小尺寸器件栅隧穿电流预测模型

针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的研究,并定量分析了器件的工作情况,预测了在栅隧穿电流的影响下小尺寸器件的特性变化趋势。使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。     

一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件

具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件是一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件,其特征是,耐压层结构含有两层介质层,     

功率器件有 JTE 结构的电场的数值分析与模拟

本文用 damped-Newton(DN)法求解由一般非线性方程获得的Poisson 方程。研究了阻尼因子λ对其收敛性和求解效率的影响。利用此方法计算了横向表面掺杂为 Gauss 分布的器件的归一化电场与掺杂浓度和掺杂层宽度的关系。