GeTe系非晶相变薄膜的制备及性能研究

介绍了用真空烧结和真空蒸发制备ＧｅＴｅ和ＧｅＴｅＳｂ非晶薄膜的工艺；从热力学的角度分析了发生相变时在两电极之间形成了晶化的导电丝，熵减少。讨论了Ｓｂ的加入对ＧｅＴｅ非晶薄膜性能的影响。利用电阻与温度的关系计算出ＧｅＴｅＳｂ的相变温度，计算结果与实验测定的相变温度接近。最后用衍射对ＧｅＴｅＳｂ薄膜进行了结构分析。     

含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.     

基片温度对非晶碳硅薄膜电导的影响

在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。     

半导体材料在传感器中的应用

Sio2薄膜是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文主要介绍Sio2薄膜在各种传感器中的应用,并对该材料的发展趋势进行展望。     

BCN非晶电性的实验研究

以六方BN和石墨粉为原料,通过机械球磨的方法制备出非晶BCN粉,在1470 K,10-5Torr的条件下,对非晶BCN粉进行烧结,获得了块状非晶BCN化合物,对其电导率测量的结果表明在从室温到560K范围内,它属于半导体,能隙为0.11ev,在560K～740 K内,它属于半金属.     

用离子化技术制备C-BN薄膜

立方晶系的氮化硼(C-BN)具有极好的硬度、绝缘性,近年来受到国内外的注目。本文介绍在10~(-1)Pa的氮气氛中,用电子束蒸发硼,再进行离子化,制得氮化硼薄膜。经电子显微镜衍射图分析及与块状材料相比,其晶格距离极为一致,本文还分析了薄膜形成过程中基板温度、真空度等的影响。     

非晶碳化硅薄膜光敏材料的研究

该成果采用直流磁控反应溅射制备非晶碳化硅薄膜光敏材料,与国内外现用的射频辉光放电分解及射频溅射法相比具有成膜速率高、溅射电压低、安全、简便、重复性好,薄膜的光性能优良等优点。其主要技术指标为:     

衬底温度对八羟基喹啉镉薄膜光学性能的影响

用真空蒸镀方法,在不同衬底温度下,在玻璃衬底上制备了八羟基喹啉镉薄膜. 用MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪对八羟基喹啉镉薄膜的研究发现,衬底温度升高导致衬底的反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,且发现随着衬底温度越高,所生成的薄膜折射率和消光系数也增大,并给出了两种光学系数的变化范围,所的到的试验结果,对制备有机发光器件有一定的参考意义.     

气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。     

氮化硅薄膜热性能测试研究

提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。在Pt薄膜中通入直流电流后,桥面温度逐渐升高,最终达到稳定,在相同的电流输入下,微桥的热容、热导越大,桥面的温升越小。讨论了无效加热电阻和微结构加工工艺对测试精度的影响,并给出了提高测试精确度的方法。     

一种新型SOA-MZI光功率均衡器的研究

提出了一种基于SOA-MZI结构的光功率均衡器,利用SOA的相移随输入光功率变化的特性,改变 MZI两臂的相位差,实现了在一段输入光功率范围内达到钳制输出光功率的目的．仿真分析表明该光功率均衡器能够减小光功率波动,提高接收灵敏度:光脉冲经过SOA导致的脉冲畸变是限制该光功率均衡器性能的主要原因．     

含氟聚酰亚胺高分子光波导工艺研究

对光通信用含氟聚酰亚胺高分子聚合物材料的特性进行了讨论，报告了材料制备、膜厚控制、折射率控制以及光波导制备技术等方面的实验结果．实测了含氟聚酰亚胺薄膜的温度特性和色散特性，并给出了测量方法和测量结果．     

光分组交换中FP-SOA光信号处理研究

利用FP-SOA的增益特性曲线,实现了光分组交换中标签和净荷的分离,光功率均衡和TTL的功能．仿真结果表明:在分离标签和净荷的应用中,分别实现了对窄脉冲和宽脉冲的抑制比为10．5 dB和9 dB;在光功率均衡的应用中,实现了将10dB的功率动态范围减小到1．6dB;在TTL的应用中,实现了将6 dB功率差提升到14．5dB．     

催化裂化液体产品中硫化物的形态分析

应用气相色谱–脉冲火焰光度检测器（GC–PFPD）对俄罗斯原油常压渣油进行催化裂化反应后，所得液相产物中的含硫化合物进行定性定量分析。结果表明：所含硫化物以噻吩类、苯并噻吩类、二苯并噻吩类为主。采用不同的平均校正因子对催化汽油和柴油馏分中的总硫及主要硫化物含量进行分析。考察了催化裂化反应中剂油比及温度对催化汽油和柴油中总硫及主要硫化物含量的影响。     

氢化非晶硅膜的光学特性

用辉光放电法制备了氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并对其光电导、光吸收特性进行了研究。结果表明,a-Si:H膜具有良好的光电导和光吸收性,是一种理想的廉价太阳能电池材料。     

制冷剂通过毛细管时汽化起始点的试验确定及影响因素分析

本文介绍了制冷剂流过毛细管时压力和温度沿管长分布规律的试验过程及从试验数据确定汽化起始点的方法,并对影响汽化起始点位置和汽化欠压的各有关因素造行了分析,为关系式拟合和理论分析提供了物理基础。     

蒸发热的微扰展开

本文把液体系统中的排斥势作为相互作用势的主要部分，吸收势作为微扰，由微扰方法导出计算潜热的有关公式，给出分子相互作用势，就可由这些公式求得潜热与温度的关系，为工程上的计算提供了理论依据。     

铁基非晶合金非晶形成能力的分子动力学模拟

采用分子动力学方法,模拟了Fe60Cr20Mo20和Fe50Cr20Mo20M10(M=Ni, W) 铁基非晶合金的形成过程,通过加热至熔融态再淬火的方法计算出了Fe60Cr20Mo20、Fe50Cr20Mo20Ni10和Fe50Cr20Mo20W10三种合金形成非晶的临界冷速及一系列热力学参数。结果表明,三种合金形成非晶的临界冷速分别为15.7 K/ps、3.62 K/ps和1.04 K/ps,四元合金较三元合金形成非晶所需的临界冷速大大降低,而W元素的添加更能提高合金的非晶形成能力。另外,通过热力学参