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1.
严仲强 《江苏大学学报(高教研究版)》1988,(Z1)
在静电问题中,当电荷分布在有限空间时我们常取无限远为电势零点,于是有限空间内电荷对无限远电势没有影响,但当电荷延伸到无限远时不能再以无限远电势为零,分布在有限空间的电荷对无限远电势就有影响了.本文以均匀电场中引入导体球为例,对这种影响作较深入的讨论. 相似文献
2.
根据电场强度与电位的微分关系 ,求出了任意平面闭合线电荷的电场分布 ;并就椭圆形和圆形及正方形线电荷分布的场强进行了讨论 相似文献
3.
采用自制的Zeta电势装置表征了PVDF超滤膜,考察了1 mmol/L KCl溶液中不同pH流动电势与压力的关系,以及不同浓度KCl溶液中Zeta电势与pH的关系,测定了不同KCl浓度时膜的通量和截留率。结果表明:在不同pH下,膜的流动电势与压力具有良好的线性关系,并且流动电势随溶液浓度增加而降低;在氯离子浓度不变的情况下,膜的等电点随KCl浓度的升高而增大,即从pH 6.9(1 mmol/L KCl)升高到pH 7.1(5 mmol/L KCl)。这是由于离子极限电导率的不同而引起的。膜通量在等电点处最大并随KCl溶液浓度升高而降低,同时膜对盐的截留率在等电点处最小,在其两侧逐渐增大,截留率随氯化钾浓度增大而减小。 相似文献
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梁淑珍 《东华理工学院学报》1992,(3):76-80,83
元素电势图是表明某一元素的各种氧化态之间,各个电对的标准电极电势变化的关系图,常称为元素的标准电势图,简称元素电势图。例如:铜元素的电势图E°_A(V)图中每个电对的相关横线上列出的是E°值。(E_A)°表示PH=0[H~+]=1M)时酸性溶液中的标准电极电势;碱性溶液则用(E_B)°表示 相似文献
6.
徐信洪 《浙江海洋学院学报(人文科学版)》1996,(1)
根据给定的电荷分布求电场强度是静电学中的一个重要问题。利用等效变换求场强,即把给定的电荷分布等效变换为另一种电荷分布,再去求场强,常可使问题简化,是一种求场强的好方法。本文介绍四种求场强的等效变换。 相似文献
7.
电势零点的选取是静电学中计算电势的关键。全文结合实际例子对无限远电势零点和大地电势零点的选取条件作了较详细的说明 相似文献
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本文对纯水及加抗冻剂的溶液在固化相变过程中的电势变化情况进行了实验研究。实验结果表明,加抗冻剂的溶液电势变化较缓慢平稳且峰值较小。文章就电势变化现象对抗冻剂的保护机理作了初步探讨。 相似文献
9.
汪定雄 《湖北民族学院学报(哲学社会科学版)》1986,(1)
本文根据点电荷对无限大接地导体平面的象电荷的性质,讨论了含点电荷的接地导体二面角区域内的电势问题,导出了二面角度α与象电荷数目、坐标的关系,并给出了此类问题的一般解。 相似文献
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基于声表面波滤波器中叉指换能器(IDT)上电荷分布特性,结合优化设计的叉指加权系数及加权模式,推导出了SAW滤波器等效电路模型参数的精确计算方法。其计算表达式仅由加权系数,叉指间相互位置及电荷分布决定。模拟结果表明此算法精确、简便有效 相似文献
12.
文章讨论均匀带电宽圆环在轴线上和空间任一点的静电势。采用先计算任一圆环在轴线上和空间任一点的静电势 ,利用电势叠加原理把无数个细圆环产生的电势叠加 (即积分 ) ,从而得出均匀带电大、小圆盘的电势 ,两电势之和即为所求。 相似文献
13.
本文讨论选取静电势参考点时受到的限制和同一静电问题对电势参考点的基本要求,阐明了电势参考点选取的受限性、任意性和同一性。 相似文献
14.
薛子则 《长江大学学报(社会科学版)》1980,(2)
(一)定义电势的几种情况:电势是描述电场能的性质的物理量,电场能的改变,可以用功来进行量度,因此对电势既可以从能的角度来定义,又可以从功的角度来定义。1。从能的角度定义电势,对检验电荷的要求有三种情况:(1)不限定检验电荷的正负 相似文献
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以能斯特方程为基础,可绘出一系列氧化还原电对的电势—pH图.本文介绍了电势—pH图的构成、分类及其应用. 相似文献
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蔡万玲 《新疆石油教育学院学报》1999,(4)
电势-PH图及其应用是高校学生应掌握的重要知识之一。运用它灵活地解决实际中的问题,学生较为困难,而且对于它的应用,有关书籍介绍的也较少,为了提高学生应用电势-PH图的能力,本文重点介绍电势-PH图在化学领域中的应用,供参考。 相似文献
18.
通过电沉积的方法制备具有金属和半导体特性的微米到纳米量级的有序结构,是当今纳米研究领域的热点之一。由于生长前沿沉积电势的分布直接影响着纳米异质结构的形貌,所以推导生长前沿沉积电势分布的情况就尤为重要。本文利用数学手段推导了准二维电沉积纳米异质结构沉积电势的分布的解析表达式,合理地解释了准二维纳米结构生长的形貌,为以后的理论分析奠定了基础。 相似文献
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随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下,热电子发射电流已经无法忽略,因而考虑了热电子发射电流并联的影响,最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比,验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阚值区的电流。 相似文献
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