Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。     

强束流Zr离子注入H13钢改善其耐磨性研究

采用由金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ｚｒ,Ｚｒ＋Ｃ离子对Ｈ１３钢进行了离子束表面处理,借助划痕仪和摩擦试验机分别测量了经表面处理的Ｈ１３钢的耐磨性和摩擦系数。研究结果表明：经Ｚｒ,Ｚｒ＋Ｃ离子束处理的Ｈ１３钢的耐磨性有所提高,摩擦系数明显降低,采用卢瑟福背散射谱（ＲＢＳ）ｘ射线衍射分析了注入层的成分,结构及影响其耐磨性的因素。     

高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。     

填隙氧离子对钨酸铅晶体光学性质的影响及绿光起源的研究

应用GULP软件按照能量最低原理确定了钨酸铅(PWO)晶体中填隙氧离子的位置,再用CASTEP软件计算了完整PWO晶体和含有填隙氧离子的PWO晶体的总态密度、分态密度和吸收光谱.计算结果表明,填隙氧离子的存在不会造成PWO晶体可见光区的显著吸收;PWO晶体中的绿光中心可能起源于WO4 Oi.     

类锂离子(Z=3-30)基态非相对论能量的递推计算

给出一种简单的计算类锂离子(Z=3-30)基态非相对论能量的方法。首先以类氢离子的能量为零级近似能 量,用微扰法计算了类氪离子1s2s态的能量;然后以类氮离子的能量为零级近似能量,用微扰法计算了类锂离子的 基态1s22s能量。结果与其它理论值符合得很好,表明该方法是可行的。     

对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究

采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La^3＋时可能存在的缺陷团簇模型，通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La^3＋离子最可能的替位位置，并通过基于密度泛函理论的离散变分DV-Xa方法计算得到相应的La3^＋：PWO4晶体的电子态密度．计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽，高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄．实验测得低浓度掺La^3＋时晶体的吸收边紫移，高浓度掺La^3＋时晶体的吸收边红移，计算结果与实验结果相符、计算表明，La^3＋：PWO4晶体中掺La^3＋可以有效地抑制420nm吸收.     

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体，在不同杂质离子浓度下，K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明，高浓度掺K离子将消除420nm吸收带，改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能．     

离子束法合成钛铝,镍铝合金的研究

利用从金属蒸汽真空孤离子源引出的强束流钛、镍离子,进行了钛铝、镍铝合金的合成试验研究。研究结果表明,在一定的注入条件下,钛、镍离子的注入能在铝表面形成相应的合金层,离子注入样品的磨损率比未注入样品的明显降低。借助于卢瑟福背散射和X射线衍射分析,我们发现表面合金层中分别形成了Al3Ti、NiTi及Al2O3相,钛在铝中能产生20％以上的原子百分浓度,其深度高达7000。最后,本文还讨论了磨损率降低的原因。     

钨酸铅晶体中F型色心电子结构的研究

运用相对论性的密度泛函离散变分（DV-Xα）方法模拟计算了PbWO4（PWO）晶体中F型色心的电子结构，得到了PWO晶体的态密度分布，讨论了色心的可能光学跃迁模式，并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明，F、F^＋心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级，F、F^＋心可向W 5d轨道发生跃迁，其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV，因此，可推断F、F^＋心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。     

Sigmund热尖峰溅射模型的研究

对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似.并用TRIM87程序对Sb~+,Bi~+轰击银靶的能量淀积过程进行了模拟计算.将计算所得到的平均能量淀积密度代入修正后的Sig-mund热尖峰溅射模型中,所得到的起始热尖峰区尺寸与能量淀积理论相容.     

ZnSe:Ti2+光谱与EPR参量的共价模型

给出了在强共价性晶体中计算3d2离子光谱与g因数的共价模型.在本工作中,采用了修正后的Sugana-Tanabe近似图像推导了考虑共价性贡献在内的3d2离子能级矩阵和3A2基态的g因数计算公式,应用该模型,计算了在Td对称下的掺Ti2+金属离子的ZnSe晶体的光谱与g因数.     

碱卤晶体中电子型色心的吸收谱能态计算

本文采用多种近似方法,分别对碱卤晶体中的F、F_A(Ⅱ)、F_A(Ⅲ)、F_2~+、F_(2A)~+、F_(2H)~+、F_2、F_2~-等电子型色心的吸收谱能态作了系统的理论计算。理论计算值与本实验室获得的实验值相比,除了个别色心外,相对误差均小于10％,取得了满意的结果。     

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.     

NaCl晶体中电子型色心的电子结构研究

运用密度泛函离散变分（DV-Xα）方法研究了NaCl晶体中可能存在的色心，模拟计算得到含色心的NaCl晶体的电子结构．计算结果表明，F、F2心在禁带中引入了新的能级；分析了可能存在的光学跃迁，并用过渡态方法计算得到相应的跃迁能量为2．74eV和1．74eV．该计算结果与实验测得的吸收光谱的峰值位置吻合较好．而F^＋心不存在光学跃迁吸收，但使晶体的禁带宽度变窄．计算结果还解释了NaCl晶体吸收光谱的结构起因．     

HI3钢的脉冲离子束加工处理

作者利用中国第一台金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)引出的钼离子对HI3钢进行了不同束流密度下的离子注入。根据此源的特点,提出了相应的注入元素深度分布的计算方法。注入层的分析和测量是借助背散射(RBS)、X衍射(XRD)进行的。磨损测量表明,随着束流密度的变化,注入层的磨损性能将会发生相应变化。最后指出了MEVVA源的应用前景。     

单链晶体的平衡态分析

本文用统计力学的方法分析了单链晶体的平衡态．通过计算得到平衡态尺寸，平衡态尺寸与温度及单链的分子量有关．从单链晶体的热力学分析也得到了类似的平衡态尺寸表示式．比较两个结果，可从分子理论的基础上来理解单链晶体的侧表面自由能及折迭表面自由能．     

抗瘤酮分子的量子化学计算及构效关系研究

用ＩＮＤＯ近似方法对５个抗瘤酮Ａ的化合物进行了量子化学计算，根据计算得到的能量参数ＥＨＯＭＯ和△ＥＬ－Ｈ与药效Ｒ之间的对应性，提出了一个说明性的方程，并对该方程作出了试探性的解释     

钽激光等离子体类镍和类钴离子谱线辨认

采用聚焦石英弯晶谱仪测量钽(Ta)激光等离子体发射谱线，得到了一维空间高分辨软X 射线谱，辨认了其类镍和类钴离子谱线。精确测量和准确辨认出类镍和类钴离子4f-3d的共振跃迁线，给出了类镍钽离子簇波长和( =0.576 46 nm是类钴离子4f-3d的共振跃迁线的实验结果，其精确波长值的绝对误差小于5×10~(-5) nm。     

Ne~+、Ar~+注入铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系

在100keV入射能量下.分别测量了Ne~-、Ar~+在铜靶上所产生的溅射原子角分布与离子入射角度的关系 实验结果表明在40°和70°斜入射条件下,Ar~+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布关于表面法线明显不对称;而Ne~+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布关于表面法线是对称的、用TRIM程序计算了Ne~+和Ar~+在铜靶中的能损和投影射程,并依据所计算的结果用级联碰撞理论分析了实验结果,比较了Ne~+和Ar~+各自溅射机制上的不同.     

低对称性离子晶体库仑能的计算

本文给出低对称性离子晶体库仑能的计算方法，并在计算机上实现此计算过程，结果表明这种计算方法的精度很高。