气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。     

衬底温度对八羟基喹啉镉薄膜光学性能的影响

用真空蒸镀方法,在不同衬底温度下,在玻璃衬底上制备了八羟基喹啉镉薄膜. 用MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪对八羟基喹啉镉薄膜的研究发现,衬底温度升高导致衬底的反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,且发现随着衬底温度越高,所生成的薄膜折射率和消光系数也增大,并给出了两种光学系数的变化范围,所的到的试验结果,对制备有机发光器件有一定的参考意义.     

反应磁控溅射法制备TiO2薄膜

采用反应磁控溅射法在不同条件下制备了TiO2薄膜样品,研究了衬底温度、氧分压、溅射压强等生长条件对薄膜结构特性的影响.得到了反应磁控溅射法制备锐钛矿相TiO2薄膜的最佳沉积条件,并对薄膜的表面形貌进行了测量.     

电晕极化偶氮化合物薄膜倍频弛豫特性研究

把主体材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和客体偶氮化合物,用溶胶-凝胶法制成溶胶,旋涂成膜,测量了其紫外-可见吸收光谱和厚度。用电晕极化的方法对薄膜进行极化,然后实时监测了不同温度和不同厚度下薄膜的二次谐波产生(SHG)强度随时间退极化的特性。利用双指数函数拟合其驰豫曲线,结果表明,对于厚度相同的偶氮薄膜,随温度的升高其平均驰豫时间变短;而相同温度下不同厚度的薄膜,平均弛豫时间随厚度增加而增加。     

退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响

采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜（SEM）研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱（PL）和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带（DLE）增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.     

氮化铝(AIN)薄膜的光学特性研究

研究了宽禁带Ⅲ－Ｖ族化合物半导体氮化铝（ＡＩＮ）薄膜的折射率及其热光特性,采用棱镜──薄膜耦合装置和自动温控光波导测试仪,测出不同温度下氮化铝薄膜的波导特性,利用迭代法可得到ＡＩＮ的折射率与温度变化的关系,并首次测得了ＡＩＮ薄膜的热光特性。     

氮化铝（AlN）薄膜的光学特性研究

研究了宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体氮化铝（Ａ１Ｎ）薄膜的折射率及其热光特性,采用棱镜－－薄膜硝装置和自动温控光波导测试仪,测出不同温度不氮化铝薄膜的波导特性,利用迭代法可得到Ａ１Ｎ的折射率与温度变化的关系,并首次没得了Ａ１Ｎ薄膜的热光特性。     

溶胶-凝胶工艺MgO薄膜制备及表征

采用溶胶-凝胶工艺制备了MgO薄膜.X射线衍射谱显示,随热处理温度升高,薄膜结晶质量提高;原子力显微镜观测也得到相同的结果,且随热处理温度升高,薄膜表面粗糙度增加.     

氧化锌薄膜的蒸发氧化制备及其光电特性研究

采用真空蒸发镀膜的方法分别在玻璃和硅片衬底上沉积金属锌前驱体,再在空气中通过不同温度的退火氧化处理制得氧化锌薄膜,主要研究了不同退火温度对氧化锌薄膜光电特性的影响.实验表明,在一定退火温度样品的方块电阻突增,PL发射峰出现红移,文中对结果进行了初步讨论.     

CVD金刚石膜工艺研究

用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响.结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15～20 kPa处.     

钕掺杂氧化锌薄膜的形貌表征与折射率测试

通过XRD和AFM分析了Nd掺杂ZnO薄膜的表面形貌,随着Nd掺杂量的增加,ZnO薄膜的结晶度变差,薄膜表面变得粗糙,晶格畸变增大。应用椭圆偏振仪测定了Nd掺杂ZnO薄膜的厚度及折射率,Nd掺杂量对ZnO薄膜的折射率有一定影响。     

含氟聚酰亚胺高分子光波导工艺研究

对光通信用含氟聚酰亚胺高分子聚合物材料的特性进行了讨论，报告了材料制备、膜厚控制、折射率控制以及光波导制备技术等方面的实验结果．实测了含氟聚酰亚胺薄膜的温度特性和色散特性，并给出了测量方法和测量结果．     

基本结构变化对左手介质透射影响的研究

研究了基本结构移动、旋转、切割对左手介质传输特性的影响。用基于时域有限积分法CST软件仿真了左手介质棱镜的负折射现象和上述三种情况下的传输系数,比较了提取的标准和移动后左手介质的有效介质参数。计算结果表明,移动使左手透射峰峰值降低,通带带宽减小;若将组成左手介质的结构单元旋转,完整的左手透射峰将不再存在;不同方向的切割会不同程度地改变左手介质透射峰的性质。     

聚合物波导折射率渐变型Spot-size converter设计

围绕光致折射率变化聚甲基苯基硅烷高分子光波导，设计了新型的折射率渐变型Spot-size converter，可有效改善光纤与光波导的端面耦合效率．BPM仿真计算显示，耦合效率由78％提高到91％，为器件制备提供了理论依据．     

THz光子晶体光纤的模式及色散特性分析

利用等效折射率法得到了光子晶体光纤的特征方程,该文讨论了光子晶体光纤在THz频段的模式分布及色散特性。结果发现:光纤包层空气孔间距固定,减小空气孔半径,包层等效折射率增大,高次模截止频率增大,色散最大值减小,零色散及最大色散对应的频率增大;包层空气填充率固定,增大空气孔半径,包层折射率增大,高次模截止频率增大,色散最大值增大,零色散及最大色散对应的频率减小。通过适当调节包层空气孔间距和空气孔大小,可在很宽的频带内实现单模、零色散THz波传输。     

采用改进的退化模型恢复湍流降质图像

采用考虑湍流内外尺度影响的退化模型来恢复大气湍流降质图像,运用包含了湍流内外尺度影响的波结构函数、折射率谱以及薄透镜成像的退化函数导出了新的退化模型。相对由Kolmogorov谱推导出的模型,该模型引入了更完整的先验约束条件,更接近大气湍流的物理特性。针对飞机目标湍流退化图像,利用约束最小二乘滤波的方法对该退化模型进行了复原验证,模拟结果表明了该模型比较理想,恢复效果较好。     

巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究

根据自平均极限模型推导了在巨磁电阻薄膜中折射系数与自旋非对称因子的关系。用傅立叶变换红外光谱仪组建了磁折射效应测试装置,并测试了自旋阀多层薄膜(Si/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/Co/NiFe)的磁折射效应。结果表明:在红外波段,可以用磁折射效应表征巨磁电阻效应。     

直链1—溴烷烃结构与折光指数关系的探讨

根据分子拓扑学原理．用拓扑方法探讨了直链１—溴烷烃的折光指数与其分子结构之间的关系，提出一个结构基础明确的定量关系．应用这一定量关系．不仅能够表征直链１－溴烷烃结构与折光指数之间的关系，而且能够预测折光指数．结果表明，折光指数预测值都接近实验值．平均误差０．０５３％．     

长周期光纤光栅薄膜传感器研究

采用耦合模理论建立了长周期光纤光栅薄膜传感器的理论模型，分析了其传感机理，并进行了实验研究，给出了初步的气敏实验结果．研究结果表明，光纤光栅包层外所镀敏感薄膜的光学参数(厚度和折射率)与传感器的灵敏度高低有直接关系，传感器的结构优化非常必要．长周期光纤光栅薄膜传感器具有薄膜传感器和光纤传感器的优点，具有广阔的应用前景．