Ka频段高中频四次谐波混频器

介绍了谐波混频器的混频原理和设计方法,应用高频场仿真软件及谐波平衡计算软件,研究并实际制作了带有一维光子带隙结构的Ka频段微带全集成高中频四次谐波混频器。实验测得:固定中频频率为3GHz,射频频率在34～35.8GHz的频带内变化时,变频损耗小于14.5dB,最小变频损耗为11dB。表明这种高中频谐波混频电路的设计方案切实可行。     

国产梁式引线器件平面集成混频器

介绍鳍线单平衡混频器电路的设计。混频器使用国产梁式引线混频二极管。混频器在31～37GHz的频率范围内,变频损耗小于10dB,最小值为7.2dB。     

低噪声混频技术─—同轴毫米波微带双平衡混频技术的研究

主研人员：廖品霖谢同芳陈玲毫米波混频器是毫米波外差式电子设备中不可缺少的关键部件。该课题研究的毫米波同轴接口混频器使用的波段范围比波导接口的混频器更宽，对扩展无线电设备的工作频段具有十分重要的意义。同轴毫米波微带双平衡混频技术采用K型同轴接头及双面悬置微带巴伦和混频器管堆，引用P0ghl－Teh吮yshsff＄进线综合法，通过CAD获得在变换长度一定时具有最宽的工作频带。同时采用MMICI艺技术实现小体积的设计，达到宽频带、低噪声、低变频损耗和高隔离度的高性能指标。其主要技术性能指标为：工作频段：18－40GHz变频损…     

一种低驻波微带均衡器的研究

提出了一种低驻波的微带均衡器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测试.该结构通过在微带线相隔四分之一波长处放置了2个加载了电阻的微带支节构造而成.测试结果显示,设计衰减量为3 dB,工作频带为3.2 GHz～3.4 GHz的微带均衡器的最小衰减量小于0.4 dB,最大衰减量为2.9 dB,驻波在整个工作频带内低于1.18,测试结果与设计值符合较好.     

鳍线魔T及鳍线平衡混频器

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0GHz,本振射频隔离大于20 dB。     

Ka波段微带四倍频器研制

毫米波倍频器目前在毫米波频率合成器中已得到广泛应用,它可以获得具有宽带特性的毫米波频综及多点的频率输出。该文介绍一种利用单片设计的Ka波段微带四倍频器研制,主要采用微带电路结构、微带-鳍线-波导过渡形式进行设计,7.8～8.2GHz微波信号由SMA头输入,毫米波信号由标准波导输出。毫米波四倍频器输出功率大于10dBm,功率波动小于1.5dB。实验测试结果验证了该毫米波四倍频器具有输出性能稳定、功耗低等特点。     

毫米波宽带集成本振混频组件的研究

介绍了一种结构紧凑的一体化混合集成本振混频组件和工程设计方法。该组件由具有机械调谐功能的鳍线耿氏振荡器与采用简化鳍线一微带魔Ｔ结构制作的单平衡混频器连接构成。设计制作的工程样品在Ｋａ频段的测试指标为：本振工作在３５ ＧＨｚ,射频在２６．５～４０ ＧＨｚ的频率范围内变化时,组件的变频损耗为４．７～９．５ｄＢ：中频选定为１００ＭＨｚ,射频随本振在３３～３７ＧＨｚ的４ＧＨｚ机调带宽内变化时,组件的变频损耗为４．９～６．２ｄＢ。     

C波段低成本带阻型低噪声放大器的设计

利用微波Office软件仿真设计了一种C波段低成本带阻型低噪声放大器,为了实现低噪声系数和小的电压驻波比,文中采用平衡式两级场效应管放大.通过采用一个带阻滤波器滤波,使得电路在通带低端附近有20 dB以上的增益抑制,加上一级单片放大,总增益大于30 dB.实验结果为:在4.8 GHz～5.25 GHz频率范围内,增益为34.9 dB,噪声系数<1.03 dB,带内增益平坦度<0.38 dB,输入驻波比<1.20,输出驻波比<1.15.在4.4 GHz～4.65 GHz频率范围内,增益抑制>21 dB.     

基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计

提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。     

Ka波段微带检波器设计

介绍了一种中心频率为35GHz,带宽为±2GHz的混合集成检波器设计方法及测试结果。该检波器输入端口为标准矩形波导,通过对极鳍线实现波导到微带的过渡,采用高频电磁场仿真软件和微波电路CAD软件完成该检波器的设计。     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

Q波段宽带四倍频放大组件研究

Q波段(33~50GHz)比Ka波段(26.5~40GHz)频率更高,对这一波段国内研究较少。该文设计了一种Q波段宽带四倍频放大组件,该组件包含两级二倍频器、两级之间的带通滤波器和一级毫米波功率放大器,最后通过微带到波导过渡输出。设计宽带带通滤波器的目的是为了抑制基波和三次谐波。测试结果表明,在33~50GHz的输出频率范围内,输出功率大于10.5dB,谐波抑制大于31.6dBc。该倍频放大组件具有输出频带宽、体积小、输出功率高以及谐波抑制度高的特点。     

悬置微带多路宽带功率分配器

阐述了悬置微带多路宽带新型功分器的设计理论与关键技术的具体方法，实际了该类功分器的计算机辅助设计。实际制作出三路等功率悬置微带宽带功分器在３～１８ＧＨｚ的频带内，输入驻波小于１．３，插损小于０．６ｄＢ，隔离大于１５ｄＢ。     

1.8GHz基站前端射频低噪声放大器的仿真与实现

介绍了一种1.8GHz基站前端射频低噪声放大器(LNA)的设计方法,采用Agilent公司的仿真软件ADS对其进行了仿真和优化,同时完成了实物加工和测试.测试结果表明,采用本方案设计的LNA增益约为12.5dB,噪声系数约为1.3dB,性能稳定,完全达到了通信接收机中对LNA指标的要求.     

动态偏置射频功率放大器研究

分析了功率放大器输入输出响应特性与栅极偏置电路时间常数的关系,以及信号通过功率放大器后的矢量幅度误差(EVM)和邻信道功率抑制比(ACPR)。并基于MW4IC2230设计了工作于2GHz频段,输出33dBm的TD-SCDMA三载波射频功率放大器,以验证该关系。当动态偏置电路时间常数为1ms时,功率放大器输出EVM为2.5%,ACPR为?43dB。根据TD-SCDMA物理信道特点,提出对偏置电路的控制可以比传输信号起始时刻提前,当该提前量为1.5μs、动态偏置电路时间常数为1ms时,功率放大器输出EVM为1.8%,ACPR为?45dB,满足TD-SCDMA系统标准要求。     

基于流体分析的发酵釜搅拌器强度计算

大型搅拌釜的搅拌器强度计算难度较大,且高黏流体介质的搅拌功率和搅拌效果难以预测。针对大型发酵釜的 搅拌器设计问题,采用CFD和FEA技术相结合的方法,对发酵釜的搅拌效果和搅拌器强度进行了分析和预测,结果表 明,该分析方法考虑了搅拌器工作过程中流体压力对叶片的作用,对大型搅拌器,尤其是搅拌介质为高黏流体的搅拌器 强度校核和功率预测能够获得较为准确的结果,同时可获得详细的流场信息及各项特性参数。该分析方法可为大型搅 拌器的设计和优化提供参考。     

绕射辐射振荡器研究

介绍了“绕射辐射振荡器研究”的成果，简述了理论分析、三维计算及设计方法；给出了实验结果并对有关问题进行了讨论。实验管测试的主要参量为：在工作电压２４００～４０００Ｖ；频率范围ｆ＝８４～１０４ＧＨｚ内测得高频振荡，最大输出功率达２００ｍｗ。频率范围ｆ＝６０～８２ＧＨｚ；最大输出功率达１．３Ｗ。同时介绍了这种器件在科学技术中的应用。