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1.
针对(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜,研究了两种不同热处理工艺对其磁性能的影响。结果表明:快速循环热处理可以改善高磁矩(Co0.35Fe0.65)99O1薄膜磁性能,在450°C几个快速循环热处理后,沉积薄膜的矫顽力从105下降到3Oe,电阻率下降到70%,a-Fe(Co)相晶粒尺寸可以减小到15~35nm,该处理方法较以往的热处理更能改善软磁薄膜的性能。 相似文献
2.
Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明,这种Ta/Al合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。 相似文献
3.
《电子科技大学学报(社会科学版)》1986,(2)
采用在硅烷和氩气中进行二极直流溅射钽靶的方法,制备了含硅量为(0—90 at%)的钽硅薄膜。研究了溅射条件对钽硅薄膜电性能的影响以及溅射电压、溅射电流和溅射气压之间的关系。经过实验数据的分柝,得出一组适合现有设备的最佳溅射条件。 相似文献
4.
根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。 相似文献
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《鲁东大学学报》2020,(1)
硅基薄膜材料由于具有较高比容量、较好的循环寿命等优势而备受关注.本文采用射频磁控溅射方法在不同功率下制备了锂离子电池Si薄膜负极材料.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、EDS等手段进行了物理表征,并采用恒流充放电性能测试、循环伏安测试(CV)等手段研究了射频溅射功率对硅负极薄膜材料的电化学性能影响.研究结果表明在溅射时间为5 min的条件下,当溅射功率为120 W时,Si薄膜的综合电化学性能是最优的,其首周充电比容量达到3595 mAh/g,循环150周后容量仍然高达2768 mAh/g,显示出了良好的循环性能,同时也表现出较好的倍率性能. 相似文献
6.
采用反应磁控溅射法在不同条件下制备了TiO2薄膜样品,研究了衬底温度、氧分压、溅射压强等生长条件对薄膜结构特性的影响.得到了反应磁控溅射法制备锐钛矿相TiO2薄膜的最佳沉积条件,并对薄膜的表面形貌进行了测量. 相似文献
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8.
铝含量为50%的Ta/Al复合薄膜由于其具有优良的热稳定性而适用于制造高精密、高稳定功率型电阻或功率集成电阻网络。用钽铝复合靶直流共溅射的方法可以制备这种薄膜,但淀积参数及热处理条件对薄膜的热稳定性能有很大影响。用该复合薄膜制出了功率负荷性能优良的中功率薄膜衰减器。最后,用XPS分析了薄膜表面的化学组成。 相似文献
9.
在用直流共溅射法制备Ta/Al合金电阻薄膜的工艺中,研究了主要工艺参数,例如靶基距、气压、溅射电压和热处理时间等对薄膜电阻温度系数(TCR)的影响。采用方差分析和正交试验方法获取薄膜的最佳工艺条件和TCR值。结果表明只要适当选取和很好控制四种主要工艺参数就可以制出TCR性能优良的Ta/Al合金薄膜,同时证实了方差分析法行之有效。 相似文献
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在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。本文对不同基片温度下成膜的样品进行了电导性能测试并分析了测试结果,得出了基片温度是影响该薄膜光电导的关键因素的结论。 相似文献
12.
周昕 《湖南工业大学学报(社会科学版)》2007,12(5)
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升. 相似文献
13.
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜。分析了催化剂在溶胶制备过程中的作用,以及其对制成的TiO2薄膜的性能的影响。主要分析了盐酸、乙酸、硝酸、硫酸等几种催化剂对TiO2薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、光学性能的影响。实验结果表明,选择盐酸为催化剂,薄膜生长取向较好,晶粒尺寸较大,光透过率最好。 相似文献
14.
用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论。结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。 相似文献
15.
GeTe系非晶相变薄膜的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
李燕 《电子科技大学学报(社会科学版)》1996,(6)
介绍了用真空烧结和真空蒸发制备GeTe和GeTeSb非晶薄膜的工艺;从热力学的角度分析了发生相变时在两电极之间形成了晶化的导电丝,熵减少。讨论了Sb的加入对GeTe非晶薄膜性能的影响。利用电阻与温度的关系计算出GeTeSb的相变温度,计算结果与实验测定的相变温度接近。最后用衍射对GeTeSb薄膜进行了结构分析。 相似文献
16.
用计算机模拟离子辅助薄膜沉积过程和工艺实验,发现离子辅助能够提高薄膜的聚集密度、附着力,改善薄膜光学特性。然而,高能离子束诱发薄膜材料相当大的吸收,导致该技术几乎无法使用。作者通过对碲化铅薄膜材料理论和工艺分析,证实了低能、高密度离子束辅助是一种极有发展前途的新技术。 相似文献
17.
聚吡咯/二氧化钛复合氨敏薄膜的制备及特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚吡咯/纳米二氧化钛(PPy/TiO_2)复合薄膜,并进行了表面电阻测试及紫外-可见光谱分析、原子力显微镜分析.利用平面叉指电极结构制备了PPy和PPy/TiO_2薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH_3的敏感性.结果表明,相同条件下PPy/TiO_2复合薄膜传感器的响应/恢复时间均优于PPy薄膜传感器.同时测试了PPy/TiO_2复合薄膜传感器的湿度特性和稳定性. 相似文献
18.
曲喜新 《电子科技大学学报(社会科学版)》1996,(Z2)
高Tc超导薄膜研究的新进展曲喜新(电子科技大学信息材料工程学院成都610054)【摘要】对近几年来在高Tc超导薄膜及其应用方面的进展情况给以扼要论述,同时指出在实用化方面尚存在的问题。在其进展中,着重讨论了薄膜的制造技术、超导特性及其表面电导。目前高... 相似文献
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高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。 相似文献
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本文论述了磁控溅射枪的基本设计原理,分析确定了枪的电、磁参量和主要结构参数,并给出了枪的性能测试曲线。 相似文献