Ta/Al合金薄膜TCR的方差分析

在用直流共溅射法制备Ｔａ／Ａｌ合金电阻薄膜的工艺中，研究了主要工艺参数，例如靶基距、气压、溅射电压和热处理时间等对薄膜电阻温度系数（ＴＣＲ）的影响。采用方差分析和正交试验方法获取薄膜的最佳工艺条件和ＴＣＲ值。结果表明只要适当选取和很好控制四种主要工艺参数就可以制出ＴＣＲ性能优良的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜，同时证实了方差分析法行之有效。     

Ta／Al复合薄膜性能及应用

铝含量为５０％的Ｔａ／Ａｌ复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜，但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该复合薄膜制出了功率负荷性能优良的中功率薄膜衰减器。最后，用ＸＰＳ分析了薄膜表面的化学组成。     

非晶磁性薄膜及应用

非晶磁性薄膜及应用主研人员：张怀武石玉刘颖力过壁君王豪才朱尧江该成果采用直流磁控溅射法制备ＦｅＳｉＡｌ薄膜，用真空蒸镀法制备ＮｉＦｅ薄膜、ＮｉＣｏ薄膜。主要性能分别达到：１）ＦｅＳｉＡｌ薄膜矫顽力：７９．６Ａ／ｍ（１．０Ｏｅ）；饱和磁感应强度：１．０...     

SnO_2：Sb薄膜的光学和电学性能的研究

本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射率为８５％以上，红外吸收率为８０％左右；还测得该膜具有负温阻特性。     

Bi代DyGaIG多层磁光薄膜的优化设计

Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ材料是新一代磁光存贮介质。文中用导纳矩阵法计算了多层结构磁光记录薄膜的光学特性，分析了记录层厚度和反射层厚度对记录性能的影响。从磁光记录过程的光和热效应相结合的角度提出了一个新的优化目标函数，并以此完成了Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ／Ａｌ（Ｃｒ）／Ｇｌａｓｓ多层结构磁光盘的优化设计。     

固体超强酸TiO2—Al2O3／SO4^2—催化合成水杨酸甲酯

研究以固体超强酸ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３／ＳＯ２－４为催化剂，水杨酸和甲醇为原料合成水杨酸甲酯。并考察了醇酸比、反应时间、反应温度等对酯化率的影响。结果表明，在水杨酸用量为０．１ｍｏｌ的情况下，用固体超强酸ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３／ＳＯ２－４为催化剂，催化剂用量为１ｇ，甲醇和水杨酸的摩尔比为１０∶１，反应时间４ｈ，反应温度６６～６９℃，是最适宜的反应条件，酯产率达到８５％以上。     

Ta/Al合金薄膜中功率衰减器的研究

介绍了一种用于微波电路的中功率薄膜衰减器。该衰减器是由铝原子含量为50％的Ta/Al合金薄膜制成。其性能优良。     

超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。     

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验，研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。１）对铂靶材料的纯度要求高，含杂质极少；２）淀积薄膜要有一定厚度，通常近于１μｍ才能有较大的α；３）成膜以后，需经过高温热处理，减少缺陷，结晶化改善。通过大量实验，使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片，溅射铂薄膜的厚度为８００ｎｍ，高温热处理１ｈ，可以获得电阻温度系数为３．８５０×１０－３／℃的铂电阻薄膜。     

Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。     

真空蒸发碲化物薄膜光电性能的研究

采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，说明了在基片温度为１３０℃左右下制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，并得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右时制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。     

受限空间内化学被覆导电聚合物薄膜研究

研究了在多孔Ta/Ta2O 阳极微孔内表面原位化学聚合聚3,4-乙烯二氧噻吩导电聚合物薄膜的制备方法,结合有机片式固体钽电解电容器等效串联电阻值的变化,对聚合过程在受限空间里的高分子链形成机理以及在弱吸附情况下微孔内的薄膜导电性能的变化进行了分析,结果表明,在受限的空间里聚合反应生成的聚合物薄膜电导率会由于受限能的影响而降低,其影响程度相似于聚合溶液浓度的变化对聚合物薄膜电导率的影响。     

Al -Zn -Mg -Cu 合金晶格应变场的研究

对热处理后Al-Zn-Mg-Cu合金的晶格应变场的定量测量,可以较准确地揭示铝合金的强化机理。本文分别使用X射线衍射与会聚束电子衍射技术对在120℃时效处理14小时的Al-Zn-Mg-Cu合金产生的晶格应变进行测量计算。研究结果表明：通过X射线衍射与会聚束电子衍射测量 Al -Zn -Mg -Cu 合金的有效应力分别为105．44MPa 和110MPa,且会聚束电子衍射可以弥补X射线只能测量平均宏观应变的缺点,实现了铝合金微区晶格应变场的实际测量。这两种方法配合使用,为进一步揭示Al-Zn-Mg-Cu合金的强化机制奠定了基础。     

铝合金激光增材制造技术研究现状与展望

激光增材制造技术在现代工业发展中发挥了重要作用,为实现高精度制造以及复杂大型制件的生产,铝合金激光增材制造成为当前的研究热点。针对目前铝合金激光增材制造技术在试验过程中出现的粉末流动性差和铝合金的氧化严重以及熔池冷却时温差梯度过大等问题,综合国内外研究现状指出采用基体预热方法可以有效降低熔池冷却过程中的温度梯度,多次重熔可以降低气孔和球化的产生,新型合金粉末Al Cu/Al Zn可以降低铝合金的氧化问题。针对研究中存在的问题,提出建立有效温度控制机制来减少气孔、脱落等现象和研发激光增材制造新型专用粉末将会成为以后研究的重点。     

氧化锌薄膜的生长条件对其结晶及光学特性的影响

采用射频磁控溅射方法在硅（100）衬底上制备了ZnO薄膜,运用X射线衍射仪（XRD）分析了不同的生长条件和退火处理对ZnO薄膜结晶特性的影响．应用谢乐公式讨论了不同制备条件下晶粒直径．采用金相显微镜观察样品抛光后的横截面形貌来进一步验证XRD的分析结果．研究结果表明在溅射功率为120w．衬底温度为500C时可制备沿C轴取向生长且品质较好的ZnO薄膜．退火后,应用X射线衍射仪分析可知．晶粒直径可增至20nm左右,但晶面取向有所变化．由布拉格方程讨论了退火处理对样品晶面间距的影响．以此分析了可能的薄膜应力类型的变化．经金像显微镜可观察到氧化锌的柱状生长．应用日本岛津RF-5301PC型紫外-可见分光光度计测试ZnO薄膜的光致发光谱（PL）测的激发波长为363nm和463nm     

2A96铝合金表面阳极氧化及性能研究

针对铝合金表面极易氧化生成结构疏松、耐腐蚀性差的氧化膜问题,利用阳极氧化法对2A96铝 合金表面进行防腐蚀处理。通过改变阳极氧化实验中的氧化电压,在2A96铝合金表面制备不同的阳极氧 化膜;利用金相显微镜观察各个阳极氧化膜的表面形貌、测厚仪测量其厚度、显微硬度计测定其硬度、 点滴实验获取其点滴时间、电化学工作站获取其极化曲线和交流阻抗谱,进而对阳极氧化膜的耐腐蚀性 进行研究。结果表明,在所测电压范围（8~16 V）内,随着电压的升高,阳极氧化膜的厚度、硬度、点 滴时间也逐渐增加,耐腐蚀性能也随之增强。2A96铝合金经过表面阳极化处理后,其性能显著提高。     

离子束法合成钛铝,镍铝合金的研究

利用从金属蒸汽真空孤离子源引出的强束流钛、镍离子,进行了钛铝、镍铝合金的合成试验研究。研究结果表明,在一定的注入条件下,钛、镍离子的注入能在铝表面形成相应的合金层,离子注入样品的磨损率比未注入样品的明显降低。借助于卢瑟福背散射和X射线衍射分析,我们发现表面合金层中分别形成了Al3Ti、NiTi及Al2O3相,钛在铝中能产生20％以上的原子百分浓度,其深度高达7000。最后,本文还讨论了磨损率降低的原因。     

基于ANSYS的硬质氧化铝薄膜／铝合金基体系统热屈曲变形有限元分析

假设薄膜和基体界面处于理想结合状态下，且不考虑薄膜中缺陷的影响，采用有限元软件（ANSYS8．0）分析了（5～30）μm厚氧化铝薄膜／铝合金基体系统中的热屈曲变形．结果表明：矩形薄板热屈曲后的拱高值随薄膜厚度的增加而增加，弦长和曲率值则随薄膜厚度的增加而减小．对应于（5～30）μm厚度区间，拱高变化量分布在（0．0681～0．2876）mm范围内，弦长变化量分布在（0．05817～0．05536）mm范围内．氧化铝薄膜／铝合金基体系统翘曲变形的曲率值分布在（1091～4610）mm的范围内，且曲率随薄膜厚度变化的非线性特征显著．矩形薄板z方向位移Ux和z方向位移Uz均是关于y轴对称的．另外，根据Uz的变形特点可知拱顶位于x=0处，该处弯曲程度最为严重，易造成氧化铝薄膜开裂而失效．