IGBT串联技术在固态刚管调制器中的应用

介绍了一种固态刚管调制器的方案和原理,该调制器使用6只1.2 kV/200 A绝缘栅双极型晶体管串联作为放电开关,讨论了刚管调制器设计的难点和解决方法.设计中采用脉冲顶部补偿电路以减小储能电容值,避免使用撬帮电路;详细分析了均压电路的计算方法,并从关断缓冲电路角度讨论了吸收电容计算,依据绝缘栅双极型晶体管伏安特性曲线选取合适的电容值.结合具体课题,给出了相关的试验波形,肯定了固态刚管调制器在工程上的价值.     

高速IGBT的二维数值分析

借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ＩＧＢＴ完全相同，但瞬态时，由于Ｎ＋阳极对基区非平衡载流子的抽出作用，使其关断速度比普通ＩＧＢＴ大大提高。文中利用二维器件数值分析软件（ＰＩＳＣＥＳ－ＩＢ）对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析，获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数，并得到了它的关断时间Ｔｏｆ，其模拟结果与实验值比较吻合     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

按温度比例因子的低温双极晶体管优化设计

提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频率的优化结果,给出了这些参数在按温度比例因子规则设计时温度比例因子的变化参数。     

800V、8A绝缘栅双极晶体管

主研人员:陈星弼 冯洁明 杨谟华 景惠琼 阎斌 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是本世纪80年代中期国际上出现的一种新型电力电子器件,具有易驱动和高速度等优点,是发展新型电力电子技术的基石。研制成功的IGRT的正向阻断电压优于800V(800～1200V)、     

横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析

求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。     

高速SOI-LIGBT的数值分析

研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V_F折衷关系优于采用非局域寿命控制的器件，在相同关断速度下其正向压降可降低０．６～１．４ Ｖ，避免了阳极短路结构的正向快速返回现象。     

无锡“海归”人才与民营企业嫁接结硕果

最近,江苏省无锡市凤凰半导体"1700V100A绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计开发及产业化"项目通过竣工验收,由此获得国家发改委专项资金扶持。嫁接方凤凰画材公司四年来投入该项目1.1亿元,其中8000多万元用于研发。该公司董事长陈卫宏说,完成了市经信委、发改委的三个项目之后,凤凰半导体的市场也从民用市场转向高端工业市场。经过前两年的培育,市场潜力会在今明两年爆发。如今,嫁接式发展在该市年轻科技     

简讯

受电子工业部委托,3月25日至28日在我院召开科研成果技术鉴定会,我院微电子所的“CS5N450/CS7N300型功率MOS晶体管”、”CM605N绝缘栅晶体管”通过电子工业部部级技术鉴定,“功率晶体管脉冲测试仪”、“高压半导体器件的有限元二维分析程序CEPC”通过电子工业部教育局局级技术鉴定。四川省电子厅蒋臣琦副厅长、我院杨鸿铨副院长等领导同志主持了会议。     

主动悬架非脆弱H_∞控制器设计

考虑车辆建模不确定性和执行器参数不确定性,基于2自由度1/4车辆模型设计主动悬架的非脆弱H_∞控制器,使悬架加速度、悬架动扰度、轮胎形变量得到优化。非脆弱H_∞控制器通过LMI(linear matrix inequality,线性矩阵不等式)算法求解,并在Matlab7.0/Simulink环境下搭建仿真模型进行仿真分析。研究结果表明:该控制器能有效改善车辆的乘坐舒适性,较好地解决平顺性与操纵稳定性之间的矛盾。