减压CVD技术

本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶硅薄膜等工艺技术问题。提供了各类薄膜制作时采用的典型工艺数据(仅供参考)。对薄膜厚度的均匀性,掺杂层浓度控制与均匀性及薄膜表面状况等进行了分析讨论。由理论分析和实验结果看出,减压CVD技术制作的半导体器件中应用的各类薄膜最突出的优点是:薄膜厚度的均匀性高(可达1～3％),实现了高密度装片(生产量可达10厘米温区内可装40片)。因而,减压CVD技术在目前大规模集成电路、微波半导体器件中是一种十分值得重视的工艺技术。     

TMAH在压力传感器制作中的应用

介绍了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液的腐蚀特性,论述了在单晶硅和多晶硅高温压力传感器的制作过程中,TMAH腐蚀液在浓硼终止腐蚀和各向异性硅杯腐蚀两个制作工艺中的应用。通过大量的实验得到了较为理想的腐蚀条件,取得了较好的腐蚀结果。     

改性硅酸盐水泥的水化历程研究

将磷铝酸盐水泥熟料（简称：PALC）掺入硅酸盐水泥（简称：PC）对其进行改性，研究了不同磷铝酸盐水泥熟料掺量对改性硅酸盐水泥力学性能和水化历程的影响。研究结果表明，适宜的磷铝酸盐水泥熟料掺量（外掺3％）可以加速改性硅酸盐水泥的水化，提高其早期和后期强度；但掺量过多，由于磷铝酸盐水泥水化较快，产生的水化产物较致密，这些致密的水化产物包裹在C3S、C2S等水泥颗粒的外层，阻止了其进一步的水化，使改性水泥出现一个持续时间较长的第二诱导期，从而使表现出较慢的水化速率和较低的早期强度。     

含铌硅磷铝双功能分子筛催化剂的合成及结构表征

合成了铁磷铝(FeAPO-5)、铁硅磷铝(FeSAPO-5)和铌铁硅磷铝(NbFeSAPO-5)分子筛催化剂,并采用XRD、红外光谱和固体魔角旋转核磁共振等方法对合成的催化剂进行了结构表征。结果表明:合成的分子筛具有AlPO4-5的骨架结构,并且铁、硅和铌金属杂原子进入了分子筛骨架。以丙酮醛和甲醇作为合成丙酮酸甲酯的原料,考察了NbFeSAPO-5分子筛催化剂的催化氧化及催化酯化性能,结果表明铁元素进入分子筛骨架使催化剂具有良好的催化氧化性能,而硅和铌的引入提高了分子筛的酸性和催化酯化性能,使NbFeSAPO-5分子筛催化剂成为同时具有催化氧化和催化酯化性能的双功能催化剂。     

AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

研究了ＡｌＮ基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现，膜电阻率随温度变化呈现出从ＮＴＣ过渡到ＰＴＣ的Ｕ型特性，转折温度ＴＭ的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明：晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值，极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。     

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。     

AM混合相Si:P:H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n~ 材料。     

LiBPh_4·4H_2O的脱水及氧化分解过程的热分析

通过热分析法,对四苯硼锂的脱水及氧化分解过程进行了研究,给出了脱水、氧化分解的温度和动力学参数、用离子模型对碱金属四苯硼盐的热稳定性进行了讨论.     

绿色合成多级孔AFI磷铝分子筛的方法及表征

以二正丙胺磷酸盐(DPA·H_3PO_4)和四乙基溴化铵(TEABr)为双模板剂,以薄水铝石为铝源,采用简单的混合研磨及晶化的方法制备了AFI结构磷铝分子筛,并成功将硅、钴、锰掺入到分子筛中.通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、N_2吸脱附测试(BET)和固体紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)等手段对该分子筛进行表征,同时研究了硅掺杂的磷铝分子筛的晶化过程.该固相合成方法与传统方法相比更加绿色,产率高,废液少,且所合成分子筛产量高,具有比较高的结晶度.     

改性USY型FCC催化剂对硫转移性能的影响

通过考察MgO对USY型催化裂化(FCC)催化剂改性所引起的基质结构的变化,研究了不同反应条件及引入铈、镧、磷对硫转移活性的影响。结果表明:改性导致基质表面形成了表层镁铝尖晶石结构,使催化剂具有一定的硫转移活性。铈和镧的引入可有效提高活性,而磷的引入对活性无明显影响,温度升高可显著提高二氧化硫的氧化速率,氧含量为零时硫转移活性很低。     

层状化合物Ca_(1.5)Si_(1.34)B_(6.44)Al_(4.0)(OH)_4·2H_2O的合成与结构

在CaO-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2-TEA-H_2O水热体系中合成了一种硼取代型层状化合物。X-射线衍射物相分析表明其XRD谱图与粘土矿物Saponite相吻合;红外光谱(IR)及X-射线光电子能谱(XPS)研究表明,结构中的硼以四面体形式存在,说明硼取代了Saponite结构中的硅;用DTA-TG分析法研究了样品的热稳定性,考察了温度对结构的影响;研究了样品的离子交换性能。     

硅粉对砼技术性能的改善

介绍了硅粉掺砼后,对其力学性能,变形性能及耐久性方面的影响,由此提出了硅粉砼施工的一些注意事项。     

wittig反应在有机合成中的应用

元素有机化学是当前有机化学研究中最为活跃,发展最为迅速和最富有生命的领域之一,有机磷化学、氟化学、硼化学、硅化学是当前元素有机化学中的四大主要支柱.磷有机化合物在有机合成中的研究,40年来得到迅速发展.国际上有名的wittig反应就是应用磷试剂,可以把羰基化合物转变为烯烃.它的发现使有机磷化合物在有机合成中开拓了崭新的领域,引起了合成有机化学家的重视,经过许多年的努力,得到了大量有意义的结果,开发了多种试剂,在天然产物及精细化学合成中具重要作用.为此,wittig亦于1979年和Brown分享诺贝尔奖.本文就wittig反应在有机合成中的重要应用作一系统的讨论.     

掺杂钛酸钡陶瓷的显微结构及其电性能

我们用化学液相共沉法制备了掺La 0.1～4.0摩尔％的六种钛酸钡粉体,观察并测试了陶瓷试样的显微结构和电性能,探讨了掺杂浓度与晶粒尺寸间的关系、掺杂浓度和电性能间的关系,从而了解了组成、工艺与材料性能间的关系。 实验结果表明,就所采用的粉体和实验条件而论,掺La在 0.2～0.4摩尔％范围内能获得电阻率最低(<50Ω.cm)的半导体陶瓷。烧结温度选择适当,才能获得较好的PTC性能,就本实验结果看,1360℃的烧结温度对其PTC特性较好。     

光度法同时测定磷和硅的研究

用钼蓝法分别测定磷和硅的含量多有报导［１］［２］［３］，但用该法对其进行同时测定未见报导．本文探讨了用钼蓝法同时测定磷和硅，确定了其测定条件．本法具有简便、快速、不需特殊试剂等特点，可用于水等试样中磷和硅的同时测定．     

掺硼金刚石膜热敏电阻器的制备工艺及温度响应

介绍了一种帽状结构的掺硼金刚石膜热敏电阻器及其制备工艺。使用ＰＣＶＤ方法在Ｓｉ３Ｎ４或Ｓｉ基片上淀积掺硼金刚石膜，然后在金刚石膜上淀积Ｔｉ／Ａｕ薄膜以形成欧姆接触电极。结果获得了具有良好温度响应和欧姆接触的金刚石膜热敏电阻器。     

自流平混凝土中外加剂掺量的正交试验研究

本试验属于多指标综合分析,运用正交试验设计法对自流平混凝土中外加剂的掺量进行试验,研究了超塑化剂、塑化剂、膨胀剂、保水剂四个因素对自流平混凝土性能的影响,找出了其中显著的影响因素,优化选择外加剂的掺量,从而得到性能完善的自流平混凝土.     

层状八面体（OL）结构锰氧化物的合成

采用氧化还原法合成层状八面体氧化锰，运用XRD对其物相结构进行分析，采用配位滴定-氧化还原滴定法测定锰的平均化合价．主要研究了熟化时间、NaOH浓度、Mn62＋／Mg^2＋比、Mn^2＋／MnO^-4比以及Cu^2＋掺杂方式等因素对OL（Octahedral Layer）结构的影响．研究结果表明，所合成的氧化锰为OL结构；熟化时间在12h以内时．熟化对OL结构的影响较为显著．当熟化达到12h以上时，熟化时间对OL结构的影响变得很小；NaOH浓度为5．6mol／L及Mn^2＋／MnO4^-=62．5／37．5有利于层状结构OL-1结构氧化锰的生成；OL结构越好，样品中Mn的平均化合价就越高；Mg^2＋加入对OL结构氧化锰的生成不利；掺杂Cu^2＋对OL结构氧化锰生成的影响与合成方法有关，其中Cu—Doped-3和Cu—Doped-4较有利于OL-1的生成，但样品中含有较多的杂质．     

恒电流法聚合苯胺及其电化学研究

本文研究了高氯酸体系恒电流法聚合苯胺及其影响因素。通过对苯胺修饰电极的电化学研究，探讨聚苯胺的氧化还原机理以及质子的掺杂对反应过程电子迁移数的影响。估算了该体系制备的聚苯胺分子的链长和分子量。定量的方法揭示，制备过程聚合电量与修饰电极循环伏安行为的法拉弟氧化电量之比，符合理论依：Qf／Qp=0.125。     

灰色关联分析在黄磷生产中的应用

运用灰色关联分析,对什邡磷化工厂黄磷生产中炉渣磷含量的影响因素作了分析,指出铁是影响炉渣磷含量的第一位因素,为工艺配料提供了参考依据.