LiNbO_3光波调制器的优化设计

在分析了外加电场对 LiNbO_3光波导导模作用的基础上,将外加信号引起的相移分解为理想相移和归一化相移,从而建立了一种对光波导调制器横向尺寸和纵向结构进行优化设计的新方法,并以共面波导强度调制器为例,给出了四组优化设计结果。     

光纤陀螺用Y分支集成光学调制器的研究

介绍了光纤陀螺的工作原理,依据与惯性空间作相对转动导致的Sagnac效应,对光纤陀螺的关键器件即集成光学调制器进行了分析;运用导出的基本公式,对研制光纤陀螺普遍采用的铌酸锂Y分支集成电光波导调制器的驱动电压和调制带宽参数进行了计算,计算结果为该调制器的设计提供了可靠数据。     

反相集成电光调制器中共面波导的偏移效应

在实验室条件下，以ＬｉＮｂＯ３晶体为衬底，加工制作了各种不同程度的偏移性电极（共面波导），模拟光调制的反相结构。通过在微波频段下的实验研究．结果表明反相调制器共面波导偏移引起的微波传输损失是完全可以忽略的。     

LiNbO_3电光调制器行波电极优化设计

分析了厚电极厚缓冲层的共面波导Mach-Zehnder行波电极LiNbO3光调制器,讨论了电极厚度和缓冲层厚度对调制器特性参数的影响,得到了调制器的有效折射率、特征阻抗、半波电压及损耗系数等参数。通过对比分析,选择合适的电极厚度和缓冲层厚度,优化调制器性能,近似满足速度和阻抗匹配,实现了图宽带调制。     

1.31μmAPE光波导及其相关器件研究

利用退火质子交换技术对工作波长为１．３１μｍ的Ｘ－切、Ｙ－传ＬｉＮｂＯ３单模光波导进行了实验研究与分析；测试了不同交换时间（ｔｅ）与退火时间（ｔａ）条件下的光波导近场模光强分布曲线；通过与单模光纤模场测试比较，获得了与单模光纤模场匹配的退火质子交换（ＡＰＥ）光波导，其中光纤—波导—光纤的插入损耗最低达到３．２ｄＢ；同时利用所研制的光波导制作了相位调制器与Ｍ－Ｚ型强度调制器，并对其低频调制特性进行了测试。     

有限宽边缘Groove波导分析

在两平行金属面上开一对称沟道即构成 Groove 波导的基本结构.由于其损耗小、单模频带宽波导电气参量受波导绝对尺寸影响小,结构简单,功率容量大等优点使该波导极有希望成为毫米波段理想的传输线及毫米波元器件的基础结构.有限宽边缘 Groove 波导指边缘金属面为有限大的 Groove 波导,迄今为止的 Groove 波导研究一般都假定构成 Groove 波导是两块无限大金属面,其目的在于简化分析.但在实际工程中金属面尺寸总是有限的;同时了解边缘     

缩短波导定向耦合器长度的一种方法

为了能夠缩短波导定向耦合器的长度,而又不降低定向耦合器的性能,本文采用了压缩矩形波导窄边的方法,以增强孔的耦合。为了能与标准波导匹配,在定向耦合器中还接入了阶梯阻抗匹配段。用传输参数和散射参数分析了这种波导定向耦合器,在各孔阵为弱耦合和阻抗匹配段为小阶梯过渡的条件下获得一阶近似的各散射参数。讨论了终端负载和波导弯头的不匹配对定向耦合器各参量的影响。最后,给出了X波段3分贝耦合度的定向耦合器的设计考虑和实验结果。     

一种副载波复用OLS光分组产生方案

提出了一种采用三分支干涉型调制器来实现单边带副载波标签的光分组产生方案,通过理论分析和仿真实验表明该方案实现了副载波标签的单边带调制,克服了Mach-Zehnder调制器强度调制导致的副载波信号的非线性失真,但存在着净荷信号对副载波标签信号的强度调制。     

新型多孔波导定向耦合器的研究

本文敘述了新型紧凑波导定向耦合器的设计原理及综合方法,并将定向耦合器样品的测量结果与有关文献的数据、样品的耦合段长度与同类产品的耦合段长度作了比较。文中敘述的压缩波导高度增强耦合的方法,对缩短定向耦合器的长度有着一定的实用价值。     

脊型超宽带行波光调制器的建模与设计

针对光纤通信和光传感中常用的集成光学光调制嚣,运用有限差分方法分析了脊型结构光调制器的微波传播特性,建立了相应的数值仿真模型．数值计算表明,脊型结构光调制器比普通结构的调制器有更大的调制带宽和较小的半波电压．在电板宽度为8μm、高度为29 μm,电极间距为25μm,脊高为3．6μm时,调制带宽为100 GHz,半波电压为7．95 V,测试结果与文献[5]符合的较好．     

环形振辐调制器调制特性的计算

环形振幅调制器是目前最常用的几种调制器之一。 调制特性是振幅调制器的一项重要特性。本文以图解分析法为基础来分析环形振幅调制器,求得了折线性二极管伏安特性时的调制特性。讨论了减小调制非线性失真的一般方法。 文中计算得的调制特性已经过实验验证。     

载频解调式脉冲调制器的研制

介绍了一种新型载频解调式栅极脉冲调制器.调制器由2只脉冲变压器、载频调制控制电路、解调与脉冲输出电路组成.调制器采用了内载频脉冲驱动模式,利用了MOSFET的极分布电容对信号的延时作用,通过二极管解调还原调制管触发脉冲,最终输出正负电压的调制脉冲.载频信号频率大于200 kHz,隔离变压器具有尺寸小,绕组匝数少的特点.采用这种模式的调制器,输出脉冲宽度宽、前后沿小、工作比高.详细介绍了基于载频解调式脉冲调制器的应用实例,并对其性能参数进行了测试.     

弯曲圆波导中模式耦合的研究

讨论了波纹圆波导中的模式与光滑圆波导中模式之间的关系,从波纹弯曲圆波导中模式间耦合系数的表达式,导出了光滑弯曲圆波导中所有可能产生耦合的同向与反向传播模式间耦合系数的显式。     

鎖相环频率調制器

本文在讨论锁相环用作频率调制器所应具备的条件的基础上,推导出调制特性,最大允许频偏以及调制信号源的噪声产生的输出相位噪声功率的计算方法。最后,对几种常用的变容管特性指数求出了中心频率偏移,有效调制频偏和非线性失真系数等的计算公式,这些公式也适用于其它变容管频率调制器。     

腔内射频位相调制腔增强特性研究

本文从F－P腔及电光调制器的基本特性出发，分析了具有位相调制器的腔内调制特性；数值计算表明，腔内位相调制在某些频率处具有腔增强效应，在某些频率处不具有腔增强效应。     

PIN管微波毫微秒脉冲调制器

介绍了采用PIN管制作的微波毫微秒脉冲调制器,具有体积小,重量轻,控制功率小,隔离度高,反应速度快,调制线性好以及稳定可靠等优点,可用几个毫微秒的脉冲进行调制,这是以往的调制器无法实现的,它对提高雷达的距离分辨力和抗干扰能力有着极为重要的意义,可广泛用于雷达和电子对抗等系统中.     

短沟道MOSFET准二维分析模型

现有的各种短沟道 MOSFET 分析模型都是所谓“两区模型”,即采用沟道长度调制的假设,把饱和 MOS 管的沟道划分为源区和漏区两个区,并在两区中分别采用缓变沟道近似与恒定电子漂移速度近似等.这就使在计算 MOS 管的沟道电场分布等内部特性时在两区分界点及其附近出现一定的误差,在计算外部特性时则在临界饱和点附近出现相应的误差.本文提出了一种新的适用于短沟道 MOSFET 的准二维分析模型.本模型的关键在于,     

脉冲阶梯调制器

论述了一种称为“脉冲阶梯调制器”(Pulse Step Modulator—PSM)的新的高效调制技术,分析了 PSM 调制器的原理和设计,并给出了实验结果。     

鳍线集成光调制在多普勒雷达中的一种新应用(英文)

提出并分析了集成电光波导调制器在多普勒雷达中的一种新的应用方式。该调制器的电极采用鳍线结构,能够方便地获取多普勒频移信号。使用新方法的优点在于利用光纤长距离传输多普勒频移信号,因此具有抗野外雷电及其他电磁干扰的特性。     

铌酸锂电光长周期波导光栅

该文对用铌酸锂制作电光长周期波导光栅的研究进展进行了综述。讨论了用铌酸锂制作长周期光栅的难点,介绍了解决此难点所用的特殊铌酸锂波导的制作原理和方法,再重点论述了对铌酸锂电光长周期波导光栅的研究,包括包层模阶数、铌酸锂波导的结构参数对光栅性能的影响以及光栅的谐振波长的温度灵敏度。研究表明铌酸锂长周期波导光栅的强度和谐振波长可分别由电压和温度调控,使该器件能进一步开发成为新型高速动态光滤波器或调制器。目前在最佳样品中实现25dB光栅强度调控所需的驱动电压不超过49V,其谐振波长的温度灵敏度为-1.0nm/℃。