb5 首先占据邻近缺氧的W6 位,但不可能由F心或F 心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3 VO] —[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O 的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.     

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

草酸合铁酸钾的制备及其离子电荷的测定

1.基本原理 1.1草酸合铁酸钾K_3[Fe(C_2O_4)_3]·3H_2O是一种绿色的单斜晶体,溶于水而不溶于乙醇等有机溶剂。本实验在近沸状态下以草酸钾与三氯化铁直接作用,即有K_3[Fe(C_2O_4)_3)·3H_2O生成,在冰水中冷却就会析出绿色晶体:     

[Cu(H2O)2(en)][SO4]晶体的局域结构和吸收光谱研究

根据赵敏光等提出的半自洽3d轨道模型和点电荷模型,建立了过渡金属离子晶体的局域结构与吸收光谱之间的定量关系,对[Cu(H2O)2(en)][SO4]晶体的局域结构和吸收光谱进行了统一解释,还预测了其EPR谱的值.其理论计算结果与实验观测值符合.     

掺镁铌酸锂晶体的缺陷结构与密度

本文提出了不同〔Mg〕的Mg:LiNbo_3中两套可能的缺陷结构模型。计算了随〔Mg〕变化的晶体密度,测量了一组不同〔Mg〕晶体样品的密度。第二套缺陷结构模型的理论计算结果与实验值符合得很好。因而,当〔Mg〕=O时。晶体含缺陷晶格1,其结构为〔Nb_(Li)Nb_(Nb)(1/5)V_(Nb)(4/5)O_3。〕;当O<〔Mg〕<2.724mol％时,晶体含缺陷晶格1和2,晶格2结构为〔Mg_(Li)(1/2)Nb(Li)(1/2)V(Nb)(1/2)Nb(Nb)O_3〕;当2.724<〔Mg〕<5.303mol％时,晶体含缺陷晶格2     

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体，在不同杂质离子浓度下，K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明，高浓度掺K离子将消除420nm吸收带，改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能．     

关于溶液中Hg_2O、Hg_2I_2歧化反应的探讨

本文通过理论计算与实验测试,证明在溶液中 Hg_2O 发生歧化反应,生成 HgO 与 Hg;Hg_2I_2不发生歧化反应,只有在 KI 过量时,由于生成更稳定的[HgI_4]~(2-)才发生歧化反应。     

配合物K2[Cu（C2O4）2]·2H2O与K3[Cr（C2O4）3]·3H2O的热分解反应及其动力学研究

采用TG—DSC方法研究了K2[Cu（C2O4）2]·2H2O与K3[Cr（C2O4）3]·3H2O两个配合物的热分解反应过程,对其中部分热解过程进行了动力学计算。由Friedman、Ozawa—Flynn—Wall、AST—ME698三种方法得出峰温时的活化能值与指前因子值。应用Achar方法计算拟合得到了比较合理的机理函数。     

铜(Ⅱ)盐催化2,4,6—三溴间甲苯酚聚合反应动力学研究

研究了各种条件下铜(Ⅱ)盐催化2,4,6—三溴间甲苯酚聚合反应的动力学.当[CuCl_2]<0.05mol/L时,r-(k_1k_2)/(k-1)[2,4,6—三溴间甲苯酚][CH_3ONa][CuCl_2];当[CuCl_2>0.05mol/L时,γ=(k_1k_2)/(k-1)[2,4,6 —三溴间甲苯酚][CH_3ONa][0.10-[CuCl_2]);实验所得的速度方程式与铜(Ⅱ) —酚氧配合物中间体形成机理相一致.决定反应速度步骤为2,4,6—三溴间甲苯酚钠与铜(Ⅱ)盐配合物的反应,并且由实验求得了反应速度常数及反应的活化能.     

多金属氧酸盐H_2O[Mn(phen)_3]_2[SiW_(12)O_(40)]的合成与晶体结构

利用中温水热技术合成了Keggin型多金属氧酸盐H2O[Mn(phen)3]2[SiW12O40],并探讨了该化合物的晶体结构.该化合物属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数:a=1.9735(4)nm,b=1.8061(4)nm,c=2.5200(5)nm,α=90.00°,β=100.52(3)°,γ=90.00°,V=8.831(3)nm3,Z=4,R1=0.0562,wR2=0.1376.     

DPPZ Co(Ⅱ)配合物的合成及晶体结构

通过溶剂热合成法制备一种新型的化合物Co(DPPZ)_2Cl_2,并通过X射线单晶衍射仪对其进行了表征。单晶分析表明:化合物属于单斜晶系,C2/C空间群,a= 0.83463(17)nm,6=1.2336(3)nm,c=2.7965(6)nm,α=90.00°,β=95.13(4)°γ=90.00°,V=2.8676(10)A~3,Z=8,T=292(2)K,Dc=2.024cm~(-1),μ=4.296mm~(-1),R_1=0.01497,wR_2=0.3702     

英汉人体词“hand”和“手”一词多义认知对比研究

光催化剂利用太阳能可以充分降解生活及工业废水中的有机污染物。与其他传统方法相比，在催化效率、低毒、可回收性等性能上，有着无可比拟的优越性。半导体材料在吸收能量大于或等于其禁带宽度的光子后产生电子及空穴，经过一系列的反应，转化为具有强氧化能力的羟基自由基，来降解染料等工业废品。由于晶体结构缺陷及自身结构等特征，光生电子与空穴极易发生复合，使得产生的活性羟基自由基数量变少，减弱光催化能力。异质结构的存在，加速了电子与空穴的分离，延长电子空穴的存活寿命，对提高光催化活性有着重要的影响。     

固相化学反应研究(1) 外加阴离子盐对[Co(C_2O_4)(NH_3)_4]Cl热分解的影响

本文采用气相色谱逸出气体分析(EGA)法,配合红外光谱、X—射线粉末衍射等技术,研究了[Co(C_2O_4)(NH_3)_4]Cl与阴离子盐KY(Y=Cl,Br,I,CN,SCN)在氢气氛中的多组分固相反应,用Coats—Redfern公式计算了固相反应放出CO_2的动力学参数,得到活化能值与外加阴离子有如下顺序:Cl~->Br~->CN~->I~->SCN~-,固相反应机理均为成核生长机理(F1)。     

多金属氧酸盐的电化学性质

利用循环伏安法,研究稀土元素九钨镓杂多酸盐水溶液的电化学性质,结果表明,在0.65~-0.40V的电位区间内,呈现了两对可逆的单电子氧化还原峰,峰电位随着pH值的升高而线性负移,催化活性实验显示,在酸性溶液中该化合物对NaNO2和H2O2的还原反应具有良好的催化作用。     

氦在bcc和fcc过渡金属中稳定性的理论研究

采用基于密度泛函理论的从头算对bcc和fcc过渡金属中氦原子的稳定性进行了研究。计算结果表明,除了V和Nb外,不管是bcc还是fcc,氦都是在替换位置最稳定。对于间隙位置,在bcc过渡金属中,氦在四面体位置比八面体位置更稳定,而在fcc过渡金属中,间隙氦的稳定位置没有规律可循。对有磁性的bccFe和fccNi进行自旋和非自旋极化研究,发现金属的磁性对间隙氦的稳定位置没有直接的影响。